公开(公告)号：KR1019990050607A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069739

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김본기

IPC: H03F3/26

Abstract: 본 발명은 증폭기에 관한 것으로서, 상세하게는 입력신호의 반파(半波)를 증폭하는 능동소자와 상기 능동소자와 대응성(duality)을 가지며 입력신호의 나머지 반파를 증폭하는 반(反)능동소자로 이루어지는 보상(complementary)소자와, 상기 보상소자의 동작점을 설정하기 위한 바이어스 회로를 포함하여 구성되며, 상기 보상소자로 CMOS를 이용하는 경우에는 소스 공통형 구조를 사용하고, BJT를 이용하는 경우에는 에미터 공통형 구조를 사용하여 푸시풀(push-pull) 형태로 접속한 보상소자를 이용한 병렬 푸시풀 증폭기에 관한 것으로, 본 발명은 현재 사용되고 있는 소스 폴로어(source follower) 구조와 소스 공통형(common source) 구조의 증폭기의 단점을 보완하고 그 장점만을 취함으로써 고효율, 고선형성을 가지며 고주파에서도 충분한 전력 이득을 얻을 수 있는 전� � 증폭기의 제작을 가능하게 한다.

公开(公告)号：KR100287280B1

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1019970069739

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김본기

IPC: H03F3/26

Abstract: PURPOSE: A parallel push-pull amplifier using a complementary element is provided to obtain a large gain from a radio frequency by being operated as a class A or a class AB in a source common structure or an emitter common structure. CONSTITUTION: An active element(41) is used for amplifying a half-wave of an input signal. An anti-active element(42) has a duality to the active element(41). The anti-active element(42) is used for amplifying the remaining half-wave. A plurality of bias circuits(43,44) are used for setting up an operating point of the active element(41) and the anti-active element(42). The active element(41) and the anti-active element(42) represent a corresponding relationship such as an NMOS and a PMOS of a MOSFET or an NPN type and a PNP type of a BJT.