-
公开(公告)号：WO2013002605A3
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/KR2012/005194
申请日：2012-06-29
Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층용 복합입자및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게，본 발명에 따른 복합입자는 M 1 A X (M은 11족 금속에서 하나 또는 둘 이상 선택된 것이며， A는 칼코젠 원소이며， X 는 1내지 2를 만족하는 실수)을 만족하는 11족 금속 칼코젠화합물이 매질에 혼재된 태양전지 광활성층용 복합입자이다.
-
公开(公告)号：WO2016010275A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/006417
申请日：2015-06-24
Applicant: 정선호
Inventor： 정선호
Abstract: 본 발명은 문자 자동 응답 서비스 제공 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 특히 본 발명은 각기업체 또는 정부기관이나 서비스 센터 등에서 운영하는 콜 센터를 통해 각종 서비스를 이동통신 단말기 사용자에게 제공할 때 인공지능데이터베이스를 구축하여 사용자 데이터베이스의 정보를 적절하게 이용하여 문자로 서비스 제공절차와 각종 정보를 제공함으로써 이동통신 단말기 사용자가 최종적으로 원하는 정보를 얻기까지의 시간과 비용을 줄일 수 있도록 하는 문자 자동 응답 서비스 제공 방법을 제공하는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及提供自动文本消息应答服务的方法。 更具体地，本发明提供了一种提供自动文本消息响应服务的方法，其构建人工智能数据库，并通过适当地使用用户数据库的信息来提供文本消息形式的服务提供过程和各种信息， 通过由每个商业实体或政府机构或服务中心操作的呼叫中心向移动通信终端的用户提供各种服务。 因此，该方法可以减少移动通信终端的用户的时间和成本，以最终获得用户想要的信息。
-
公开(公告)号：WO2015064932A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/009651
申请日：2014-10-15
Applicant: 정선호
Inventor： 정선호
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/26 , H01L49/00
Abstract: 본 발명은 기존의 밴드갭(Band Gap) 이론의 근거인 보어의 광자 발생론이 스펙트럼이 발생하는 원리를 바르게 설명하지 못하는 문제를 해결한 양성자-전자쌍 이론과 각궤도속도거리적(殼軌道速度距離積) 법칙을 원자가 스펙트럼을 발생하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법에 응용하여 종래의 기술보다 성능과 품질을 개선하고 제조원가를 절감하게 한 것이다.
Abstract translation: 本发明应用质子电子对理论和外壳轨道速度和半径乘积定律，通过这一理论，玻尔的光子发射理论是现有带隙理论的基础，不能 正确地解释了关于光谱发射的原理，解决了一种用于设计和制造用于允许原子发射光谱的机制的方法，从而与现有技术相比提高了性能和质量并降低了制造成本。
-
公开(公告)号：WO2011028011A2
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/KR2010/005898
申请日：2010-09-01
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막형 화합물 태양전지의 광 흡수층 물질인 CI(G)S(CuIn x Ga 1-x Se 2 0＜x≤1)의 나노입자를 저온 하에서 수계 반응하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 자세하게는 적어도 구리 화합물과, 카르복시산 유도체 또는 고분자전해질을 수계용매하에서 반응하여 착물을 형성하고, 제조된 용액에 인듐 화합물 및 셀레늄화합물에서 하나 이상 선택된 이종원소 화합물을 투입하여 저온 하에서 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 저온 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明是CI（G）的薄膜型化合物太阳能电池S的光吸收材料（的CuIn <子> X GA <子> 1-x 硒<子> 2 <0>
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR101690197B1
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020140103208
申请日：2014-08-11
Abstract: 본발명은꽃송이버섯의발효에적합하고, 단시간에적은비용으로꽃송이버섯의유용성분을증가시킬수 있는아스퍼질러스오리제()를이용하여발효전 꽃송이버섯추출물에비하여유리아미노산함량이증가된꽃송이버섯발효추출물을제조하는방법에관한것이다. 상기제조방법은발효전 꽃송이버섯추출물에비하여총 유리아미노산의함량을 1.1 내지 1.5배증가되고, 특히시스테인및 페닐알라닌의함량을 2 내지 5배증가된꽃송이버섯발효추출물을제조할수 있다. 아울러, 상기유리아미노산이증가된꽃송이버섯발효추출물은인체내 흡수가용이하여꽃송이버섯발효추출물을포함하는식품을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种与发酵前的Sparassis crispa提取物相比，具有增加的游离氨基酸含量的发酵Sparassis crispa提取物的方法，其中适用于Sparassis crispa发酵的米曲霉并能够增加Sparassis crispa的有用成分 使用低成本的短时间。 根据本发明的制备方法，制备的是一种发酵的Sparassis crispa提取物，其全部游离氨基酸含量增加1.1至1.5倍，特别是半胱氨酸和苯丙氨酸含量增加2至5倍。 在发酵前加入香菇提取物。 此外，具有增加的游离氨基酸含量的发酵Sparassis crispa提取物容易在人体内体内吸收并且预防或减轻诸如支气管炎，抑郁症，肥胖症，血液胆固醇，高血压等疾病以增强健康，从而使 为使用者提供健康的食物，包括发酵的Sparassis crispa提取物。
-
公开(公告)号：KR1020160019571A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140103208
申请日：2014-08-11
Abstract: 본발명은꽃송이버섯의발효에적합하고, 단시간에적은비용으로꽃송이버섯의유용성분을증가시킬수 있는아스퍼질러스오리제()를이용하여발효전 꽃송이버섯추출물에비하여유리아미노산함량이증가된꽃송이버섯발효추출물을제조하는방법에관한것이다. 상기제조방법은발효전 꽃송이버섯추출물에비하여총 유리아미노산의함량을 1.1 내지 1.5배증가되고, 특히시스테인및 페닐알라닌의함량을 2 내지 5배증가된꽃송이버섯발효추출물을제조할수 있다. 아울러, 상기유리아미노산이증가된꽃송이버섯발효추출물은인체내 흡수가용이하고, 기관지염, 우울증, 비만, 혈중콜레스테롤, 고혈압등의질환을예방또는개선하여건강을증진시킬수 있으므로, 꽃송이버섯발효추출물을포함하는건강식품을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种与发酵前的Sparassis crispa提取物相比，具有增加的游离氨基酸含量的发酵Sparassis crispa提取物的方法，其中适用于Sparassis crispa发酵的米曲霉并能够增加Sparassis crispa的有用成分 使用低成本的短时间。 根据本发明的制备方法，制备的是一种发酵的Sparassis crispa提取物，其全部游离氨基酸含量增加1.1至1.5倍，特别是半胱氨酸和苯丙氨酸含量增加2至5倍。 在发酵前加入香菇提取物。 此外，具有增加的游离氨基酸含量的发酵Sparassis crispa提取物容易在人体内体内吸收并且预防或减轻诸如支气管炎，抑郁症，肥胖症，血液胆固醇，高血压等疾病以增强健康，从而使 为使用者提供健康的食物，包括发酵的Sparassis crispa提取物。
-
公开(公告)号：KR101573452B1
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140007003
申请日：2014-01-21
Applicant: 정선호
Inventor： 정선호
Abstract: 기존의 LED 에서소모전력의 15%만빛이되고나머지 85%가열로낭비되는문제를분석한결과, 잘못된밴드갭 이론으로말미암아반도체혼합물인발광반도체에서빛이발생하는원리를잘못이해하여, 발광반도체에서빛이발생하도록하려면발광반도체에원자를첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로만들어 p-n junction 에서 p-type 반도체에있는정공(hole)과 n-type 반도체에있는전자가재결합할때 빛이발생한다고믿기때문에, 발광반도체외각에있는양성자-전자쌍이이온화되어전자가운동에너지를빛으로방사할때 n-type 과 p-type 반도체로만들기위해첨가한원자의외각에있는양성자-전자쌍까지함께이온화하여빛을발하지않고 p-n junction 을통과하는전자가열을발생하기때문이라는사실을발견하게되었다. 본발명은빛을방사하지않고열로손실되는전자가발생하지않도록발광반도체에원자를첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로만들지않고발광반도체의외각에있는양성자-전자쌍만을이온화시켜생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하도록하여, 한편으로는 LED 의발광효율을높이고다른한편으로는과다한열이발생함으로말미암아장시간사용하는경우빛이흐려지는것을방지한다. 발광반도체를 n-type 과 p-type 반도체로만들지않고발광반도체의외각에있는양성자-전자쌍만을이온화시켜생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하도록하는방법을수소가스등속에서수소원자가이온화되어생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하는과정이 LED 속에서아래에서술한방법에의해재현되도록한 것이다. 스펙트럼을발생시키고자하는발광반도체의밴드갭 에너지를근거로발광반도체의최 외각을구성하는양성자-전자쌍()의각궤도상에서회전하는전자의속도()와양성자까지의거리()를계산하는제 1 단계; 발광반도체의최 외각을구성하는양성자-전자쌍()의각궤도속도거리적()의정수() 배가되는위치에서의전자의속도()와양성자까지의거리() 및이온화전압()을계산하는제 2 단계; 발광반도체에서발생가능한스펙트럼의파장(λ), 속도(), 양성자이온()이전자이온()을잡을때 전자의위치(), 양성자()가잡은전자를끌고온 거리((-)) 및잡힌전자의속도()를계산하여표를작성하는제 3 단계; 발광반도체외각에있는양성자-전자쌍에서일정한파장(λ)의스펙트럼을발생하게하기위해양성자이온()이전자를잡아야하는위치() 및잡힐전자의속도()와잡힌전자가다시이온화되는위치()를표에서읽는제 4 단계; 음극에서양극으로끌려가는전자이온()의속도()가양성자이온()에게잡히는범위안에들도록 n-type 실리콘기판의두께와첨가원자의밀도, p-type 실리콘기판의두께와첨가원자의밀도, 발광반도체기판의두께, 음극과양극간의거리, 및양극에인가하는 DC 전압의크기를조정하는제 5 단계; 양성자이온()이전자이온()을잡은순간형성된양성자-전자쌍(←) 속에서전자()가양성자()에게끌려오다가각궤도속도거리적의배가되는위치에서이온화되도록플라스마구역내 정전기장분포를조정하여방사하는스펙트럼의파장이원하는파장이되게하는제 6 단계를포함한다. [색인어] 수소가스등(hydrogen gas lamp), 리드버그공식(Rydberg formula), 광자(photon), 스펙트럼(spectrum), 양성자-전자쌍(proton-electron pair), 원자의이온화전압, 양성자이온(proton ion), 전자이온(electron ion), 양성자이온이전자이온을잡은직후형성한양성자-전자쌍, 각궤도속도거리적법칙(The law of velocity distance prod
-
公开(公告)号：KR1020150086869A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140007003
申请日：2014-01-21
Applicant: 정선호
Inventor： 정선호
Abstract: 기존의 LED 에서소모전력의 15%만빛이되고나머지 85%가열로낭비되는문제를분석한결과, 잘못된밴드갭 이론으로말미암아반도체혼합물인발광반도체에서빛이발생하는원리를잘못이해하여, 발광반도체에서빛이발생하도록하려면발광반도체에원자를첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로만들어 p-n junction 에서 p-type 반도체에있는정공(hole)과 n-type 반도체에있는전자가재결합할때 빛이발생한다고믿기때문에, 발광반도체외각에있는양성자-전자쌍이이온화되어전자가운동에너지를빛으로방사할때 n-type 과 p-type 반도체로만들기위해첨가한원자의외각에있는양성자-전자쌍까지함께이온화하여빛을발하지않고 p-n junction 을통과하는전자가열을발생하기때문이라는사실을발견하게되었다. 본발명은빛을방사하지않고열로손실되는전자가발생하지않도록발광반도체에원자를첨가하여 n-type 과 p-type 반도체로만들지않고발광반도체의외각에있는양성자-전자쌍만을이온화시켜생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하도록하여, 한편으로는 LED 의발광효율을높이고다른한편으로는과다한열이발생함으로말미암아장시간사용하는경우빛이흐려지는것을방지한다. 발광반도체를 n-type 과 p-type 반도체로만들지않고발광반도체의외각에있는양성자-전자쌍만을이온화시켜생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하도록하는방법을수소가스등속에서수소원자가이온화되어생성된양성자이온()과전자이온()이빛을방사하는과정이 LED 속에서아래에서술한방법에의해재현되도록한 것이다. 스펙트럼을발생시키고자하는발광반도체의밴드갭 에너지를근거로발광반도체의최 외각을구성하는양성자-전자쌍()의각궤도상에서회전하는전자의속도()와양성자까지의거리()를계산하는제 1 단계; 발광반도체의최 외각을구성하는양성자-전자쌍()의각궤도속도거리적()의정수() 배가되는위치에서의전자의속도()와양성자까지의거리() 및이온화전압()을계산하는제 2 단계; 발광반도체에서발생가능한스펙트럼의파장(λ), 속도(), 양성자이온()이전자이온()을잡을때 전자의위치(), 양성자()가잡은전자를끌고온 거리((-)) 및잡힌전자의속도()를계산하여표를작성하는제 3 단계; 발광반도체외각에있는양성자-전자쌍에서일정한파장(λ)의스펙트럼을발생하게하기위해양성자이온()이전자를잡아야하는위치() 및잡힐전자의속도()와잡힌전자가다시이온화되는위치()를표에서읽는제 4 단계; 음극에서양극으로끌려가는전자이온()의속도()가양성자이온()에게잡히는범위안에들도록 n-type 실리콘기판의두께와첨가원자의밀도, p-type 실리콘기판의두께와첨가원자의밀도, 발광반도체기판의두께, 음극과양극간의거리, 및양극에인가하는 DC 전압의크기를조정하는제 5 단계; 양성자이온()이전자이온()을잡은순간형성된양성자-전자쌍(←) 속에서전자()가양성자()에게끌려오다가각궤도속도거리적의배가되는위치에서이온화되도록플라스마구역내 정전기장분포를조정하여방사하는스펙트럼의파장이원하는파장이되게하는제 6 단계를포함한다. [색인어] 수소가스등(hydrogen gas lamp), 리드버그공식(Rydberg formula), 광자(photon), 스펙트럼(spectrum), 양성자-전자쌍(proton-electron pair), 원자의이온화전압, 양성자이온(proton ion), 전자이온(electron ion), 양성자이온이전자이온을잡은직후형성한양성자-전자쌍, 각궤도속도거리적법칙(The law of velocity distance prod
Abstract translation: 本发明涉及一种减少LED散热的方法，包括：计算电子速度（v_1）和质子距离（r_1）的第一步骤; 计算电子速度（v_n），质子距离（r_n）和离子化电压（V_ion）的第二步骤; 计算电子的位置（r_j），拖曳质子（P ^ O）捕获的电子的距离（（j ^ 2-n ^ 2）r_1）的第三步骤，以及电子的速度（v_e） 捕获的电子; 读取质子离子（P ^ +）应该捕获电子的位置（r_j），要捕获的电子的速度（v_e）和捕获的电子再次被电离的位置（r_n）的第四步骤 一张桌子; 调整n型硅衬底的厚度和添加原子的密度的第五步骤，p型硅衬底的厚度和加入的原子的密度，发光半导体衬底的厚度，阳极之间的距离 和阴极，以及施加到阳极的直流电压的尺寸; 以及使发射光谱的波长为期望波长的第六步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
73
records
(took 0.025 seconds)
