公开(公告)号：KR100980002B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020080000144

申请日：2008-01-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문성욱 ,  이승훈 ,  추성일

IPC: G01R1/073

Abstract: 본 발명은 미세 피치의 웨이퍼 및 대면적의 웨이퍼를 효과적으로 테스트할 수 있으며, 제작 공정의 단순화 및 프로브의 재생을 용이하게 구현할 수 있는 프로브 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 프로브 구조물 제조방법은 프로브 구조물을 복수의 단위 프로브 패턴으로 구분하고, 각각의 단위 프로브 패턴을 단위 공정을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 단위 공정은, 단위 프로브 패턴 마스크를 형성하는 제 1 과정과, 상기 단위 프로브 패턴 마스크에 의해 노출된 영역 상에 단위 프로브 패턴을 형성하는 제 2 과정과, 상기 단위 프로브 패턴 마스크를 제거하는 제 3 과정과, 상기 단위 프로브 패턴을 포함한 전면 상에 금속 물질의 희생층을 형성하는 제 4 과정과, 상기 단위 프로브 패턴의 상부면이 노출되도록 상기 단위 프로브 패턴 및 희생층을 평탄화하는 제 5 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
프로브, 희생층, 일체형

公开(公告)号：KR100852514B1

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020060072402

申请日：2006-07-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문성욱 ,  김진혁 ,  추성일 ,  이승훈

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 칩의 검사(테스트)를 위한 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 차지하는 면적이 적고, 로드가 커 접촉성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 탄성력을 가져 큰 오버 드라이브를 갖는 수직형 프로브, 이 프로브를 구비한 프로브 카드 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 이 지지부가 고정되어 있고 또한 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 추가로 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브, 이 프로브를 갖는 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드에 의하면, 반도체 검사 시간과 비용을 절감하여 반도체 생산 단가를 크게 줄일 수 있고, 또한, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드의 제조방법에 의하면, 고 종횡비 MEMS 구조물 제작에 있어 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
프로브, 반도체 칩, 검사, 에칭, 도금

公开(公告)号：KR1020090074383A

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020080000144

申请日：2008-01-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문성욱 ,  이승훈 ,  추성일

IPC: G01R1/073

CPC classification number: G01R1/073 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2886 ,  H01L22/30

Abstract: A probe and a method for fabricating the same is provided to minimize stress applied to a probe structure in a planarization process by using a sacrificing layer made of metal. A probe apparatus is classified into a plurality of unit probe patterns, and each unit probe pattern is formed by a unit process. A unit probe pattern mask is formed on the space transformer(100) for the unit process, and the unit probe pattern(102a) is formed on the domain exposed by the unit probe pattern mask. The unit probe pattern mask is removed, and the sacrificial layer(104) of the metal material is formed on the whole of the result. The unit probe pattern and sacrificial layer are planarized, and the upper side of the unit probe pattern is exposed.

Abstract translation: 提供探针及其制造方法，以通过使用由金属制成的牺牲层来最小化在平坦化工艺中施加到探针结构的应力。 探针装置分为多个单位探针图案，并且通过单位处理形成每个单位探针图案。 在单位处理的空间变换器（100）上形成单位探针图案掩模，并且在由单位探针图案掩模曝光的区域上形成单位探针图案（102a）。 去除单元探针图案掩模，并且在整个结果上形成金属材料的牺牲层（104）。 单位探针图案和牺牲层被平坦化，并且单元探针图案的上侧被暴露。

公开(公告)号：KR1020080011613A

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：KR1020060072402

申请日：2006-07-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문성욱 ,  김진혁 ,  추성일 ,  이승훈

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2601

Abstract: A vertical probe for inspecting a semiconductor is provided to shorten an interval of semiconductor inspection time by inspecting a semiconductor chip with an irregular two-dimensional pad arrangement at a time. A vertical probe(300) includes a front end part(310) in contact with a pad of a semiconductor chip in operation and a support part(320) that supports the front end part and gives elasticity to the front end part. The support part is made of at least one support piece. The support part can be fixed to a fixing part(330) fixed to a ceramic substrate. The front end part can include a coupling part connected to the support part and a contact part incorporated with the coupling part wherein the contact part comes in contact with the pad of the semiconductor chip in operation. The contact part can come in line-contact with the pad of the semiconductor chip.

Abstract translation: 提供了用于检查半导体的垂直探针，以通过一次检查具有不规则二维衬垫布置的半导体芯片来缩短半导体检查时间的间隔。 垂直探针（300）包括与操作中的半导体芯片的焊盘接触的前端部（310）和支撑前端部并且向前端部赋予弹性的支撑部（320）。 支撑部分由至少一个支撑件制成。 支撑部可以固定在固定在陶瓷基板上的固定部（330）上。 前端部可以包括连接到支撑部分的联接部分和与联接部分结合的接触部分，其中接触部分在操作中与半导体芯片的焊盘接触。 接触部分可以与半导体芯片的焊盘成线接触。