公开(公告)号：KR100092017B1

公开(公告)日：1995-11-23

申请号：KR1019930005061

申请日：1993-03-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최형수 ,  조영상 ,  임종주 ,  황순택

IPC: C23C16/00

公开(公告)号：KR1019950009445B1

公开(公告)日：1995-08-22

申请号：KR1019930005061

申请日：1993-03-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최형수 ,  조영상 ,  임종주 ,  황순택

IPC: C23C16/00

Abstract: The method comprises depositing the vapor of copper on a substrate, using a copper beta-keto ester compound as a precursor. A thin film of copper is obtained without heat cracking during vapor deposition.

Abstract translation: 该方法包括使用铜β-酮酯化合物作为前体将铜的蒸气沉积在基底上。 在蒸镀时不产生热裂解的铜薄膜。

公开(公告)号：KR1019940021755A

公开(公告)日：1994-10-19

申请号：KR1019930005061

申请日：1993-03-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최형수 ,  조영상 ,  임종주 ,  황순택

IPC: C23C16/00