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公开(公告)号:KR101728688B1
公开(公告)日:2017-05-02
申请号:KR1020160084869
申请日:2016-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J27/24 , B01J35/004 , B05D1/005 , C09D1/00 , C09D7/40 , C25B1/04
Abstract: 본발명은본 발명은질화탄탈륨기반의광전극의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는탄탈륨전구체를포함하는코팅용액의에이징(aging) 처리를통하여, 광촉매전극성능이최적화된질화탄탈륨(TaN)을제조하고, 이를질화탄탈륨기반의광전극에응용하는기술에관한것이다.