公开(公告)号：WO2023287083A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/KR2022/009522

申请日：2022-07-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배현민 ,  오석환 ,  김명기 ,  김영민 ,  정구일

IPC: A61B8/08 ,  G16H50/20 ,  G06N3/08 ,  G16H30/40 ,  G06T7/00

Abstract: 적어도 하나의 프로세서에 의해 동작하는 이미징 장치의 동작 방법으로서, 조직에서 수득된 펄스-에코 데이터를 입력받는 단계, 그리고 상기 펄스-에코 데이터로부터 생성된 B-모드 이미지와, 상기 펄스-에코 데이터로부터 추출된 정량 스타일 특징의 상관 관계를 이용하여 목적 변수의 정량적 이미지를 출력하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：WO2023287084A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/KR2022/009523

申请日：2022-07-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배현민 ,  김명기 ,  오석환 ,  김영민 ,  정구일

IPC: A61B8/08 ,  G16H50/20 ,  G06N3/08 ,  G16H30/40 ,  G06T7/00

Abstract: 적어도 하나의 프로세서에 의해 동작하는 정량 정보 추출 장치의 동작 방법으로서, 조직으로 방사된 빔 패턴들에 따라 초음파 프로브의 센서들에서 수득된 펄스-에코 데이터를 입력받는 단계, 관심영역의 위치를 입력받는 단계, 그리고 입력으로부터 정량 정보를 추출하도록 학습된 신경망을 이용하여, 상기 펄스-에코 데이터로부터 상기 관심 영역의 정량 정보를 추출하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101602942B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는, 서로다른표면성질을나타내는제 1 영역과제 2 영역을가지는자기조립유도층상에블록공중합체층을형성하고상분리를시켜, 원기둥형태의제 1 패턴과눕혀진반원기둥형태의제 2 패턴을형성할수 있다. 상기제 1 영역과제 2 영역의선폭은포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭일수 있으며, 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴은각각제 1 영역과제 2 영역에서, 각각제 1 영역과제 2 영역의선폭보다작은선폭을가지도록형성될수 있다. 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴을식각마스크로이용하여원하는패턴을형성할수 있다. 이로써, 포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭보다작은선폭을가지는미세한패턴을형성할수 있다. 또한라인형태와섬 형태의패턴을동시에형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110037718A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/70433

Abstract: PURPOSE: A method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type are provided to form a pattern having a line narrower a minimum width in a photolithographic process by using a copolymers forming a cylinder type domain array. CONSTITUTION: In a method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type, a self-assembly guiding layer(6) including a first region and a second region is formed on a semiconductor substrate(1). A block copolymer layer is coated on the self-assembly guiding layer. A first pattern, a second pattern, and a third pattern are formed by dividing the block copolymer layer. At least one of a first to a third pattern is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种同时形成线型和岛型的图案的方法，以通过使用形成圆柱型畴阵列的共聚物在光刻工艺中形成具有窄最小宽度的线的图案。 构成：在同时形成线型和岛型图案的方法中，在半导体衬底（1）上形成包括第一区域和第二区域的自组装引导层（6）。 嵌段共聚物层涂覆在自组装引导层上。 通过分割嵌段共聚物层形成第一图案，第二图案和第三图案。 去除了第一至第三图案中的至少一个。