公开(公告)号：KR100250628B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019960049982

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 전계익 ,  백재명 ,  김동욱 ,  홍성철

IPC: H03F1/32

CPC classification number: H03F1/3276

Abstract: PURPOSE: A circuit for controlling wave length form distortion of a gate terminal of a field effect transistor(FET) circuit for super high frequency is provided to improve the efficiency of power converting of a super high frequency circuit by controlling wave length form distortion in a gate terminal of the FET. CONSTITUTION: The includes a diode, the variable resistance and a capacitor. The negative electrode of the diode is connected to the gate terminal of the FET. The variable resistance varies the capacity of electricity failure of the diode. The capacitor is connected between the positive electrode and the ground of the diode. The capacity of electricity failure has the value of C0 over Vt and it has the value of C1 under Vp and the value of C1 is about one-tenth of the value of C0.

Abstract translation: 目的：提供用于控制用于超高频的场效应晶体管（FET）电路的栅极端子的波长变形的电路，以通过控制超高频电路中的波长形状失真来提高超高频电路的功率转换效率 FET的栅极端子。 构成：包括一个二极管，可变电阻和一个电容。 二极管的负极连接到FET的栅极端子。 可变电阻会改变二极管的电力故障容量。 电容器连接在正极和二极管的接地之间。 电力故障容量的Vt值为C0，Vp值为C1，C1值约为C0值的十分之一。

公开(公告)号：KR1019980030531A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049982

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 전계익 ,  백재명 ,  김동욱 ,  홍성철

IPC: H03F1/32

Abstract: 초고주파 증폭기나 발진기 등 비선형 동작을 하는 회로에서, 전계효과 트랜지스터의 게이트 정전용량에 따른 임피던스의 비선형성에 의하여 발생하는 파형의 왜곡을 제어하는 회로이다. 초고주파 FET 회로의 게이트 정전용량의 비선형성에 의한 효율의 저하를 제어하기 위하여 종래에 썼던 커패시터 등의 선형소자를 비선형소자인 다이오드로 대체하여, FET의 게이트단자에서의 파형 왜곡을 제어함으로써 초고주파 회로의 전력 변환 효율을 높일 수 있다.