公开(公告)号：KR1019990012519A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019970035933

申请日：1997-07-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박정기 ,  김철환 ,  문성인

IPC: C08L33/12

Abstract: 본 발명은 메틸메타크릴레이트 및 말레산금속염이 공중합된 이오노머를 포함하는 고분자 전해질 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트 및 말레산금속염이 공중합되고, 이온 농도가 1 내지 8몰%인 이오노머 20 내지 25중량%; 가소제 65 내지 75중량%; 및, 리튬염 5 내지 10중량%를 포함한다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트 및 말레산을 공중합시키고 알칼리성의 금속염 용액으로 적정하여 이오노머를 합성하고, 가소제 및 리튬염과 혼합함으로써 간편하게 제조된다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 기계적 물성, 이온전도도 및 상용성이 우수하고 투명하여, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 수 있을 뿐만 아니라 전기변색소자로의 응용도 가능하다. 특히, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 경우, 충방전 효율이 우수하고 고분자 전해질과 부극활물질간의 계면 저항이 작은 전지가 제조된다.

公开(公告)号：KR101448084B1

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020080043644

申请日：2008-05-09

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  전남호 ,  유승협 ,  이형섭 ,  김철환 ,  이규환

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 화학 증착법으로 제작된 금속 산화물 활성층과, 상기 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극과, 적어도 상기 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막 및 적어도 그 일부가 상기 금속 산화물 활성층에 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같이 금속 산화물 박막을 화학 증착법으로 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 금속 산화물 박막 상에 오믹 접촉층을 형성하여 금속 산화물 박막의 막질 변화를 방지하고, 소스 및 드레인 전극과의 접촉 면저항을 줄일 수 있다.
금속 산화물, 활성층, 오믹 접촉층, 박막 트랜지스터, 전구체

公开(公告)号：KR1020100000560A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080060107

申请日：2008-06-25

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  김철환 ,  이규환 ,  이창재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method of manufacturing the same are provided to manufacture a thin film transistor having p-type and n-type metal oxide films by using the p-type and n-type metal oxide as an active layer of the thin film transistor. CONSTITUTION: A substrate is defined by a first area(A) and a second area. A first type thin film transistor is formed at a first area and has an N-type metal oxide active layer(130N). A second type thin film is formed on the second area and has a P- type metal oxide active layer(130P). The first type thin film transistor includes a first gate electrode(110N) having a part of overlapped with an N-type metal oxide active layer, and it also includes a first source and a drain electrode(150N,160N) having a part connected to the N type metal oxide active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用p型和n型金属氧化物作为薄层的有源层来制造具有p型和n型金属氧化物膜的薄膜晶体管 薄膜晶体管。 构成：衬底由第一区域（A）和第二区域限定。 第一类型薄膜晶体管形成在第一区域并具有N型金属氧化物活性层（130N）。 在第二区域上形成第二类型的薄膜，并具有P-型金属氧化物活性层（130P）。 第一型薄膜晶体管包括具有与N型金属氧化物有源层重叠的一部分的第一栅电极（110N），并且还包括第一源极和漏极（150N，160N），其部分连接到 N型金属氧化物活性层。

公开(公告)号：KR1020100000559A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080060106

申请日：2008-06-25

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  김철환 ,  이규환 ,  박종현

IPC: B32B15/00 ,  B32B15/01

CPC classification number: B32B15/01 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/202 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/16 ,  B32B2311/18 ,  B32B2311/20 ,  B32B2311/22 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive thin film and a manufacturing method thereof are provided to deposit a metal layer through an atomic layer deposition method and form a metal oxide layer through a chemical vapor deposition method, so as to form a transparent conductive thin film having high light transmission and low resistivity. CONSTITUTION: A transparent conductive thin film comprises one or more metal layers(210a) and one or more metal oxide layers(220a) laminated alternately with the metal layer. The metal layer uses one among Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Co, W, Ti, Cr, Mo, Cu, Ag, Au, Pt and their alloy. The metal layer is a transparent conductive thin film laminated to the atomic layer. In case the metal oxide layer uses one among Zn oxide, Sn oxide, In oxide, Cd oxide, Ga oxide, Al oxide and ITO, the metal layer uses one among Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, and their alloy.

Abstract translation: 目的：提供透明导电薄膜及其制造方法，通过原子层沉积法沉积金属层，并通过化学气相沉积法形成金属氧化物层，以形成具有高光的透明导电薄膜 传输和低电阻率。 构成：透明导电薄膜包括与金属层交替层压的一个或多个金属层（210a）和一个或多个金属氧化物层（220a）。 金属层使用Zn，Sn，In，Cd，Ga，Al，Ni，Fe，Co，W，Ti，Cr，Mo，Cu，Ag，Au，Pt及其合金中的一种。 金属层是层叠到原子层的透明导电薄膜。 在金属氧化物层使用Zn氧化物，Sn氧化物，In氧化物，Cd氧化物，Ga氧化物，Al氧化物和ITO中的一种的情况下，金属层使用Zn，Sn，In，Cd，Ga，Al中的一种及其合金 。

公开(公告)号：KR100214887B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019970035933

申请日：1997-07-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박정기 ,  김철환 ,  문성인

IPC: C08L33/12

Abstract: 본 발명은 메틸메타크릴레이트 및 말레산금속염이 공중합된 이오노머를 포함하는 고분자 전해질 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트 및 말레산금속염이 공중합되고, 이온 농도가 1내지 8몰%인 이오노머 20 내지 25중량%: 가소제 65 내지 75중량%: 및, 리튬염 5 내지 10중량%를 포함한다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트 및 말레산을 공중합시키고 알칼리성의 금속염 용액으로 적정하여 이오노머를 합성하고, 가소제 및 리튬염과 혼합함으로써 간편하게 제조된다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 기계적 물성, 이온전도도 및 상용성이 우수하고 투명하여, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 수 있을 뿐만 아니라 전기변색소자로의 응용도 가능하다. 특히, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 경우, 충방전 효율이 우수하고 고분자 전해질과 부극활물질간의 계면 저항이 작은 전지가 제조된다.

公开(公告)号：KR1019980061921A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019960081300

申请日：1996-12-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박정기 ,  김철환 ,  문성인

IPC: H01M10/05

Abstract: 본 발명은 메틸메타크릴레이트와 메타크릴산염이 공중합된 이오노머, 에틸렌카보네이트 및 리튬염을 포함하는 고분자 전해질 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트와 메타크릴산 금속염의 공중합체이고, 이온 농도는 1 내지 15몰%인 이오노머 20 내지 25중량%, 에틸렌카보네이트 67 내지 72중량% 및 리튬염 5 내지 10중량%를 포함한다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 메틸메타크릴레이트와 메타크릴산을 공중합시키고 알칼리성의 금속염 용액으로 적정하여 이오노머를 합성하고, 에틸렌카보네이트 및 리튬염을 혼합함으로써 간편하게 제조한다. 본 발명의 고분자 전해질 조성물은 기계적 물성, 이온전도도 및 상용성이 우수하고 투명하여, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 수 있을 뿐만 아니라 전기변색소자로의 응용도 가능하다. 특히, 리튬 고분자 이차전지의 전해질로 이용될 경우, 충방전 효율이 우수한 전지가 제조된다.

公开(公告)号：KR101537007B1

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：KR1020140029004

申请日：2014-03-12

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  전남호 ,  유승협 ,  이형섭 ,  김철환 ,  이규환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 화학증착법으로제작된금속산화물활성층과, 상기금속산화물활성층에적어도일부가중첩된게이트전극과, 적어도상기금속산화물활성층과게이트전극사이에마련된게이트절연막및 적어도그 일부가상기금속산화물활성층에접속된소스및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터와이의제조방법에관한것이다. 이와같이금속산화물박막을화학증착법으로제작하여공정을단순화시킬수 있고, 생산성향상은물론생산비용을절감시킬수 있으며, 금속산화물박막상에오믹접촉층을형성하여금속산화물박막의막질변화를방지하고, 소스및 드레인전극과의접촉면저항을줄일수 있다.

公开(公告)号：KR101456454B1

公开(公告)日：2014-11-03

申请号：KR1020080060107

申请日：2008-06-25

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  김철환 ,  이규환 ,  이창재

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 기판과, 상기 기판의 제 1 영역에 형성되어 N타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 1 타입의 박막 트랜지스터 및 상기 기판의 제 2 영역에 형성되어 P타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 2 타입의 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 N타입과 P타입의 금속 산화물 박막을 박막 트랜지스터의 활성층으로 각기 사용하여 N타입 동작 특성과 P타입 동작 특성을 갖는 박막 트랜지스터들을 단일 기판 상에 제작할 수 있고, 박막 트랜지스터들의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.
금속 산화물, 활성층, 박막 트랜지스터, N타입, P타입

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地涉及具有形成在衬底的第一区域中并具有N型金属氧化物活性层的第一类型薄膜晶体管的半导体器件， 以及形成在衬底的第二区域中并具有P型金属氧化物活性层的第二类型薄膜晶体管及其制造方法。 如上所述，根据本发明，通过分别使用N型和P型金属氧化物薄膜作为薄膜晶体管的有源层，可以在单个衬底上制造具有N型操作特性和P型操作特性的薄膜晶体管， 可以改进。

公开(公告)号：KR1020140044349A

公开(公告)日：2014-04-14

申请号：KR1020140029004

申请日：2014-03-12

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  전남호 ,  유승협 ,  이형섭 ,  김철환 ,  이규환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 화학증착법으로제작된금속산화물활성층과, 상기금속산화물활성층에적어도일부가중첩된게이트전극과, 적어도상기금속산화물활성층과게이트전극사이에마련된게이트절연막및 적어도그 일부가상기금속산화물활성층에접속된소스및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터와이의제조방법에관한것이다. 이와같이금속산화물박막을화학증착법으로제작하여공정을단순화시킬수 있고, 생산성향상은물론생산비용을절감시킬수 있으며, 금속산화물박막상에오믹접촉층을형성하여금속산화물박막의막질변화를방지하고, 소스및 드레인전극과의접촉면저항을줄일수 있다.

Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。 本发明涉及一种薄膜晶体管，它包括通过化学沉积方法制造的金属氧化物有源层，与至少一部分金属氧化物活性层重叠的栅极电极，栅极绝缘层 金属氧化物有源层和栅电极以及至少部分地连接到金属氧化物活性层的源电极和漏电极及其制造方法。 像这样，可以通过使用化学沉积法制造金属氧化物薄膜来简化工艺。 可以提高生产率，节省生产成本。 通过在金属氧化物薄膜上形成欧姆接触层可以防止金属氧化物薄膜的层质量的变化。 可以减小源极和漏极的接触片电阻。 （标号）（AA）Zn系前体; （BB）反应气体

公开(公告)号：KR1020090117543A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020080043644

申请日：2008-05-09

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 박재우 ,  전남호 ,  유승협 ,  이형섭 ,  김철환 ,  이규환

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/458

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to reduce a manufacturing cost and improve productivity using the metal oxide with high quality as an active layer without resetting a target. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a metal oxide active layer(230), a gate electrode(210), a gate insulation layer(220), a source electrode(250), and a drain electrode(260). The gate electrode is partially overlapped in a metal oxide active layer. The gate insulation layer is prepared between the metal oxide active layer and the gate electrode. The source and drain electrodes are partially connected to the metal oxide active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以降低制造成本，并且使用高质量的金属氧化物作为活性层提高生产率，而无需重置靶。 构成：薄膜晶体管包括金属氧化物活性层（230），栅电极（210），栅极绝缘层（220），源电极（250）和漏电极（260）。 栅电极在金属氧化物活性层中部分重叠。 在金属氧化物活性层和栅电极之间制备栅极绝缘层。 源极和漏极部分地连接到金属氧化物活性层。