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公开(公告)号：KR101096517B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020090099432
申请日：2009-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286
Abstract: 본 발명은 수직이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조에 관한 것으로서, 고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과, 반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과, 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층 (터널장벽층)과, 상기 제1 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제1 자성층의 자화 방향을 박막면에 대하여 수직방향으로 향하게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과, 상기 제1 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제1 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 제1 결정구조 분리층과, 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 박막면에 대하여 수직방향으로 향하게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제4 자성층, � �� 상기 제2 자성층과 상기 제4 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제4 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 제2 결정구조 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 자기 터널 접합 구조를 구성하는 자유 자성층 및 고정 자성층의 자화방향을 수직으로 유지함으로써 스위칭에 필요한 임계전류 값을 낮추고, 소자의 크기를 작게 제작하더라도 열적 안정성을 유지할 수 있다.
수직 자기 이방성, 자기 터널 접합, 전류 인가 자기 저항-
公开(公告)号：KR1020110042657A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020090099432
申请日：2009-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetization layers is provided to reduce a threshold current value required for a magnetization reversal by maintaining the magnetization direction of a first magnetic layer to be vertical to a first magnetic layer. CONSTITUTION: In a magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetization layers, a first magnetic layer(10) has a fixed magnetization direction. A second magnetic layer(20) has a reversible magnetization direction. A nonmagnetic layer(70) is formed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. A third magnetic layer(30) is united with the first magnetic layer through magnetism. The magnetization direction of the first magnetic layer is moved to the vertical direction to a thin plane. A first crystalline structure separation layer(50) divides the crystal orientation between first and third magnetic layers. A fourth magnetic layer(40) is united the second magnetic layer through magnetism. The magnetization direction of the second magnetic layer is moved to the vertical direction of the thin plane. A second crystalline structure separation layer(60) divides the crystal orientation between second and fourth magnetic layers.
Abstract translation: 目的：提供具有垂直磁化层的磁性隧道结结构，以通过保持第一磁性层的磁化方向垂直于第一磁性层来减小磁化反转所需的阈值电流值。 构成：在具有垂直磁化层的磁隧道结结构中，第一磁性层（10）具有固定的磁化方向。 第二磁性层（20）具有可逆的磁化方向。 在第一磁性层和第二磁性层之间形成非磁性层（70）。 第三磁性层（30）通过磁性与第一磁性层结合。 第一磁性层的磁化方向向垂直方向移动到薄平面。 第一晶体结构分离层（50）将第一和第三磁性层之间的晶体取向分开。 第四磁性层（40）通过磁性将第二磁性层结合在一起。 第二磁性层的磁化方向移动到薄平面的垂直方向。 第二晶体结构分离层（60）将第二和第四磁性层之间的晶体取向分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101308105B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020110120757
申请日：2011-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11B5/645 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/84 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 수직자화 박막 구조체는, i) 베이스층, ii) 베이스층 위에 위치하고, L1
0 결정 구조를 가지는 자성층, 및 iii) 자성층 위에 위치하는 금속 산화물층을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020110019886A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077492
申请日：2009-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/14 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/307 , H01L43/10 , Y10T428/115 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a method for manufacturing the same are provided to improve thermal stability while increasing a reproduction signal. CONSTITUTION: A first magnetic layer(10) includes a compound. An insulating layer(20) is arranged on the first magnetic layer. A second magnetic layer(30) is arranged on the insulating layer. The second magnetic layer includes a compound First and the second magnetic layers have a vertical magnetic anisotropy.
Abstract translation: 目的：提供一种磁性隧道结装置及其制造方法，以提高再生信号的热稳定性。 构成：第一磁性层（10）包括化合物。 绝缘层（20）布置在第一磁性层上。 第二磁性层（30）布置在绝缘层上。 第二磁性层包括化合物第一和第二磁性层具有垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：KR101115039B1
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：KR1020090077492
申请日：2009-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/14 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/307 , H01L43/10 , Y10T428/115
Abstract: 본발명은자기터널접합디바이스및 그제조방법에관한것이다. 자기터널접합디바이스는 i) (AB)C(0
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公开(公告)号：KR1020130055165A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020110120757
申请日：2011-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11B5/645 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/84 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A perpendicular magnetized thin film structure and a manufacturing method thereof are provided to convert a magnetic layer into a L10 crystal structure and secure a vertical magnetic anisotropy. CONSTITUTION: A base layer is provided(S10). A magnetic layer is provided on the base layer(S20). A metal layer is provided on the magnetic layer(S30). The base layer, the magnetic layer, and the metal layer are treated with heat(S40).
Abstract translation: 目的：提供垂直磁化薄膜结构及其制造方法，以将磁性层转换为L10晶体结构并确保垂直磁各向异性。 构成：提供基层（S10）。 在基底层上设置有磁性层（S20）。 在磁性层上设置有金属层（S30）。 加热处理基层，磁性层和金属层（S40）。
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