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公开(公告)号：KR20210029071A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020200044466A
申请日：2020-04-13
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: G11C16/24 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/32
Abstract: 본 기술에 의한 비휘발성 메모리 장치는 다수의 가중치를 저장하고 다수의 입력 신호에 따라 제어되는 다수의 비휘발성 메모리 소자 및 다수의 비휘발성 메모리 소자에 연결되는 비트라인을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 비트라인의 신호로부터 다수의 입력 신호에 대응하는 입력 벡터와 다수의 가중치에 대응하는 가중치 벡터의 내적에 대응하는 연산 신호를 출력하는 연산 출력 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR20210034172A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020190115719A
申请日：2019-09-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: G06N3/063 , G06F7/5443 , G06F7/523 , G06G7/16 , G11C11/4096 , G06N3/04
Abstract: 본 기술에 의한 반도체 장치는 쓰기 동작에 의해 다수의 제 1 아날로그 신호를 저장하는 다수의 단위 셀을 포함하고 읽기 동작에 의해 다수의 제 1 아날로그 신호에 대응하는 다수의 출력 신호를 제공하는 셀 어레이, 각각 다수의 출력 신호 중 어느 하나를 제공받으며 연산 동작 시 다수의 제 2 아날로그 신호에 의해 설정되는 다수의 단위 연산 회로를 포함하는 연산 회로; 및 쓰기 동작, 읽기 동작, 연산 동작 시 셀 어레이와 연산 회로를 제어하는 제어 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR20210029070A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020200037872A
申请日：2020-03-27
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: G11C16/24 , G11C16/0483 , G11C7/1006
Abstract: 본 기술에 의한 비휘발성 메모리 장치는 다수의 가중치를 저장하는 다수의 비휘발성 메모리 소자 및 다수의 입력 신호에 따라 다수의 비휘발성 메모리 소자에 연결되는 다수의 비트라인을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 다수의 입력 신호에 따라 다수의 비트라인에 유도되는 전압으로부터 연산 신호를 출력하는 연산 출력 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102243837B1
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：KR1020180154758
申请日：2018-12-04
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의실시예에따른기계학습연산에이용되는곱셈및 누산(MAC) 연산회로는, 일단이공급전압단에연결되는저항부; 상기저항부의타단과, 그라운드와연결된스위치사이에병렬연결되며, 제어부의제어신호에따른상기스위치의스위칭에따라, 기계학습용입력값에대응하는게이트신호를인가받아, 기계학습용가중치값이적용된전류신호를출력하는복수의단일 MOS 트랜지스터소자; 및상기저항부의타단노드에연결되어상기복수의단일 MOS 트랜지스터소자들의전류출력을누산하여출력하는출력노드를포함한다.
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