금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법
    1.
    发明授权
    금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법 失效
    表面改性剂和使用其的金属氧化物颗粒的表面改性的方法

    公开(公告)号:KR100947891B1

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:KR1020070116574

    申请日:2007-11-15

    Abstract: 본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 알킬기를 함유하는 알킬실란폴리올 단독 또는 알킬알콕시실란과의 혼합물로 이루어진 표면개질제와, 금속산화물 입자의 친수성 표면에 상기한 표면개질제를 화학적 결합을 통해 코팅하여 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성으로 개질하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 선택 사용함으로써 금속산화물과 개질제간의 화학적 결합을 유도하기 위한 고온 축합반응 중에서의 표면개질제 자체의 축합으로 인한 응집을 억제함은 물론이고 규소-수산기(Si-OH) 결합을 안정화시켜, 고른 입자 분포를 갖는 표면개질된 금속산화물 입자를 제공할 수 있다.
    금속산화물 입자, 표면개질제, 소수성 개질, 알킬실란폴리올

    금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법
    2.
    发明公开
    금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법 失效
    表面改性剂及使用其的金属氧化物颗粒的表面改性方法

    公开(公告)号:KR1020090050237A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:KR1020070116574

    申请日:2007-11-15

    Abstract: 본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 알킬기를 함유하는 알킬실란폴리올 단독 또는 알킬알콕시실란과의 혼합물로 이루어진 표면개질제와, 금속산화물 입자의 친수성 표면에 상기한 표면개질제를 화학적 결합을 통해 코팅하여 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성으로 개질하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 선택 사용함으로써 금속산화물과 개질제간의 화학적 결합을 유도하기 위한 고온 축합반응 중에서의 표면개질제 자체의 축합으로 인한 응집을 억제함은 물론이고 규소-수산기(Si-OH) 결합을 안정화시켜, 고른 입자 분포를 갖는 표면개질된 금속산화물 입자를 제공할 수 있다.
    금속산화물 입자, 표면개질제, 소수성 개질, 알킬실란폴리올

    시클로헥세닐실란의 제조 방법
    3.
    发明授权
    시클로헥세닐실란의 제조 방법 失效
    环己基硅烷的制备方法

    公开(公告)号:KR100899605B1

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:KR1020070056294

    申请日:2007-06-08

    Abstract: 본 발명은 시클로헥세닐실란의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공액 디엔 (Conjugated Diene)과 비닐 실란 화합물을 가열 반응시켜 시클로헥세닐실란을 제조할 때, 특정 비점의 탄화수소 화합물을 함께 넣거나 또는 과량의 비닐 실란 화합물과 특정 비점의 탄화수소 화합물을 함께 넣어 가열 반응시킴으로써 연속 공정 혹은 대량 생산에서 문제가 되었던 고온 반응에서의 불포화 유기 화합물의 중합물, 유기 실란 화합물의 고분자 중합물 및 타르의 생성을 효과적으로 억제할 수 있는 시클로헥세닐실란의 제조 방법에 관한 것이다.
    시클로헥세닐실란은 유·무기 화합물의 보강제, 고무 합성시에 첨가하는 결합제, 실리카의 극성을 개질하는 기능성 실리콘 고분자, 살충제의 합성 중간 물질, 절연 (insulating) 무기 물질 또는 금속과 접촉력이 좋은 폴리올레핀 고분자의 출발 물질, 유-무기 하이브리드 물질로서 이용될 뿐만 아니라 근래 전자 산업의 발달과 함께 반도체 소자가 점점 가속화, 고밀도화, 고집적화 및 미세화가 요구됨에 따라 전자의 이동이 용이하며 분자 단위의 차원에서 제어 기능을 가지는 유기 초박막 소자의 개발 등에의 응용이 기대되는 물질이다.
    공액 디엔, 비닐 실란 화합물, 시클로헥세닐실란, 가열 반응, 탄화수소

    시클로헥세닐실란의 제조 방법
    4.
    发明公开
    시클로헥세닐실란의 제조 방법 失效
    环己基硅烷的制备方法

    公开(公告)号:KR1020080107911A

    公开(公告)日:2008-12-11

    申请号:KR1020070056294

    申请日:2007-06-08

    CPC classification number: C07F7/14 B01J2219/00033

    Abstract: A method for preparing a cyclohexenylsilane is provided to prevent a reaction tube from being stopped, to prevent the deterioration of yield and to reduce the generation of polymers. A method for preparing a cyclohexenylsilane represented by the formula 1 comprises the step of reacting a conjugated diene and a vinylsilane compound represented by the formula 2 by adding a hydrocarbon compound having a boiling point of 30-400 deg.C together or adding a vinylsilane compound in an amount of 1-4 times by mol to the conjugated diene and a hydrocarbon compound having a boiling point of 30-400 deg.C together, wherein R1 and R2 are identical or different each other and H or a C1-C6 alkyl group; R3 is a C1-C6 alkyl group; X is a halogen atom or a C1-C3 alkoxy group; and m is 2 or 3.

    Abstract translation: 提供制备环己烯基硅烷的方法以防止反应管停止,以防止产率的劣化并降低聚合物的产生。 制备由式1表示的环己烯基硅烷的方法包括通过将沸点为30-400℃的烃化合物加入到一起或加入乙烯基硅烷化合物使共轭二烯和式2所示的乙烯基硅烷化合物反应的步骤 共轭二烯和沸点为30-400℃的烃化合物的1-4倍摩尔量,其中R1和R2相同或不同,H或C1-C6烷基 ; R3是C1-C6烷基; X是卤素原子或C1-C3烷氧基; m为2或3。

Patent Agency Ranking