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公开(公告)号：WO2023017874A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/KR2021/010750
申请日：2021-08-12
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 미생물 내 무기나노입자 함입량을 증가시켜 미생물 내 질소고정 반응이 향상되어 있는 무기나노입자-미생물 복합체을 이용한 암모니아 생산방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존의 고온 및 고압의 조건에서 암모니아를 생산하는 하버-보슈법에 비해 낮은 온도와 압력 조건에서 암모니아 생산이 가능하고, 기존 화학적 합성 과정에서 배출하는 이산화탄소의 배출 없이 친환경적인 방법으로 암모니아 생산이 가능한 바, 미래 에너지 자원으로서 무한한 잠재력을 가진 암모니아 생산을 위해 종래 기술에 대한 경쟁력 있는 대안이 될 수 있을 것이다.
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公开(公告)号：KR101708996B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150063207
申请日：2015-05-06
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은이방성나노구조체에새로운양이온교환방법을적용해, 나노구조체구조를유지하면서도두 가지의반도체물질이나노구조체에존재하는이종접합된이방성나노구조체의제조방법및 이에의한나노구조체에관한것이다. 본발명은 HSAB 이론과리간드를사용하여이방성나노구조체의구조를유지시키면서도반도체물질을양이온교환시켜이종나노구조체를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160131260A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：KR1020150063207
申请日：2015-05-06
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은이방성나노구조체에새로운양이온교환방법을적용해, 나노구조체구조를유지하면서도두 가지의반도체물질이나노구조체에존재하는이종접합된이방성나노구조체의제조방법및 이에의한나노구조체에관한것이다. 본발명은 HSAB 이론과리간드를사용하여이방성나노구조체의구조를유지시키면서도반도체물질을양이온교환시켜이종나노구조체를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101684052B1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150002741
申请日：2015-01-08
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은자기조립 2-D 구조체의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는캡핑된나노로드의말단을선택적으로에칭하는에칭제을이용하여자기조립 2-D 구조체를제조하는방법에관한것이다. 본발명의자기조립 2-D 나노구조체의제조방법을이용하여보다용이하게나노로드의말단-말단연결네트워크를가능하게할 수있으며, 나로로드를기재상의넓은구역에걸쳐균일하게분포시킬수 있다. 또한, 본발명의자기조립 2D 나노구조체의제조방법을이용하여나노로드네트워크밀도를제어할수 있다. 본발명의자기조립 2-D 나노구조체의제조방법을이용하여제조된자기조립 2-D 나노구조체는나노로드의특성은보존하면서높은전기전도성을나타낼수 있어, 효과적인수송층등으로서전기소자등에이용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备自组装2-D纳米结构的方法，更具体地说，涉及一种通过使用选择性蚀刻封端纳米棒末端的蚀刻剂制备自组装2-D纳米结构的方法。 通过本发明的方法，能够促进纳米棒的终端连接网络，并且可以将纳米棒均匀分布在基板上的大面积上。 此外，本方法允许控制纳米棒网络的密度。 通过本方法制备的自组装2-D纳米结构在保持纳米棒的特性的同时显示出高导电性，因此可有利地用作电气装置中作为输送层等。
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公开(公告)号：KR1020150142840A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140071181
申请日：2014-06-12
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0042 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합하여그래핀양자점에캡핑제를코팅한후, 소정의온도에서화합물반도체용액을일정한비율로투입하면서쉘을생성한코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법에관한것이다. 본발명은 (a) 그래핀양자점의표면에코팅되어그래핀양자점을유기용매에용해시킬수 있는액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합한후, 제1온도로가열하여상기그래핀양자점용액의용매를제거하고그래핀양자점을상기캡핑제로코팅하는단계; 및 (b) 추가로, 2족내지 6족원소들로구성되는화합물반도체용액을단위시간당소정의비율로투입하면서제2온도에서혼합시켜, 상기그래핀양자점의표면에상기화합물반도체로쉘을형성시키는단계를포함하는것을특징으로하는코어-쉘구조의그래핀양자점의제조방법을개시하며, 본발명에의하여, 액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합하여코팅한후, 화합물반도체용액을혼합시켜쉘을생성한코어-쉘구조의그래핀양자점을제조함으로써, 높은양자효율(quantum yield)과개선된용해성(solubility)을가질수 있으며, 나아가다양한종류의쉘 및리간드를포함하여코어-쉘구조를구성할수 있는코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법을구현하는효과를갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及核 - 壳结构中的石墨烯量子点及其制造方法，更具体地说，涉及具有通过将石墨烯量子点溶液与液体混合形成的壳的核 - 壳结构中的石墨烯量子点 封端剂，并用封端剂涂覆石墨烯量子点，然后在将化合物半导体溶液置于固定温度和比例下形成壳，并提供其制造方法。 公开了在核 - 壳结构中制造石墨烯量子点的方法，其包括以下步骤：（a）将石墨烯量子点溶液与涂覆在石墨烯量子点的表面上的液体封端剂混合，以便 能够将石墨烯量子点溶解在有机溶剂中，然后在第一温度下加热混合物，以从石墨烯量子点除去溶剂，并用封端剂涂布石墨烯量子点; 和（b）另外，在第二温度下以一定速率将第二组至第六组之间的元件组成的化合物半导体溶液以一定速率放置，以在第二温度下混合，从而在石墨烯量子点的表面上形成壳， 化合物半导体。 根据本发明，通过将石墨烯量子点溶液与液体封端剂混合并涂布石墨烯量子点，然后使用化合物半导体溶液形成壳体，制造核 - 壳结构中的石墨烯量子点， 从而具有高量子产率和改善的溶解性，此外，在能够构成包括各种壳和配体的核 - 壳结构的核 - 壳结构中实现石墨烯量子点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101576043B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140125561
申请日：2014-09-22
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비정질산화티타늄을양자점에얇은 shell 형태로도포함으로써가시광영역흡광과효율이증가된광촉매및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은비정질산화티타늄을양자점에얇은 shell 형태로도포함으로써가시광영역흡광과동시에효율이증가된광촉매를제공한다. 본발명의양자점표면에박막으로코팅된비정질산화티타늄은결함에의한 trap sites가오히려넓은반응사이트및 표면적을제공하여주기때문에반응효율을높일수 있다. 또한, 본발명의광촉매는양자점과산화티타늄이복합체로이루어져있어자외선과가시광선영역에서모두광촉매반응을효율적으로수행할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及在可见光吸收带中具有增强的消光性和通过在薄壳形式的量子点上施加无定形氧化钛的效率以及制造该光催化剂的方法。 本发明提供了通过将无定形二氧化钛施加在薄壳形式的量子点上，可见光吸收带中具有增强的消光性和效率的光催化剂。 以薄膜形式涂覆在量子点表面上的无定形氧化钛由于缺陷而由陷阱位置提供更宽的反应位点和表面积，从而提高反应效率。 此外，根据本发明的光催化剂包含在络合物中形成的量子点和氧化钛，从而在UV和可见光吸收带中有效地进行光催化反应。
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公开(公告)号：KR1020150085658A
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020140005577
申请日：2014-01-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G21/00 , C01B19/002 , C01P2004/24 , C30B29/46
Abstract: 본발명은전구체의느린주입, 전구체용액을형성하는 OA(Oleic acid)의과량첨가와희생물질의사용을통해셀레늄납나노시트를제조하거나셀레늄납나노결정의성장속도를제어하는방법에관한것이다. 본발명은전구체의느린주입과과잉의용매주입으로이방성의 PbSe 나노시트를제조할수 있으며, 또한, 본발명에서는나노핵및 시트성장속도가 종래방법에비해매우느리게진행되므로크기제어가용이하다. 본발명에서는희생물질을사용하여 PbSe 나노결정의성장속도를 00~00nm/min(0.1~0.01nm/min)로제어할수 있는데, 따라서, 본발명에의하면 PbSe 나노결정을분당 0.01nm 단위로정밀하게합성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及硒铅纳米片的制造方法，其通过缓慢注射前体，添加用于形成前体溶液的过量油酸并使用牺牲材料或硒铅纳米晶体的生长速度的控制方法，其中缓慢注射 的前体和过量的溶剂注入可以制造各向异性PbSe纳米片，从而与现有方法相比，可以减缓纳粒和纳米片的生长速度，并且容易控制尺寸。 因此，PbSe纳米晶体的生长速度控制在0.1〜0.01nm / min的范围内，从而精确地合成单位为0.01nm /分钟的PbSe纳米片。
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公开(公告)号：KR1020170080259A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191587
申请日：2015-12-31
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 본발명은, 장축과단축을갖는발광면을포함하는육면체형상의발광플레이를제공한다. 본발명의발광플레이트는작은반치폭을가지며, 발광플레이트를포함하는표시장치는고색순도의영상을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供的发光玩立方体形状的，包括发光面具有长轴和短轴。 本发明的发光板具有小的半值宽度，包括该发光板的显示设备可以被实现高色纯度的图像。
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公开(公告)号：KR1020160085570A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002741
申请日：2015-01-08
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82B3/0038 , B82B1/00
Abstract: 본발명은자기조립 2-D 구조체의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는캡핑된나노로드의말단을선택적으로에칭하는에칭제을이용하여자기조립 2-D 구조체를제조하는방법에관한것이다. 본발명의자기조립 2-D 나노구조체의제조방법을이용하여보다용이하게나노로드의말단-말단연결네트워크를가능하게할 수있으며, 나로로드를기재상의넓은구역에걸쳐균일하게분포시킬수 있다. 또한, 본발명의자기조립 2D 나노구조체의제조방법을이용하여나노로드네트워크밀도를제어할수 있다. 본발명의자기조립 2-D 나노구조체의제조방법을이용하여제조된자기조립 2-D 나노구조체는나노로드의특성은보존하면서높은전기전도성을나타낼수 있어, 효과적인수송층등으로서전기소자등에이용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备自组装2-D纳米结构的方法，更具体地说，涉及一种通过使用选择性蚀刻封端纳米棒末端的蚀刻剂制备自组装2-D纳米结构的方法。 通过本发明的方法，能够促进纳米棒的终端连接网络，并且可以将纳米棒均匀分布在基板上的大面积上。 此外，本方法允许控制纳米棒网络的密度。 通过本方法制备的自组装2-D纳米结构在保持纳米棒的特性的同时显示出高导电性，因此可有利地用作电气装置中作为输送层等。
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