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公开(公告)号：KR1020170084860A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020160004228
申请日：2016-01-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04B10/2575
Abstract: 부성미분저항소자기반의광-마이크로파변환기, 및이를포함하는장치들이개시된다. 일실시예에따른광-마이크로파변환기는부성미분저항소자를포함하고, 발진하여마이크로파를생성하는발진기와, 상기발진기에접속되고, 광신호에기초하여상기광 신호에대응하는전기적신호를생성하는광 검출기를포함한다.
Abstract translation: 基于光的装置包括微波转换器的负微分电阻元件，它被公开。 根据实施例，微波转换器的示例性的光包括负微分电阻元件的光，并且振荡被连接到产生微波振荡器，振荡器，基于该光信号对应于该光信号的电信号 的检测器。
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公开(公告)号：KR101483373B1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020130129259
申请日：2013-10-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/88 , H01L21/328
Abstract: 커패시턴스를 조절하는 공명 터널링 다이오드, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 시스템이 개시된다. 일 실시 예에 따른 공명 터널링 다이오드는 상기 공명 터널링 다이오드의 전자를 생성하고, 상기 생성된 전자를 전송하는 채널 영역의 공핍 영역을 위한 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 위치하고, 상기 공명 터널링 다이오드의 커패시턴스를 조절하기 위한 커패시턴스 가변 전극을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了用于控制电容的谐振隧道二极管及其制造方法以及包括该谐振隧道二极管的系统。 根据实施例的谐振隧道二极管可以包括：用于产生谐振隧穿二极管的电子并传送所产生的电子的沟道区的耗尽区的缓冲层; 以及位于缓冲层上并用于控制谐振隧道二极管的电容的电容可变电极。
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公开(公告)号：KR101436076B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130034701
申请日：2013-03-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04N5/3577 , H01L27/14643 , H01L27/14825
Abstract: An image processor and a data processing method thereof are disclosed. Junction capacitance of a photo sensing element included in the image sensor can vary depending on a voltage of both ends of photo sensing element. The image processor according to an embodiment of the present invention can compensate for source data output by an image sensor by a capacity correction constant calculated by reflecting a change in the junction capacitance when a gate voltage of a transfer transistor connected to the photo sensing element varies.
Abstract translation: 公开了一种图像处理器及其数据处理方法。 包括在图像传感器中的感光元件的结电容可以根据光敏元件的两端的电压而变化。 根据本发明的实施例的图像处理器可以通过当连接到感光元件的传输晶体管的栅极电压变化时通过反映结电容的变化而计算的电容校正常数来补偿由图像传感器输出的源数据 。
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公开(公告)号：KR101415319B1
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120091506
申请日：2012-08-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04B1/04
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 무선 송신기는, 입력되는 입력 데이터에 대응되는 데이터 전압을 생성하는 온-오프 제어부; 상기 데이터 전압에 따른 부성 미분 저항 소자(negative differential conductance element)에 의해 온-오프(on-off)되고, 발진 주파수를 생성하는 발진부; 및 상기 발진 주파수를 출력하는 출력부를 구비한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的无线发射机包括：开关控制单元，其生成与输入数据相对应的数据电压; 振荡单元，其根据数据电压产生振荡频率并由负差分电导元件导通和截止; 以及输出单元，其输出振荡频率。 （NDR）负差动电导元件; （OFCU）开关控制单元; （OUTU）输出单元; （RST）谐振器
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公开(公告)号：KR101367184B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120072410
申请日：2012-07-03
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: CMOS 이미지 센서 및 그것의 동작방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예 따른 CMOS 이미지 센서의 동작 방법은 광 감지소자가 빛을 흡수하여 축적한 전하를 전달하는 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 광 감지소자가 빛을 흡수하여 전하를 축적하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제1 및 제2 전압이 될 수 있으며, 광 감지소자가 빛의 흡수를 종료하고 축적된 전하를 전달하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제3 전압이 될 수 있다. 제3 전압이 게이트에 인가된 전달 트랜지스터는 광 감지소자가 불완전 공핍도록 하여 광 감지소자가 전달 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 광 전자를 보유할 수 있다. 전달 트랜지스터의 게이트에 제1 및 제3 전압을 인가함에 따라 전달 트랜지스터를 통해서 전달되는 광 전자의 양에 대한 전달 트랜지스터의 문턱 전압의 영향은 서로 상쇄될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140004944A
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020120072410
申请日：2012-07-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N3/1568 , H04N5/361 , H04N5/365
Abstract: A CMOS image sensor and an operating method thereof are disclosed. The CMOS image sensor operating method according to the present invention is related to a method for adjusting a gate voltage of a transfer transistor which transfers accumulated charge by absorbing light using a light detecting device. According to an embodiment of the present invention, while the light detecting device is accumulating charge by absorbing light, the gate voltage of the transfer transistor can be a first voltage and a second voltage, and while the light detecting device finishes absorbing light and transfers the accumulated charge, the gate voltage of the transfer transistor can be a third voltage. When the third voltage is applied to the gate of the transfer transistor, the transfer transistor makes the light detecting device depleted incompletely, the light detecting device can hold photoelectrons according to the threshold voltage of the transfer transistor. As the first voltage and the third voltage are applied to the gate of the transfer transistor, the influence of the threshold voltage of the transfer transistor on the amount of photoelectrons can be canceled out. [Reference numerals] (AA) Voltage; (BB,CC) Time; (DD) T_INT1 section; (EE) T_INT2 section; (FF) T_RD section
Abstract translation: 公开了CMOS图像传感器及其操作方法。 根据本发明的CMOS图像传感器操作方法涉及一种用于调节通过使用光检测装置吸收光来传送累积电荷的转移晶体管的栅极电压的方法。 根据本发明的实施例，当光检测装置通过吸收光积累电荷时，转移晶体管的栅极电压可以是第一电压和第二电压，并且当光检测装置完成吸收光并将 累积电荷，转移晶体管的栅极电压可以是第三电压。 当第三电压施加到转移晶体管的栅极时，传输晶体管使得光检测装置不完全耗尽，光检测装置可以根据转移晶体管的阈值电压来保持光电子。 当第一电压和第三电压被施加到转移晶体管的栅极时，可以抵消转移晶体管的阈值电压对光电子量的影响。 （标号）（AA）电压; （BB，CC）时间; （DD）T_INT1部分; （EE）T_INT2部分; （FF）T_RD部分
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公开(公告)号：KR101083754B1
公开(公告)日：2011-11-18
申请号：KR1020100027430
申请日：2010-03-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03K19/0944 , H03K3/356
Abstract: CML(Current Mode Logic) 듀얼 에지 트리거 샘플링 회로는 출력 신호의 변화에 관계없이 일정한 전류를 흘리는 전류원부(current source unit), 상기 전류원부에 직렬로 연결되고 입력 신호에 따라 상기 전류원부에 의하여 흐르는 전류를 제어하는 트랜지스터부 및 상기 전류원부와 상기 트랜지스터부 사이에서 상기 출력 신호를 생성하는 출력 노드를 포함하는 입출력부 및 제1 클록 신호와 제2 클록 신호(상기 제2 클록 신호는 상기 제1 클록 신호의 반전 신호에 상응함)를 입력받아 상기 제1 및 제2 클록 신호들 각각의 제1 에지에서 상기 출력 신호에 대하여 샘플링 연산을 수행하는 RTD(Resonant Tunneling Diode) 네트워크부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110108118A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020100027432
申请日：2010-03-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03K19/0944 , H03K3/356
CPC classification number: H03K19/09432 , H03K3/00
Abstract: CML(Current Mode Logic) 듀얼 에지 트리거 샘플링 회로는 제1 전류원부, 입력 신호를 수신하여 상기 제1 전류원부로부터 출력되는 전류의 개폐를 제어하는 트랜지스터부, 출력 신호를 생성하는 출력 노드 및 상기 출력 신호의 변화에 관계없이 상기 출력 노드의 전류를 일정하게 흘리는 제2 전류원부를 포함하고, 상기 출력 노드는 상기 트랜지스터부와 상기 제2 전류원부 사이에 위치하는 입출력부 및 제1 클록 신호와 제2 클록 신호(상기 제2 클록 신호는 상기 제1 클록 신호의 반전 신호에 상응함)를 입력받아 상기 제1 및 제2 클록 신호들 각각의 제1 에지에서 출력 신호에 대하여 샘플링 연산을 수행하는 RTD(Resonant Tunneling Diode) 네트워크부를 포함한다.
Abstract translation: CML（电流型逻辑）双边缘触发采样电路输出节点和所述输出信号用于产生第一电流轻便摩托车，用于接收输入信号控制第一电流输出的来自第一电流助力车的打开和关闭，输出信号的晶体管段 其中输出节点包括位于晶体管单元和第二电流源之间的输入/输出单元以及用于输出第一时钟信号和第二时钟信号的第二时钟源， 共振（RTD隧道，用于接收（第二时钟信号也对应于所述第一时钟信号的反相信号）从所述每个第一和第二时钟信号中的所述第一边缘上的输出信号执行采样操作 二极管）网络部分。
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公开(公告)号：KR1020110108117A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020100027431
申请日：2010-03-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03K19/0944 , H03K3/356
CPC classification number: H03K19/09432 , H03K3/356
Abstract: CML(Current Mode Logic) 듀얼 에지 트리거 샘플링 회로는 전류원, 입력 신호를 수신하여 상기 전류원으로부터 출력되는 전류의 개폐를 제어하여 출력 신호의 변화에 관계없이 일정한 전류를 흘리는 제1 트랜지스터부, 상기 출력 신호를 생성하는 출력 노드, 상기 입력 신호를 수신하여 상기 출력 노드의 전류의 개폐를 제어하는 제2 트랜지스터부를 포함하고, 상기 출력 노드는 상기 제1 트랜지스터부와 상기 제2 트랜지스터부 사이에 위치하는 입출력부 및 상기 제1 트랜지스터부와 상기 제2 트랜지스터부 사이에서 상기 출력 신호를 생성하는 출력 노드를 포함하는 입출력부 및 제1 클록 신호와 제2 클록 신호(상기 제2 클록 신호는 상기 제1 클록 신호의 반전 신호에 상응함)를 입력받아 상기 제1 및 제2 클록 신호들 각각의 제1 에지에서 상기 출력 신호에 대하여 샘플링 연산을 수행하는 RTD(Resonant Tunneling Diode) 네트워크부를 포함한다.
Abstract translation: CML（电流型逻辑）双边缘触发采样电路是一个电流源，所述第一晶体管单元以接收输入信号来控制输出的电流从电流源供给的恒定电流的开闭而不管输出信号的变化，输出信号 以及第二晶体管单元，接收输入信号并控制输出节点的电流的断开和闭合，其中输出节点包括位于第一晶体管单元和第二晶体管单元之间的输入/输出单元， 一种输入/输出单元，包括用于在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间产生输出信号的输出节点以及用于反转第一时钟信号的第二时钟信号 信号）与第一和第二时钟信号中的每一个的第一边沿处的输出信号进行比较 以及用于执行采样操作的RTD（谐振隧道二极管）网络单元。
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公开(公告)号：KR100782430B1
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：KR1020060092255
申请日：2006-09-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/7783
Abstract: A GaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor) structure with an inner field-plate structure for high power applications is provided to reduce a gate leakage current and to implement a high breakdown voltage by interposing an inner electric field electrode between a gate electrode and a drain electrode. An aluminum gallium nitride(GaAlN) barrier layer(20) is formed on a gallium nitride(GaN) buffer layer(10). A source electrode(30) is located on the barrier layer. A drain electrode(40) is separated from the source electrode to be located on the barrier layer. A gate electrode(50) is separated from the source electrode and the drain electrode to be located on an upper surface of the barrier layer. A dielectric(60) is deposited on the upper surface of the barrier layer. An electric field electrode(70) is formed on the dielectric of an upper portion of the gate electrode. An inner electric field electrode(80) is formed in the dielectric to be separated from the gate electrode and the drain electrode. The inner electric field electrode is not overlapped with the electric field electrode.
Abstract translation: 提供具有用于高功率应用的内场板结构的GaN-HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，以减小栅极漏电流并通过在栅电极和栅电极之间插入内电场电极来实现高击穿电压 漏电极。 在氮化镓（GaN）缓冲层（10）上形成氮化铝镓（GaAlN）阻挡层（20）。 源电极（30）位于阻挡层上。 漏电极（40）与源极分离，位于阻挡层上。 栅电极（50）与源电极和漏电极分离，以位于阻挡层的上表面上。 电介质（60）沉积在阻挡层的上表面上。 在栅电极的上部的电介质上形成电场电极（70）。 在电介质中形成内部电场电极（80）以与栅电极和漏电极分离。 内部电场电极不与电场电极重叠。
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