公开(公告)号：WO2018074724A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：PCT/KR2017/009212

申请日：2017-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박병국 ,  백승헌 ,  박경웅

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 스핀 오핏 토크(SOT: Spin Orbit Torque) 효과 기반의 반도체 소자(1000)는, 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 연결된 제1 셀 및 제2 셀;을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 각각 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 전극의 면내에 인가된 전류가 각 셀의 임계전류값을 초과하는 경우 각각의 상기 자유 자성층의 자화 방향이 변경되고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 임계전류값은 서로 다른 것을 특징으로 한다.

Abstract translation:

本发明涉及，根据本发明的一个实施例的自旋扭矩ohpit所述的半导体装置：基于效应半导体器件的（SOT自旋力矩轨道）1000具有第一电极; 以及第一单元和第二单元，连接到第一电极，其中第一单元和第二单元分别设置在第一电极上，并且自由磁层和固定磁层 其中第一单元和第二单元被布置为使得当施加在第一电极的平面中的电流超过每个单元的阈值电流值时， 磁层的磁化方向改变，并且第一单元和第二单元的阈值电流值彼此不同。

公开(公告)号：KR102108399B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020190046436

申请日：2019-04-22

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박병국 ,  백승헌 ,  박경웅

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

公开(公告)号：KR101998268B1

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：KR1020160137412

申请日：2016-10-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박병국 ,  백승헌 ,  박경웅

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12