公开(公告)号：KR101369368B1

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020130006672

申请日：2013-01-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안치원 ,  강일석 ,  박용규 ,  신영현

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/306

Abstract: The present invention relates to a high aspect ratio through structure metal filling method. More particularly, a dry etching and a wet etching are complexly used to manufacturing a high aspect ratio through structure in a single crystal silicon substrate. A step of depositing an etch step layer for stopping the wet etching to solve a problem that an etching height is not controlled in the wet etching is included. By forming a seed layer for plating by using a nanomaterial network, metal can be buried in a high aspect ratio through structure.

Abstract translation: 本发明涉及通过结构金属填充方法的高纵横比。 更具体地，在单晶硅衬底中通过结构制造高纵横比，复杂地使用干蚀刻和湿蚀刻。 包括沉积用于停止湿蚀刻的蚀刻步骤层以解决在湿蚀刻中不控制蚀刻高度的问题的步骤。 通过使用纳米材料网络形成用于电镀的种子层，可以通过结构将金属埋入高纵横比。

公开(公告)号：KR101458045B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130055108

申请日：2013-05-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유권재 ,  안치원 ,  강일석 ,  신영현

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명은 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 화학기상증착 장치의 석영 튜브 내에 구비되며, 두 개의 커버플레이트 사이가 실링부에 의해 밀폐되어 형성된 공간부 내부에 금속 박막이 증착된 기판이 구비되고, 실링부의 외주면 일정영역에 형성된 가스유입구 및 가스배출구를 통해 탄소 및 수소가스가 유동되도록 함으로써, 최소량의 가스를 정성적으로 제어할 수 있고, 고온에서 금속 박막의 증발이 방지되도록 하는 CVD 보조 장치에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于高质量和大尺寸石墨烯生长的化学气相沉积（CVD）辅助装置。 更具体地，CVD辅助装置布置在化学气相沉积装置的石英管中。 在其上沉积有薄金属板的基板设置在由两个盖板之间的密封部分形成的空白空间中。 碳氢气体流过形成在密封部分的外周侧的某一部分上的气体入口和气体出口。 因此，CVD辅助装置可以以最小量定性地控制气体，并且可以防止金属薄板在高温下的蒸发。