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公开(公告)号：KR100648143B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020040088959
申请日：2004-11-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3259
Abstract: 본 발명은 제1강자성층과 비자성층 및 제2강자성층으로 구성되는 다중 적층부와, 상기 제1강자성층 상부의 상부 전극과, 상기 제2강자성층 하부의 반강자성층, 및 상기 반강자성층 하부의 하부 전극을 포함하며, 상기 제2강자성층 내부에는 나노 산화물층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자를 제공한다. 상기 하부 전극은 제2강자성층 적어도 일부와 접촉하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 자기 저항 소자는 자화 반전을 위한 임계 전류값이 낮고 자기 저항 특성이 향상된다.
전류 인가(current induced), 자기 저항, 교환 바이어스, 나노 산화물층-
公开(公告)号：KR1020060039748A
公开(公告)日：2006-05-09
申请号：KR1020040088959
申请日：2004-11-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3259
Abstract: 본 발명은 제1강자성층과 비자성층 및 제2강자성층으로 구성되는 다중 적층부와, 상기 제1강자성층 상부의 상부 전극과, 상기 제2강자성층 하부의 반강자성층, 및 상기 반강자성층 하부의 하부 전극을 포함하며, 상기 제2강자성층 내부에는 나노 산화물층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자를 제공한다. 상기 하부 전극은 제2강자성층 적어도 일부와 접촉하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 자기 저항 소자는 자화 반전을 위한 임계 전류값이 낮고 자기 저항 특성이 향상된다.
전류 인가(current induced), 자기 저항, 교환 바이어스, 나노 산화물층Abstract translation: 本发明包括：第一铁磁性层和非磁性层和用由强磁性层，铁磁性层的上部的第一顶电极和铁磁性层的所述第二半下部铁磁层的多层部分中的第二，和反铁磁性层 以及形成在下铁磁层上的下电极，其中纳米氧化物层插入第二铁磁层中。 下电极优选接触第二铁磁层的至少一部分。 根据本发明的磁阻元件具有用于磁化反转的低阈值电流值和改进的磁阻特性。
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