公开(公告)号：KR102148007B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020180074718

申请日：2018-06-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이행기 ,  김선혁 ,  서준호 ,  윤현노 ,  박솔뫼

IPC: C04B28/02 ,  C04B18/14 ,  C04B14/06 ,  C04B14/02 ,  C04B22/00 ,  C04B14/48 ,  C04B40/00 ,  C04B103/30 ,  C04B111/34

公开(公告)号：KR101973717B1

公开(公告)日：2019-04-29

申请号：KR1020180035171

申请日：2018-03-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이행기 ,  서준호 ,  박솔뫼 ,  윤현노 ,  진동우 ,  류근우

IPC: C04B18/08 ,  C04B18/14 ,  C04B20/04 ,  C04B14/06 ,  C04B14/30 ,  C04B14/38 ,  C04B22/06 ,  C04B111/28

公开(公告)号：KR102260445B1

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：KR1020190060184

申请日：2019-05-22

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이행기 ,  서준호 ,  배상진 ,  장대익 ,  박솔뫼

IPC: C04B18/02 ,  C04B28/00 ,  C04B14/06 ,  C04B111/40

公开(公告)号：KR1020100130863A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020090049591

申请日：2009-06-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조병진 ,  서준호 ,  강병진

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/20

CPC classification number: C01B32/184 ,  H01L29/1606

Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphine layer for an electronic device is provided to uniformly form a large graphine layer with high quality by removing native oxide which is non-uniformly formed on the surface of silicon carbide. CONSTITUTION: An SiC substrate is wet-cleaned(S110). The SiC substrate is loaded on a reactor(S120). The reactor is vacuuminzed(S130). The SiC substrate is preheated(S140). SF6 gas is inputted(S150). The SiC substrate is thermally processed at a high temperature(S160). A graphine is formed on the SiC substrate(S170).

Abstract translation: 目的：提供一种形成电子器件的石墨层的方法，通过去除在碳化硅表面上不均匀形成的天然氧化物，均匀地形成高质量的大的石墨层。 构成：将SiC衬底湿式清洗（S110）。 将SiC衬底装载在反应器上（S120）。 将反应器真空化（S130）。 预热SiC基板（S140）。 输入SF6气体（S150）。 SiC衬底在高温下进行热处理（S160）。 在SiC衬底上形成石墨（S170）。