-
公开(公告)号：WO2021107404A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/KR2020/014325
申请日：2020-10-20
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: G02B5/30 , G02B1/08 , C09K19/32 , H01L27/32 , G02F1/1335
Abstract: 본 발명에 따른 편광자는 화학식1의 디스코틱 액정분자 및 화학식2의 플로오레논 유도체를 포함하는 초분자구조체로 구성되며, 상기 초분자구조체는 복수의 디스코틱 액정분자와 플로오레논 유도체가 제1방향을 따라 서로 교대로 배열되어 장축을 형성하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] 여기서, R은 C 6H 11, C 6H 13 및 C 8H 17. [화학식 2] 여기서, 치환기 M과 N이 모두 NO 2, M은 H이고 N은 HO 2,또는 M과 M이 모두 H.
-
公开(公告)号：WO2012046896A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2010/006877
申请日：2010-10-07
IPC: G03F7/20 , B81B7/04 , G02F1/1337
CPC classification number: G02B1/10 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B1/118 , G02B3/0037 , G02F1/1313 , G02F1/133723 , G02F2001/294 , G03F7/0002 , G03F7/165
Abstract: 본 발명은 액정(liquid crystal)의 다양한 상(phase) 또는 결함(defect) 구조를 이용하여 마이크로 또는 나노 크기 패턴을 형성하는 방법 및 이러한 방법으로 제조된 마이크로렌즈 어레이(microlens arrays)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자기조립 가능 액정의 상 또는 결함을 규칙적인 구조로 형성시키고, 액정 배향에 따른 굴절률 변화 또는 표면 구조를 이용하여 광학 또는 연성 리소그래피를 위한 마스크로 활용할 수 있는 패턴 형성 방법 및 마이크로렌즈 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 액정분자의 상 또는 결함 구조를 이용한 패턴 형성 방법, 마이크로렌즈 어레이의 제조방법 및 연성 리소그래피 패턴 형성 방법은, 액정의 높은 유동성(mobility) 때문에 기존의 방식에 비하여 매우 빠르게 패턴을 형성하는 것이 가능하며, 제작공정이 간단하고 비용이 절감되는 장점이 있다. 한번 만들어진 액정 패턴은 반영구적으로 사용할 수 있다. 또한, 액정의 상 또는 결함을 외부 전기장 또는 자기장이나 액정분자층의 높이 등으로 간단하게 조절할 수 있기 때문에, 새로운 형태의 패턴으로 손쉽게 변화, 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한, 직접적인 관찰이 매우 어려운 액정의 내부구조 및 배향에 대한 정보를 전사시킴으로써, 그 내부구조 해석에 대한 새로운 기법을 제시할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用各种液晶相或缺陷结构形成微米或纳米尺度图案的方法，以及使用该方法制备的微透镜阵列的方法，更具体地说，涉及用于形成图案的方法和微透镜阵列，其可以是 用于形成用于自组装液晶相或缺陷的规则结构，并且其可以通过使用表面结构或从液晶取向的折射率变化而用作光学或软光刻的掩模。 根据使用液晶相或缺陷结构形成图案的方法，微透镜阵列的制造方法以及本发明的软光刻图案的形成方法，由于高的移动性，可以进行更快速的图案形成 液晶，制造工序简单，能够降低成本。 一旦制成，液晶图案可以半永久地使用。 由于可以通过外部电场，磁场或液晶分子层的高度容易地调节液晶相或缺陷，因此可能容易地改变和控制新图案。 此外，由于液晶的内部结构和取向非常难以直接观察，因此可以将其上的信息转录为用于解释所述内部结构的新技术。
-
公开(公告)号：WO2022049424A1
公开(公告)日：2022-03-10
申请号：PCT/IB2021/054499
申请日：2021-05-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02F1/1334 , C08J5/18 , G02F1/13
Abstract: 전기장 기법을 이용한 형태 가변형 마이크로 패턴화 고분자 촉각 소재의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기장 제어 시스템을 이용하여 액정 유기 고분자의 배향을 조절하고 고분자 필름 내에 규칙적인 마이크로 구조체의 배열을 갖는 결함 구조의 생성을 유도함으로써 형태 가변형 마이크로 패턴화 고분자 박막 및 촉각 소재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
-
-
公开(公告)号：KR20180046198A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR20160141159
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은나노입자조립체의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는기판상에복수개의가이드패턴을형성한다음, 가이드패턴사이에승화성액정초분자를배치하고, 승화성액정초분자를가열한다음, 스멕틱상으로냉각하여액정박막을형성하며, 형성된액정박막상에나노입자분산액을도포한다음, 액정상온도에서어닐링처리하는단계를포함하는나노입자조립체의제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법에따른나노입자조립체는액정박막의결함구조를이용하여주기적인배열이가능하고, 템플릿역할을하는액정박막은승화에의해제거되므로, 액정박막없이나노입자조립체만을수득할수 있으며, 나노입자조립체의배열, 간격등을용이하게조절할수 있다. 따라서, 본발명에서제조된나노입자조립체는나노전자소자와반도체발광소자를포함한광소자뿐만아니라, 환경관련소재에응용될수 있고, 특히반도체나노화합물의경우, 단일전자트랜지스터(SET) 소자뿐만아니라새로운광소자재료로사용될수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101683777B1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150082789
申请日：2015-06-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N15/11 , C07H21/00 , C09K19/00 , C01G5/00 , C01G7/00 , C01G9/02 , C08B15/00 , C08L5/08 , C12N7/00
Abstract: 본발명은나노구조체제작용 DNA 템플릿의제조방법및 이를이용한나노구조체의제작방법에관한것으로, 보다구체적으로는기판상에 DNA를함유하는용액을떨어뜨리는단계; 상기용액에일정한방향으로전단력을가하여 DNA를배향시키는단계; 및상기기판을건조하여일정한방향으로 DNA가배향된 DNA 템플릿을제작하는단계를포함하는 DNA 템플릿의제조방법및 상기 DNA 템플릿을배열한다음, 배열된기판사이로나노구조체의원료를주입하는단계를포함하는나노구조체의제작방법에대한것으로서, 본발명에따른 DNA 템플릿의제조방법및 나노구조체의제작방법은방법이매우간단하고대면적에서가능하여, 산업상이용가능성이뛰어나다.
-
公开(公告)号：KR101602942B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020090095268
申请日：2009-10-07
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는, 서로다른표면성질을나타내는제 1 영역과제 2 영역을가지는자기조립유도층상에블록공중합체층을형성하고상분리를시켜, 원기둥형태의제 1 패턴과눕혀진반원기둥형태의제 2 패턴을형성할수 있다. 상기제 1 영역과제 2 영역의선폭은포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭일수 있으며, 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴은각각제 1 영역과제 2 영역에서, 각각제 1 영역과제 2 영역의선폭보다작은선폭을가지도록형성될수 있다. 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴을식각마스크로이용하여원하는패턴을형성할수 있다. 이로써, 포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭보다작은선폭을가지는미세한패턴을형성할수 있다. 또한라인형태와섬 형태의패턴을동시에형성할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150070719A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：KR1020130157260
申请日：2013-12-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은마이크로-나노이중거침구조를포함하는초발수표면구조체및 그제조방법에관한것으로, 액정의자발적인자기조립현상을이용한마이크로-나노이중거침구조의초발수표면구조체의형성과정에단순한계면효과를이용하여특정패턴을형성하도록조립방향을제어하고, 대면적에서균일하게제어한계층적인구조체를자연현상을모방한초발수표면(hydrophobic surface)으로이용하는마이크로-나노이중거침구조를포함하는초발수표면구조체및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包含微纳米双重粗糙结构的超疏水表面结构及其制造方法，具体地涉及一种超疏水表面结构，其包括微纳米双重粗糙结构，其控制组装方向以形成特定图案 通过在使用液晶的自发自组装现象的疏水性表面结构的微纳米双重粗糙结构的形成工艺中使用简单的界面效应，并且使用在大面积上均匀控制的分层结构作为疏水表面 模仿自然现象及其制造方法。
-
公开(公告)号：KR1020110037718A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020090095268
申请日：2009-10-07
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/70433
Abstract: PURPOSE: A method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type are provided to form a pattern having a line narrower a minimum width in a photolithographic process by using a copolymers forming a cylinder type domain array. CONSTITUTION: In a method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type, a self-assembly guiding layer(6) including a first region and a second region is formed on a semiconductor substrate(1). A block copolymer layer is coated on the self-assembly guiding layer. A first pattern, a second pattern, and a third pattern are formed by dividing the block copolymer layer. At least one of a first to a third pattern is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种同时形成线型和岛型的图案的方法，以通过使用形成圆柱型畴阵列的共聚物在光刻工艺中形成具有窄最小宽度的线的图案。 构成：在同时形成线型和岛型图案的方法中，在半导体衬底（1）上形成包括第一区域和第二区域的自组装引导层（6）。 嵌段共聚物层涂覆在自组装引导层上。 通过分割嵌段共聚物层形成第一图案，第二图案和第三图案。 去除了第一至第三图案中的至少一个。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.026 seconds)
