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公开(公告)号：KR101475266B1
公开(公告)日：2014-12-23
申请号：KR1020130031902
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/26 , C01B32/186 , C23C14/024 , C23C14/025 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 본발명은그래핀층형성을위한기판및 방법에관한것으로서, 구체적으로는상부에형성되는그래핀층의특성을개선할수 있는구조를가지는그래핀층형성에사용되는기판및 이를이용한고품질그래핀층의형성방법에관한것이다. 본발명은기판층, 상기기판층의상부에위치하고그래핀층의형성에있어서촉매로서작용하는금속촉매층및 상기기판층과상기금속촉매층의중간에위치하여상기금속촉매층의응력을줄여주는응력감소층을포함하는것을특징으로하는그래핀층형성에사용되는기판을개시하며, 본발명에의하여금속박막의응력(stress)을줄여줄수 있는응력감소층을형성함으로써금속박막의결정성및 표면거칠기를개선할수 있고이를이용하여고품질의그래핀층을형성할수 있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150132816A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020150155949
申请日：2015-11-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/32 , C23C28/00
Abstract: 본발명은그래핀층형성을위한방법및 기판에관한것으로서, 구체적으로는고압의열처리를이용하는고품질그래핀층형성방법및 이를위한기판에관한것이다. 본발명은기판층의상부에반응방지층을형성하는단계; 상기반응방지층의상부에그래핀층을형성함에있어촉매로서작용하는금속촉매층을형성하는단계; 상기일련의층들을적층한기판에대하여고압의열처리공정을거치는단계; 및상기금속촉매층의상부에그래핀층을성장시키는단계를포함하는것을특징으로하는그래핀층형성방법을개시하며, 본발명에의하여그래핀층의성장공정에앞서기판에고압의열처리공정을가함으로써금속촉매층의결정성을개선하고그 조밀화(densification)를향상시키며, 금속촉매층에대하여큰 점착력(adhesion energy)을가지는물질을반응방지층으로사용하여금속촉매원자의이동(migration)을억제함으로써그래핀층형성에필요한고온의공정을거치더라도금속촉매층이우수한표면평탄도를유지할수 있게하여상기금속촉매층의상부에고품질의그래핀층을형성할수 있는효과를갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及用于形成石墨烯层的方法和基材，更具体地说，涉及一种使用高压退火形成高品质石墨烯层的方法及其基板。 根据本发明，形成石墨烯层的方法包括：在基材层的上部形成反应防止层的工序; 在反应防止层的上部形成石墨烯层时形成作为催化剂的金属催化剂层的工序; 在其上形成有所述一系列层的基板上进行高压退火处理的步骤; 以及在金属催化剂层的上部生长石墨烯层的步骤。 根据本发明，在石墨烯层形成工艺之前对基板进行高压退火处理，以改善金属催化剂层的结晶度和致密化。 使用对于金属催化剂层具有高附着能的材料作为反应防止层，以抑制金属催化剂原子的迁移，以便即使经历石墨烯层形成所需的高温处理形成之后也能保持金属催化剂层的优异的表面平坦度 金属催化剂层上部的高品质石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020140121137A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130037436
申请日：2013-04-05
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/02664 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L29/1606 , H01L45/1616
Abstract: 본 발명은 그래핀층 형성을 위한 방법 및 기판에 관한 것으로서, 구체적으로는 고압의 열처리를 이용하는 고품질 그래핀층 형성 방법 및 이를 위한 기판에 관한 것이다.
본 발명은 기판층의 상부에 반응방지층을 형성하는 단계; 상기 반응방지층의 상부에 그래핀층을 형성함에 있어 촉매로서 작용하는 금속촉매층을 형성하는 단계; 상기 일련의 층들을 적층한 기판에 대하여 고압의 열처리 공정을 거치는 단계; 및 상기 금속촉매층의 상부에 그래핀층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법을 개시하며, 본 발명에 의하여 그래핀층의 성장 공정에 앞서 기판에 고압의 열처리 공정을 가함으로써 금속촉매층의 결정성을 개선하고 그 조밀화(densification)를 향상시키며, 금속촉매층에 대하여 큰 점착력(adhesion energy)을 가지는 물질을 반응방지층으로 사용하여 금속 촉매 원자의 이동(migration)을 억제함으로써 그래핀층 형성에 필요한 고온의 공정을 거치더라도 금속촉매층이 우수한 표면 평탄도를 유지할 수 있게 하여 상기 금속촉매층의 상부에 고품질의 그래핀층을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯层和基材的方法，更具体地说，涉及使用高压退火和基材形成高质量石墨烯层的方法。 形成石墨烯层的方法包括：在基材层上形成反应防止层的步骤; 在反应防止层上形成石墨烯层的形成作为催化剂的金属催化剂层的工序; 在高压下层叠一系列层的基板退火的工序; 以及在金属催化剂层上生长石墨烯层的步骤。 本发明可以提高金属催化剂层的结晶性，并且可以在石墨烯层生长过程之前通过在高压下退火基板来改善致密化。 此外，本发明使得金属催化剂层尽管由于金属催化剂原子的迁移由于利用对金属催化剂具有很强的附着力的物质的限制而使得形成石墨烯层所需的高温处理也能保持优异的表面平坦度 层作为防反应层; 从而在金属催化剂层上形成高质量的石墨烯层。
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公开(公告)号：KR100907324B1
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020070108110
申请日：2007-10-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다.
중공 음극 소자, 플라즈마, 평판 램프, PDPAbstract translation: 技术领域本发明涉及一种通过使用空心阴极装置的结构有效地产生等离子体的装置。 根据本发明的等离子体生成装置中，以形成一中空的，所述前基板和所述后基板中的至少一个，并且所述第二金属电极之间形成在所述中空包括第一金属电极和包括在所述前基板的后基板， 等离子体可以使用等离子体产生的电场有效地产生。
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公开(公告)号：KR1020090042391A
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：KR1020070108110
申请日：2007-10-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: A micro plasma device with a hollow cathode structure is provided to implement an efficient operation by applying the hollow cathode device generating with an AC signal. A hollow(323) is formed at one of a front substrate and a backplane substrate while being installed on a discharge cell. The front substrate includes a first metal electrode(312), and the backplane substrate includes a second metal electrode(321). Plasma is generated by using an electric field formed on the hollow between a first and a second electrode and is controlled by the depth or diameter of the hollow.
Abstract translation: 提供具有中空阴极结构的微等离子体装置，以通过施加用AC信号产生的中空阴极装置来实现有效的操作。 在安装在放电单元上时，在前基板和背板基板中的一个上形成中空（323）。 前基板包括第一金属电极（312），并且背板基板包括第二金属电极（321）。 通过使用形成在第一和第二电极之间的中空部分上的电场来产生等离子体，并且通过中空部件的深度或直径进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140117721A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130031902
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/26 , C01B32/186 , C23C14/024 , C23C14/025 , Y10T428/30 , Y10T428/31678 , H01B5/14
Abstract: The present invention relates to a substrate and a method to form a graphene layer and, more specifically, to a substrate used in forming a graphene layer with a structure which can improve a property of the graphene layer formed in an upper part, and a method to form high quality graphene layer using the same. Disclosed is the substrate comprising: a substrate layer; a metal catalyst layer positioned on the upper part of the substrate layer acting as a catalyst in forming the graphene layer; and a stress decrease layer positioned on the middle in between the substrate layer and the metal catalyst layer to decrease the stress of the metal catalyst layer. The present invention forms the stress decrease layer which can decrease the stress of a metallic thin film, thereby improving crystallinity and surface roughness of the metallic thin film, and forming the high quality graphene layer using the same.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成石墨烯层的基板和方法，更具体地说，涉及一种用于形成具有可改善上部形成的石墨烯层的性能的结构的石墨烯层的基板，以及一种方法 以形成使用其的高品质石墨烯层。 公开了基板，其包括：基板层; 金属催化剂层，其位于用作形成石墨烯层的催化剂的基材层的上部; 以及位于基材层和金属催化剂层之间的中间的应力降低层，以降低金属催化剂层的应力。 本发明形成应力降低层，其可以降低金属薄膜的应力，从而提高金属薄膜的结晶度和表面粗糙度，并且使用它们形成高质量的石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020120116167A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：KR1020110033753
申请日：2011-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78684 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/1606 , H01L29/42372 , H01L29/7391 , H01L29/7781 , H01L29/78696 , H01L2924/13088
Abstract: PURPOSE: A graphene device having a physical gap is provided to maintain high electron mobility without the formation of a band gap on a grapheme. CONSTITUTION: A source and a drain are formed on a substrate. A graphene channel is formed on the substrate. A gate is formed on an insulating layer of an upper portion of the graphene channel. The drain is formed in order to be separated from the graphene channel. A laminating structure is formed by the insulating layer and the gate.
Abstract translation: 目的：提供具有物理间隙的石墨烯装置以保持高电子迁移率，而不会在图形上形成带隙。 构成：在衬底上形成源极和漏极。 石墨烯通道形成在基板上。 栅极形成在石墨烯通道的上部的绝缘层上。 形成漏极以便与石墨烯通道分离。 绝缘层和栅极形成层压结构。
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公开(公告)号：KR1020110089501A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100008936
申请日：2010-02-01
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: PURPOSE: A method of forming a graphene layer is provided to uniformly form a graphene layer on a metallic thin layer since an accurate amount of carbon ion depending on the maximum carbon solubility of the metallic thin layer is injected onto the metallic thin layer using an ion injector and then the injected carbon ion is thermally treated to form the graphene layer. CONSTITUTION: A method of forming a graphene layer comprises next steps. A metallic thin layer is formed on a substrate(S10). Carbon ion is injected onto the formed metallic thin layer(S20). The formed metallic thin layer is crystalized(S30). The crystallization is performed on the formed metallic thin layer through thermal treatment at a temperature of 800°C ~ 1000°C. The carbon ion injected onto the metallic thin layer is thermally treated to form a graphene layer on the metallic thin layer(S40).
Abstract translation: 目的：提供形成石墨烯层的方法以在金属薄层上均匀地形成石墨烯层，因为根据金属薄层的最大碳溶解度的精确量的碳离子注入到金属薄层上，使用离子 然后将注入的碳离子热处理以形成石墨烯层。 构成：形成石墨烯层的方法包括下面的步骤。 在基板上形成金属薄层（S10）。 将碳离子注入形成的金属薄层上（S20）。 形成的金属薄层结晶化（S30）。 通过在800℃〜1000℃的温度下进行热处理，在形成的金属薄层上进行结晶化。 注入到金属薄层上的碳离子被热处理以在金属薄层上形成石墨烯层（S40）。
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公开(公告)号：KR100924112B1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020090010526
申请日：2009-02-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다.
중공 음극 소자, 플라즈마, 평판 램프, PDP-
公开(公告)号：KR101687313B1
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020150155949
申请日：2015-11-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/32 , C23C28/00
Abstract: 본발명은그래핀층형성을위한방법및 기판에관한것으로서, 구체적으로는고압의열처리를이용하는고품질그래핀층형성방법및 이를위한기판에관한것이다. 본발명은기판층의상부에반응방지층을형성하는단계; 상기반응방지층의상부에그래핀층을형성함에있어촉매로서작용하는금속촉매층을형성하는단계; 상기일련의층들을적층한기판에대하여고압의열처리공정을거치는단계; 및상기금속촉매층의상부에그래핀층을성장시키는단계를포함하는것을특징으로하는그래핀층형성방법을개시하며, 본발명에의하여그래핀층의성장공정에앞서기판에고압의열처리공정을가함으로써금속촉매층의결정성을개선하고그 조밀화(densification)를향상시키며, 금속촉매층에대하여큰 점착력(adhesion energy)을가지는물질을반응방지층으로사용하여금속촉매원자의이동(migration)을억제함으로써그래핀층형성에필요한고온의공정을거치더라도금속촉매층이우수한표면평탄도를유지할수 있게하여상기금속촉매층의상부에고품질의그래핀층을형성할수 있는효과를갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及用于形成石墨烯层的方法和基材，更具体地说，涉及一种使用高压退火形成高品质石墨烯层的方法及其基板。 根据本发明，形成石墨烯层的方法包括：在基材层的上部形成反应防止层的工序; 在反应防止层的上部形成石墨烯层时形成作为催化剂的金属催化剂层的工序; 在其上形成有所述一系列层的基板上进行高压退火处理的步骤; 以及在金属催化剂层的上部生长石墨烯层的步骤。 根据本发明，在石墨烯层形成工艺之前对基板进行高压退火处理，以改善金属催化剂层的结晶度和致密化。 使用对于金属催化剂层具有高附着能的材料作为反应防止层，以抑制金属催化剂原子的迁移，以便即使经历石墨烯层形成所需的高温处理形成之后也能保持金属催化剂层的优异的表面平坦度 金属催化剂层上部的高品质石墨烯层。
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