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公开(公告)号：WO2012150761A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/KR2012/001451
申请日：2012-02-27
CPC classification number: C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 그래핀의 제조 방법에 있어서, 촉매층이 증착된 기판을 챔버 내에 로딩한다. 상기 챔버 내에 탄소 소스 가스를 공급한다. 국부적 가열원을 이용하여 상기 촉매층의 제1 부분을 가열함으로써, 상기 촉매층의 상기 제1 부분에 탄소 성분을 고용시킨다. 상기 국부적 가열원을 이동시켜 상기 촉매층의 상기 제1 부분을 냉각시킴과 동시에 다른 위치의 제2 부분을 가열하여 상기 촉매층 상에 연속적인 열처리를 수행함으로써, 상기 촉매층 상에 상기 고용된 탄소 성분으로부터 석출된 그래핀층을 형성한다.
Abstract translation: 本发明的石墨烯的制造方法装载在室内，从其中蒸发出催化剂层的基板。 本发明提供了碳源气体到室内。 本发明使用局部加热源来加热催化剂层的第一部分，从而将碳成分溶解在催化剂层的第一部分中。 本发明移动局部加热源并冷却催化剂层的第一部分，同时加热不同位置的第二部分，从而在催化剂层上进行连续热处理，形成从 溶解的碳组分在催化剂层上。
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公开(公告)号：WO2012150763A2
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/KR2012/001860
申请日：2012-03-15
CPC classification number: C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 그래핀의 결정립의 크기를 증가시키는 그래핀 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 그래핀 제조 방법에서는, 전이금속으로 이루어진 촉매층이 형성된 기판을 챔버 내에 장입한 후, 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급한다. 상기 촉매층을 국부적으로 가열하되 가열 부위를 이동시키는 연속적인 열처리를 실시하여 상기 촉매층 안에 탄소 성분을 고용시킨 후 고용시킨 탄소 성분으로부터 상기 촉매층 표면에 그래핀을 석출시킨다.
Abstract translation: 提供了用于制造用于增加石墨烯的晶粒尺寸的石墨烯的方法。 在本发明的石墨烯的制造方法中，将由其上形成有过渡金属构成的催化剂层的基板装入室内，在室内部设置蒸气碳供给源。 催化剂层被局部加热，并且进行用于移动加热区域的连续热处理，使得碳成分溶解在催化剂层中，之后将石墨烯从溶解的碳成分提取到催化剂的表面 层。
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公开(公告)号：KR101332796B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120019489
申请日：2012-02-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C01B31/02 , B01J23/755 , H01L21/00
CPC classification number: C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 그래핀의 제조 방법에 있어서, 촉매층이 증착된 기판을 챔버 내에 로딩한다. 상기 챔버 내에 탄소 소스 가스를 공급한다. 국부적 가열원을 이용하여 상기 촉매층의 제1 부분을 가열함으로써, 상기 촉매층의 상기 제1 부분에 탄소 성분을 고용시킨다. 상기 국부적 가열원을 이동시켜 상기 촉매층의 상기 제1 부분을 냉각시킴과 동시에 다른 위치의 제2 부분을 가열하여 상기 촉매층 상에 연속적인 열처리를 수행함으로써, 상기 촉매층 상에 상기 고용된 탄소 성분으로부터 석출된 그래핀층을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120125155A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020120019489
申请日：2012-02-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C01B31/02 , B01J23/755 , H01L21/00
CPC classification number: C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/46 , B01J23/755 , H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of graphene and a manufacturing apparatus of graphene are provided to increase the grain boundary size of growing graphene by controlling the nucleation position of the graphene. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene includes the following steps: a substrate with a deposited catalytic layer is mounted in a chamber(S100); carbon source gas is supplied into the chamber(S110); a first part of the catalytic layer is heated to include carbon components(S120); the first part of the catalytic layer is cooled; a second part of the catalytic layer is heated while the first part of the catalytic layer is heated; and a graphene layer, which is extracted from the carbon components of the catalytic layer, is formed(S130). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Loading a catalytic layer deposited substrate into a chamber; (S110) Supplying carbon source gas into the chamber; (S120) Arranging carbon components in the first part of the catalytic layer by heating the first part of the catalytic layer; (S130) Forming a graphene layer from the carbon components by cooling the first part of the catalytic layer and heating the second part of the catalytic layer on the basis of the movement of local heating source
Abstract translation: 目的：提供石墨烯的制造方法和石墨烯的制造装置，以通过控制石墨烯的成核位置来增加生长石墨烯的晶界尺寸。 构成：石墨烯的制造方法包括以下步骤：将具有沉积催化剂层的基板安装在室中（S100）; 碳源气体供应到室中（S110）; 催化剂层的第一部分被加热以包括碳组分（S120）; 催化剂层的第一部分被冷却; 催化剂层的第二部分被加热，同时加热催化剂层的第一部分; 形成从催化剂层的碳成分提取的石墨烯层（S130）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）将催化剂层沉积的基板装载到室中; （S110）将碳源气体供入室内; （S120）通过加热催化剂层的第一部分来排列催化剂层的第一部分中的碳成分; （S130）通过冷却催化剂层的第一部分并基于局部加热源的移动来加热催化剂层的第二部分，从碳成分形成石墨烯层
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