-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022149680A1
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：PCT/KR2021/010071
申请日：2021-08-02
Applicant: 한국과학기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H04L29/06 , H04L12/753 , H04L12/741 , G06F21/55
Abstract: 안전한 개별분리 시스템을 위한 인터커넥트 설계 및 구현방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 개별분리 시스템을 위한 인터커넥트 설계 및 구현 방법은, 계층 기반의 토폴로지를 이용하여 개별분리 시스템을 위한 인터커넥트를 구성하는 단계; 및 상기 구성된 인터커넥트에 포함된 복수의 라우터를 통해 개별분리 시스템의 구성요소들을 관리하는 단계를 포함할 수 있다.
-
2.发明授权
公开(公告)号：KR101170095B1
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020100014787
申请日：2010-02-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 상압 저온 공정을 이용한 나노 구조 감마 망간 산화물 분말의 합성방법과 이를 이용한 리튬망간 산화물의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나노구조를 갖는 감마 MnO
2 분말을 상압에서 저온으로 감마상의 망간 산화물을 제조하는 단계, 상기 망간 산화물에 리튬염 및 금속염을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계, 상기 혼합물을 고상반응법(Solid-state reaction)에 의해 열처리하는 단계를 포함한다. 상기에서 합성된 리튬 망간 산화물의 화학식은 LiMn
2 O
4 이며 리튬 망간 금속 산화물의 화학식은 LiMxMn
(2-x) O
4 (0 본 발명은 비교적 저온에서 적절한 교반과 첨가제를 이용하여 감마상의 MnO
2 를 높은 순도와 최대 이론값에 가까운 높은 수율로 합성할 수 있다. 합성된 감마 MnO
2 는 대부분의 경우 나노 입자 형태로 성장이 되며 일부는 나노판이나 나노로드 형태로 성장될 수도 있다. 상기 공정은 리튬이온 이차 전지용 양극 활물질인 리튬 망간계 산화물의 원료가 될 수 있는 감마상의 MnO
2 를 100℃ 이하의 저온에서 나노 크기의 입자 형태로 대량 합성하는데 적합하다.-
公开(公告)号：KR20180062796A
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR20160162888
申请日：2016-12-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G06F12/14
CPC classification number: G06F21/52 , G06F21/577 , G06F2221/033
Abstract: 본발명은메모리힙(heap) 영역공격을회피하기위한메모리정렬랜덤화방법에관한것으로서, 더욱상세하게는소프트웨어메모리힙 영역의취약점공격(exploit)을차단하기위하여힙 내부객체들의메모리정렬(alignment)을랜덤하게형성시키는방법에관한것이다. 본발명에의하면, 힙내부객체들의메모리정렬(alignment)시, 메모리주소를워드사이즈의배수로부터정렬하는방식이아닌, 랜덤하게도출된주소로부터정렬하는방식을채택하여, 힙익스플로잇공격을강력하게방어하게된다.
-
4.发明公开
公开(公告)号：KR1020110095006A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014787
申请日：2010-02-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method for synthesizing nano-structure gamma manganese oxide powder using an atmospheric pressure and low temperature-based process and a method for manufacturing lithium manganese oxide using the same are provided to secure the high yield and the high purity by optimizing a stirring condition at low temperature. CONSTITUTION: A method for synthesizing nano-structure gamma manganese oxide powder implements low temperature reaction by mixing manganese salt with sulfur compound and distilled water. The manganese salt is one selected from a group including MnSO_4, Mn(NO_3)_2, Mn(CH_3COO)_2, (CH_3COO)_2Mn·4H_2O, and MnCl_2. The sulfur compound is the sulfur compound of one selected from (NH_4)_2S_2O_8 or Na_2S_2O_8. The reaction temperature is between 90 and 100 degrees Celsius, and the reaction time is between 12 and 24 hours.
Abstract translation: 目的：提供一种使用大气压和低温工艺合成纳米结构的γ-氧化锰粉末的方法和使用该方法制造锂锰氧化物的方法，以通过优化搅拌条件来确保高产率和高纯度 在低温下。 构成：合成纳米结构的γ-氧化锰粉末的方法是通过将锰盐与硫化合物和蒸馏水混合来实现低温反应。 锰盐选自MnSO 4，Mn（NO 3）2，Mn（CH 3 COO）2，（CH 3 COO）2 MnN·4H 2 O和MnCl 2中的一种。 硫化合物是选自（NH_4）_2S_2O_8或Na_2S_2O_8中的一种的硫化合物。 反应温度在90至100摄氏度之间，反应时间为12至24小时。
-
公开(公告)号：KR101890125B1
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：KR1020160162888
申请日：2016-12-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G06F12/14
CPC classification number: G06F21/52 , G06F21/577 , G06F2221/033
Abstract: 본발명은메모리힙(heap) 영역공격을회피하기위한메모리정렬랜덤화방법에관한것으로서, 더욱상세하게는소프트웨어메모리힙 영역의취약점공격(exploit)을차단하기위하여힙 내부객체들의메모리정렬(alignment)을랜덤하게형성시키는방법에관한것이다. 본발명에의하면, 힙내부객체들의메모리정렬(alignment)시, 메모리주소를워드사이즈의배수로부터정렬하는방식이아닌, 랜덤하게도출된주소로부터정렬하는방식을채택하여, 힙익스플로잇공격을강력하게방어하게된다.
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
