Patent search ap:("한국과학기술연구원") AND inv:"천성순" Page 1

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发明公开
초전도 박막을 이용한 평면형 3단자 소자 및 그 제조 방법 无效
Title translation: 采用超导薄膜的平面三端器件及其制造方法

公开(公告)号：KR1019950021532A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930031240

申请日：1993-12-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 천성순 , 노광수 , 조창현 , 신우석 , 배성준

IPC: H01L39/24

Abstract: 본 발명은 소오스, 드레인 및 게이트 전극을 동일 평명 상에 형성할 수 있으며, 고온 초전도 박막을 이용한 마이크로브리지를 전류 채널로 하여 소오스와 드레인을 연결하는 초전도체를 이용한 3단자 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 소자는 소자 제작에 있어서 1회의 고온 초전도 박막 증착과 1회의 광식각 작업 및 1회의 에칭을 필요로 하는 간단한 공정에 의해 제작될 수 있다.

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