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公开(公告)号：KR100951552B1
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020070137063
申请日：2007-12-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01P5/18
Abstract: 듀플렉스(Duplex) 송수신 시스템이 구성되는 시스템 인 패키지의 패키지 기판에 내장되는 방향성 결합기는 외부로부터 유입되는 전자기파를 차단하고 신호선의 그라운드를 만들어 주기 위한 제1 그라운드 레이어, 상기 제1 그라운드 레이어 위에 적층되는 유전체층에 형성되는 폴디드 커플드 라인(folded coupled line) 형태의 제1 및 제2 신호라인들 및 상기 유전체층 위에 적층되어 외부로부터 유입되는 전자기파를 차단하고 신호선의 그라운드를 만들어 주기 위한 제2 그라운드 레이어를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020090069411A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070137063
申请日：2007-12-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01P5/18
Abstract: A directional coupler and a system-in-package of a duplex transceiver including the same are provided to reduce a size of a directional coupler by designing a first signal line and a second signal line into a folded coupled line shape. A directional coupler includes a first ground layer(20), a second ground layer(40), a first signal line, and a second signal line(70). The first ground layer blocks an external electromagnetic wave. The first signal line and the second signal line are formed on a dielectric layer(30) into a folded coupled shape. The dielectric layer is laminated on the first ground layer. The second ground layer is laminated on the dielectric layer in order to block the external electromagnetic wave. The first ground layer and the second ground layer form a ground for the first signal line and the second signal line. The first signal line and the second signal line are a strip transmission line.
Abstract translation: 提供了包括该双向收发器的定向耦合器和系统级封装，以通过将第一信号线和第二信号线设计成折叠耦合的线形来减小定向耦合器的尺寸。 定向耦合器包括第一接地层（20），第二接地层（40），第一信号线和第二信号线（70）。 第一接地层阻挡外部电磁波。 第一信号线和第二信号线形成在电介质层（30）上，形成折叠形状。 介电层层叠在第一接地层上。 第二接地层被层叠在电介质层上以阻挡外部电磁波。 第一接地层和第二接地层形成第一信号线和第二信号线的接地。 第一信号线和第二信号线是带状传输线。
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公开(公告)号：KR1020110006946A
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020090064592
申请日：2009-07-15
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: PURPOSE: A semiconductor chip with a low noise through-silicon-via and a stack package using the same are provided to protect a through-silicon-via from the noise existing on the silicon substrate. CONSTITUTION: A guard ring is formed by ion-injecting the impurity into a silicon substrate(21). The through-silicon-via passes through the guard ring and the silicon substrate. The guard ring is ion-injected with the n-type impurity or the p-type impurity. The guard ring has a bigger diameter than that of the through-silicon-via.
Abstract translation: 目的：提供具有低噪声穿硅通孔的半导体芯片和使用该芯片的堆叠封装，以保护硅硅通孔免受硅衬底上存在的噪声。 构成：通过将杂质离子注入硅衬底（21）中形成保护环。 穿硅通孔穿过保护环和硅衬底。 保护环用n型杂质或p型杂质离子注入。 保护环的直径大于通过硅通孔的直径。
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公开(公告)号：KR100986094B1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：KR1020080128951
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 듀얼 기울기 신호 발생 장치는 신호 상승부, 레벨 유지부 및 신호 하강부를 포함한다. 신호 상승부는 입력 신호를 수신하고, 입력 신호를, 제1 구간 동안 제1 기울기로 로우 레벨 및 하이 레벨의 중간 값인 중간 레벨까지 상승시키고, 제1 구간에 연속하는 제2 구간 동안 제1 기울기보다 큰 제2 기울기로 하이 레벨까지 상승시킨다. 레벨 유지부는 하이 레벨까지 상승된 입력 신호를, 제2 구간에 연속하는 제3 구간 동안 하이 레벨로 유지시킨다. 신호 하강부는 하이 레벨로 유지된 입력 신호를, 제3 구간에 연속하는 제4 구간 동안 제1 기울기로 중간 레벨까지 하강시키고, 제4 구간에 연속하는 제5 구간 동안 제2 기울기로 로우 레벨까지 하강시킨다. 따라서, 두 가지 기울기를 가진 신호를 발생할 수 있으므로, 저비용으로 한 가지 기울기를 가진 신호에 비해 신호 전달 특성은 손상시키지 않으면서 전자파 간섭은 감소시킬 수 있다.
신호 발생, 기울기, 아이 마진, 전자파-
公开(公告)号：KR100911766B1
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：KR1020070048958
申请日：2007-05-21
Abstract: 저전력 및 저복잡도로 구현되는 초광대역 임펄스 신호 수신기가 개시된다. 초광대역 임펄스 신호 수신기는 외부에서 초광대역 임펄스 신호를 수신하기 위한 초광대역 안테나, 수신된 초광대역 임펄스 신호를 대역 통과시키기 위한 대역 통과 필터, 대역 통과된 초광대역 임펄스 신호를 증폭시키기 위한 저잡음 증폭기, 증폭된 초광대역 임펄스 신호의 포락선을 검출하여 검파된 아날로그 신호를 출력하기 위한 포락선 검파기, 검파된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 트리거링 회로 및 변환된 디지털 신호를 신호처리부에서 인식 가능한 펄스 폭으로 조정하기 위한 디지털 논리회로를 포함한다. 본 발명은 임펄스 신호의 절대적 크기만으로 임펄스 신호를 검출하는 방법을 사용하고, 간단한 인버터 구조의 트리거링 회로를 사용하므로 수신기 구조를 간소화시킬 수 있으며 저전력으로 동작하게 할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100887638B1
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070087949
申请日：2007-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 시스템 인 패키지는 반도체 기판, 제1 다이, 고전도층 및 제2 다이를 포함한다. 반도체 기판은 상부면에 접지 패드를 구비한다. 제1 다이는 반도체 기판 위에 위치한다. 고전도층은 제1 다이 위에 위치하고, 와이어본딩에 의해 반도체 기판의 접지 패드에 연결된다. 제2 다이는 고전도층 위에 위치한다. 고전도층은 제1 다이 및 제2 다이 사이의 커플링 현상을 방지한다. 따라서 시스템 인 패키지 내 적층된 다이들 사이에서 발생하는 신호 간섭 및 적층된 다이들 사이의 노이즈 전달을 감소시킬 수 있다.
시스템 인 패키지, 다이, 전기전도율-
公开(公告)号：KR1020100070417A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080128951
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for generating signal with a dual slope are provided to reduce electromagnetic interference by generating the signal with a dual ascending slope and a dual descending slope. CONSTITUTION: A signal ascending unit(210) raises input signal to a middle level, which is the mid-point of a high level and a low level, with a first slope during a first phase. The signal ascending unit raises the input signal to the high level with a second slope, which is larger than the first slope, during a second phase. A level maintaining unit(250) maintains the input signal during a third phase. The signal descending unit(230) drops the input signal to the middle level with the first slope during a fourth phase. The signal descending unit drops the input signal to the low level with the second slope during a fifth phase.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生具有双斜率的信号的装置和方法，以通过以双上升斜率和双下降斜率产生信号来减小电磁干扰。 构成：在第一阶段期间，信号上升单元（210）将输入信号提升到具有第一斜率的中间电平，其是高电平和低电平的中点。 信号上升单元在第二阶段期间以大于第一斜率的第二斜率将输入信号提升到高电平。 电平维持单元（250）在第三阶段期间维持输入信号。 信号下降单元（230）在第四阶段期间以第一斜率将输入信号降低到中间电平。 信号下降单元在第五阶段期间以第二斜率将输入信号降低到低电平。
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公开(公告)号：KR1020080102448A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：KR1020070048958
申请日：2007-05-21
CPC classification number: H04L25/03 , H04B1/10 , H04B1/18 , H04B1/71637
Abstract: An ultra wideband impulse signal receiver and a triggering circuit recover the ultra wideband impulse signal to a digital signal by using the triggering circuit composed of an amplifier and an inverter. A low noise amplifier(130) is used for amplifying the ultra-wideband impulse signal received from the outside. An envelope detector(140) is used for outputting the detected analog signal by detecting the envelop of the amplified ultra-wideband impulse signal. An ultra wideband impulse signal receiver(100) includes a triggering circuit(150) converting the detected analog signal into the digital signal. An ultra wideband antenna(110) is used for receiving the ultra-wideband impulse signal from the outside.
Abstract translation: 超宽带脉冲信号接收器和触发电路通过使用由放大器和反相器组成的触发电路将超宽带脉冲信号恢复到数字信号。 低噪声放大器（130）用于放大从外部接收的超宽带脉冲信号。 包络检测器（140）用于通过检测放大的超宽带脉冲信号的包络来输出检测到的模拟信号。 超宽带脉冲信号接收器（100）包括将检测到的模拟信号转换成数字信号的触发电路（150）。 超宽带天线（110）用于从外部接收超宽带脉冲信号。
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公开(公告)号：KR101390877B1
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020090064592
申请日：2009-07-15
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 본 발명은 가드링과 관통실리콘비아가 이격됨에 따라 발생하는 잡음(Noise)을 감소시킬 수 있는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지를 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판 내에 서로 일정간격 이격되어 불순물의 이온주입에 의해 형성된 제1도전형 가드링과 제2도전형 가드링; 상기 제1도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제1관통실리콘비아; 및 상기 제2도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제2관통실리콘비아를 포함하고, 상술한 본 발명은 이온주입에 의해 형성된 가드링을 관통하도록 관통실리콘비아를 형성하므로써 관통실리콘비아로부터 실리콘기판으로 발생하는 잡음을 분리할 수 있고, 아울러 실리콘기판에 존재하는 잡음으로부터 관통실리콘비아를 보호할 수 있는 효과가 있다.
패키지, 관통실리콘비아, 가드링, 이온주입, 잡음, 반도체칩-
公开(公告)号：KR1020090022524A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087949
申请日：2007-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: A system in package of protecting noise transfer between stacked dies is provided to improve the electrical characteristic while implementing the miniaturization. A system in package(100) comprises a semiconductor substrate(110), the first die(130), the high conductive layer(150), and the second die(170). The semiconductor substrate has the grounding pad(112). The first die is arranged on the semiconductor substrate. The high conductive layer is located on the surface of the first die and is electrically connected with the grounding pad. The second die is arranged on the high conductive layer. The high conductive layer prevents the interference between the first and second dies. The high conductive layer is the same material as the first and second dies.
Abstract translation: 提供了一种在堆叠管芯之间保护噪声传递的封装体系，以在实现小型化的同时提高电气特性。 封装（100）中的系统包括半导体衬底（110），第一裸片（130），高导电层（150）和第二裸片（170）。 半导体衬底具有接地焊盘（112）。 第一管芯设置在半导体衬底上。 高导电层位于第一管芯的表面上并与接地垫电连接。 第二管芯设置在高导电层上。 高导电层防止第一和第二裸片之间的干涉。 高导电层是与第一和第二裸片相同的材料。
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