원심 캐스팅을 이용한 키틴 나노섬유 필름 제조 방법
    4.
    发明公开
    원심 캐스팅을 이용한 키틴 나노섬유 필름 제조 방법 审中-实审
    使用离心铸造制造薄膜纳米薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020170007153A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:KR1020160085761

    申请日:2016-07-06

    Abstract: 본발명은원심캐스팅을이용한키틴나노섬유필름제조방법에관한것으로, 보다상세하게는키틴(Chitin) 원료를단일용액공정으로용액화시켜키틴용액을생성하는단계; 상기생성된키틴용액을원심캐스팅(Centrifugal casting) 공정을통해용매휘발에의한자기조립형(EISA: Evaporation-induced self-assemly) 키틴나노섬유필름(Chitin nanofiber film)을생성하는단계; 및상기생성된키틴나노섬유필름을기설정된온도및 압력으로진공가압을하여캘린더링처리하는단계를포함하는키틴나노섬유필름의제조방법을제공하고자한다.

    광경화 투명 수지 조성물
    7.
    发明授权
    광경화 투명 수지 조성물 有权
    照片可固化透明树脂组合物

    公开(公告)号:KR101339772B1

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:KR1020110018179

    申请日:2011-02-28

    Inventor: 배병수 양승철

    Abstract: 본 발명은 솔-젤 반응에 의해 제조되는 광양이온 중합이 가능한 지환식 에폭시기를 가지는 올리고실록산 수지에 광경화를 촉진, 점도를 제어하고 물성을 개선하기 위한 옥세탄 모노머를 첨가한 광경화 투명 수지에 관한 것이다. 상기의 광양이온 중합이 가능하고 옥세탄 모노머가 첨가된 광경화 투명 수지는 높은 경화밀도, 우수한 기계적 특성, 열-기계적 특성, 전기적 특성을 지닌 경화물을 제공한다.

    광경화 투명 수지 조성물
    9.
    发明公开
    광경화 투명 수지 조성물 有权
    照片可变透明树脂组合物

    公开(公告)号:KR1020120101245A

    公开(公告)日:2012-09-13

    申请号:KR1020110018179

    申请日:2011-02-28

    Inventor: 배병수 양승철

    Abstract: PURPOSE: A photocurable transparent resin composition is provided to add an oxetane monomer to an oligosiloxane resin having an alicyclic epoxy group which can photo-polymerize photon ions. CONSTITUTION: A photocurable transparent resin composition comprises an oligosiloxane resin having a cycloaliphatic epoxy group having oligosiloxane resin, oxetane monomer, and cationic polymerization photoinitiator. The cycloaliphatic epoxy group is manufactured by hydrolytic or non-hydrolytic sol-gel reaction between alkoxysilane having aliphatic epoxy group, and alkoxysilane or silanol. The comprised amount of the oxetane monomer is 0.5-2.0 equivalent ratio is oligosiloxane resin based on oligosiloxane resin having the aliphatic epoxy group.

    Abstract translation: 目的:提供可光固化的透明树脂组合物以将氧杂环丁烷单体加入到具有可光聚合光子离子的脂环族环氧基的低聚硅氧烷树脂中。 构成:可光固化的透明树脂组合物包含具有低聚硅氧烷树脂,氧杂环丁烷单体和阳离子聚合光引发剂的环脂族环氧基的低聚硅氧烷树脂。 脂环族环氧基通过具有脂肪族环氧基的烷氧基硅烷和烷氧基硅烷或硅烷醇之间的水解或非水解溶胶 - 凝胶反应制造。 基于具有脂肪族环氧基的低聚硅氧烷树脂的低聚硅氧烷树脂,氧杂环丁烷单体的含量为0.5〜2.0当量比。

    박막트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
    10.
    发明公开
    박막트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물 有权
    用于制造金属氧化物半导体的解决方案组合物

    公开(公告)号:KR1020110119880A

    公开(公告)日:2011-11-03

    申请号:KR1020100039284

    申请日:2010-04-28

    Inventor: 배병수 황영환

    Abstract: PURPOSE: A solution composition for manufacturing a metal oxide semiconductor in a thin film transistor is provided to implement a thermal treating process at a relatively low temperature by including aluminum salt and metal acetylacetonate. CONSTITUTION: A solution composition for manufacturing a metal oxide semiconductor(55) includes aluminum salt, metal acetylacetonate, and a solvent. The solution composition is coated on a substrate, and a thermal treating process is implemented to form a metal oxide semiconductor. The temperature of the thermal treating process is between 100 and 500 degrees Celsius. A thin film transistor includes a gate substrate(10), the metal oxide semiconductor, a source electrode(40), and a drain electrode(45). The metal oxide semiconductor is overlapped with the gate substrate. The source electrode is in electric connection with the metal oxide semiconductor. The drain electrode faces the source electrode and is in electric connection with the metal oxide semiconductor.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造薄膜晶体管中的金属氧化物半导体的溶液组合物,其通过包括铝盐和乙酰丙酮酸金属在相对低的温度下进行热处理。 构成:用于制造金属氧化物半导体(55)的溶液组合物包括铝盐,金属乙酰丙酮化物和溶剂。 将溶液组合物涂布在基材上,实施热处理工艺以形成金属氧化物半导体。 热处理过程的温度在100到500摄氏度之间。 薄膜晶体管包括栅极基板(10),金属氧化物半导体,源极(40)和漏极(45)。 金属氧化物半导体与栅极基板重叠。 源电极与金属氧化物半导体电连接。 漏电极面对源电极并与金属氧化物半导体电连接。

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