公开(公告)号：KR100265692B1

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019970030776

申请日：1997-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 손희수 ,  홍성철

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11B9/08 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  H01L21/28273 ,  Y10S977/947

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device using an atomic force microscope(AFM) and an operating method thereof are to enable a large amount of data to be stored in a smaller size. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(21) is formed to a predetermined thickness on a silicon substrate(22). A plurality of nano-crystals is formed carrying out an ion implantation of the first conductive materials. The nano-crystals have a predetermined size enough to capture electrons(34). In case where an electric field(31) is partially applied to a very small area, the electrons are captured into the nano-crystals of corresponding area to thereby store data. An AFM tip(12) for applying the electric field to the very small is positioned to a predetermined height. While the AFM tip is maintained at the predetermined height, the first logic voltage of less than a specific critical voltage is applied to the AFM tip. While the first logic voltage is maintained at the predetermined voltage level, a surface of the semiconductor device is scanned using the AFM tip. A height from the surface to the AFM tip is detected to identify a logic value of data stored by a position variation according to the applied voltage.

Abstract translation: 目的：使用原子力显微镜（AFM）的非易失性存储器件及其操作方法是使大量数据能够以较小的尺寸存储。 构成：在硅衬底（22）上形成预定厚度的氧化硅层（21）。 形成多个纳米晶体，进行第一导电材料的离子注入。 纳米晶体具有足以捕获电子的预定尺寸（34）。 在将电场（31）部分地施加到非常小的区域的情况下，电子被捕获到相应区域的纳米晶体中，从而存储数据。 用于将电场施加到非常小的AFM尖端（12）定位到预定高度。 当AFM尖端保持在预定高度时，小于特定临界电压的第一逻辑电压被施加到AFM尖端。 当第一逻辑电压保持在预定电压电平时，使用AFM尖端扫描半导体器件的表面。 检测从表面到AFM尖端的高度，以根据施加的电压来识别由位置变化存储的数据的逻辑值。

公开(公告)号：KR1019990008697A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970030776

申请日：1997-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 손희수 ,  홍성철

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 제공하고 그에 따라 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1 단계와, 제 1 과정을 통하여 소정의 높이를 유지하는 상태에서 AFM 팁에 특정 임계전압 이상의 전압을 걸어주어 AFM 팁 아래 의 특정부분에 전기적 필드를 형성되는 제 2 단계와, 제 2 단계를 통하여 형성된 전기적 필드에 의하여 실리콘 산화막 내부에 형성되어 있는 나노 크리스탈에 실리콘 기판으로부터 발생된 자유전자가 포획되는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나� �� 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 저장 방법을 제공한다.