公开(公告)号：KR102225458B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020190043168A

申请日：2019-04-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍승범 ,  박건

IPC: H01M4/1395 ,  G01N21/84 ,  G01Q80/00 ,  H01M4/04 ,  H01M10/052 ,  H01M12/08

CPC classification number: H01M4/1395 ,  G01N21/84 ,  G01Q80/00 ,  H01M10/052 ,  H01M12/08 ,  H01M4/045 ,  H01M2220/20 ,  Y02E60/10

Abstract: 본 발명은 미세 패턴 내에 증착된 리튬의 전착밀도 측정기술에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 AFM(Atomic Force Microscopy) 영상화 시스템 준비 단계; 금속 전극에 전착된 리튬의 탄성계수를 맵핑하는 단계; 및 상기 맵핑을 통해 금속 전극에 전착된 리튬의 전착밀도를 계산하는 단계;를 포함하는, 리튬 전극 물성 측정방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102225458B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020190043168

申请日：2019-04-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍승범 ,  박건

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  G01N21/84 ,  G01Q80/00 ,  H01M10/052 ,  H01M12/08

Abstract: 본발명은미세패턴내에증착된리튬의전착밀도측정기술에관한것으로서, 더욱자세하게는 AFM(Atomic Force Microscopy) 영상화시스템준비단계; 금속전극에전착된리튬의탄성계수를맵핑하는단계; 및상기맵핑을통해금속전극에전착된리튬의전착밀도를계산하는단계;를포함하는, 리튬전극물성측정방법에관한것이다.