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1.입자 성장된 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재,가스 센서 및 그 제조 방법 有权
Title translation: 使用晶粒生长金属氧化物材料半导体纳米结构的气体传感器和构件及其制造方法公开(公告)号:KR101559465B1
公开(公告)日:2015-10-13
申请号:KR1020130095118
申请日:2013-08-12
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은가스센서용부재, 이를이용한가스센서및 그제조방법에관한것으로서, 구체적으로는입자성장된나노입자를포함하여구성되는금속산화물반도체나노구조체를이용한가스센서용부재, 가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명은 (a) 복수의금속산화물반도체나노입자로구성되는나노구조체를형성하는단계; 및 (b) 상기나노구조체에광소결공정을거쳐상기금속산화물반도체나노입자를성장시키는단계를포함하며, 상기금속산화물반도체나노입자가상기광소결공정을거쳐성장됨으로인하여상기금속산화물반도체나노입자간에가스가드나들수 있는기공이형성되는것을특징으로하는, 금속산화물반도체나노구조체를이용한가스센서용부재제조방법을구성함으로써, 간단한검출과정을통하여극미량의가스를검출해낼 수있는높은감도특성을가지고, 다양한가스에대한검출이가능하도록우수한선택성을가지며, 센서기판에결착하여기계적안정성을가지는것과함께, 이를빠른시간내에대량으로생산할수 있는가스센서용부재, 가스센서및 그제조방법을개시하는효과를갖는다.
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2.가스 센서용 감지 재료, 이를 포함하는 가스 센서, 가스 센서용 감지 재료의 제조방법 및 상기 감지 재료를 이용한 가스 센서의 제조방법 审中-实审
Title translation: 用于气体传感器的传感材料,包含该传感器的气体传感器,用于气体传感器的传感材料的制备方法和使用传感材料的气体传感器的制备方法公开(公告)号:KR1020150066322A
公开(公告)日:2015-06-16
申请号:KR1020130151710
申请日:2013-12-06
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 가스센서용감지재료, 이를포함하는가스센서, 가스센서용감지재료의제조방법및 상기감지재료를이용한가스센서의제조방법을제시한다.
Abstract translation: 本发明提出了一种用于气体传感器的感测材料,包括该气体传感器的气体传感器,用于气体传感器的感测材料的制备方法以及使用感测材料的气体传感器的制备方法。 气体传感器包括具有传感材料的Ni3V2O8纳米结构可以改善感觉特征。 根据本发明,提供了包含Ni3V2O8纳米结构的传感材料; Ni3V2O8纳米结构可以具有纳米颗粒附着的纳米纤维的网络结构; 纳米纤维的平均直径可以为50nm至5000nm; Ni3V2O8纳米结构可能是多孔的; 并且Ni 3 V 2 O 8纳米结构具有可以根据特定气体的浓度和存在而改变的电阻值。
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3.금속 촉매의 전사 방법에 의해 결착된 라즈베리 중공 구조의 금속 산화물 소재, 그 제조방법 및 이를 이용한 고감도 센서 有权
Title translation: 具有通过金属催化剂的转移方法装饰的RASPBERRY中空结构的金属氧化物材料及其制造方法和包含其的超敏感传感器公开(公告)号:KR1020150051249A
公开(公告)日:2015-05-12
申请号:KR1020130131909
申请日:2013-11-01
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y15/00 , C01G19/02 , G01N27/26 , G01N27/407
Abstract: 금속촉매의전사방법에의해결착된라즈베리중공구조의금속산화물소재, 그제조방법및 이를이용한고감도센서가개시된다. 본발명의실시예들에따른유해환경가스및 질병진단을위한고감도센서감지소재는, 금속촉매를포함하는라즈베리형태의중공구조의금속산화물소재, 금속촉매를포함하는반구형구조의금속산화물소재, 파쇄된구 형상구조의금속산화물소재중에서적어도하나의금속산화물소재를포함할수 있다. 보다상세하게는본 발명의실시예들은금속산화물과결착되면화학적, 전자적민감화를나타낼수 있는나노크기의금속촉매를중공형금속산화물내부에매우균일하게전사시킴으로, 금속촉매가내부에포함되는라즈베리형태의중공구조금속산화물센서감지소재를제조하는것이다. 이러한금속산화물은열린구조및 고른나노촉매의결착으로내, 외부적으로가스의반응을도와고감도감지소재를제공할수 있다. 또한이런소재를이용함으로써, 향상된감도특성, 빠른반응속도와회복속도그리고선택성을높일수 있는고감도유해환경가스및 질병진단용날숨센서의응용이가능해질수 있다.
Abstract translation: 公开了具有通过金属催化剂的转移方法结合的覆盆子中空结构的金属氧化物材料,其制造方法和使用其的超灵敏传感器。 根据本发明实施例的用于检测有害环境气体和诊断疾病的超灵敏传感器的感测材料可以包括具有覆盆子型中空结构的金属氧化物材料中的至少一种金属氧化物材料,包括金属催化剂,金属 具有具有金属催化剂的半球形结构的氧化物材料和具有破碎的球形结构的金属氧化物结构。 更具体地,本发明的实施例通过均匀转移纳米尺寸的金属催化剂来制造具有包括金属催化剂的覆盆子型中空结构的金属氧化物传感器的感测材料,该纳米尺寸金属催化剂如果被结合到化学和电子敏化 金属氧化物,到中空金属氧化物的内部。 金属氧化物可以通过内部和外部的方式提供超灵敏感测材料,从而帮助气体与开放结构的反应和纳米催化剂的均匀的界限。 另外,通过使用该材料,可以实现用于检测有害环境气体和诊断疾病的超灵敏呼气传感器,其可以提高改善的灵敏度特性,快速的反应速度和恢复速度以及选择性。
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4.중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 그래핀의 복합체를 이용한 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법 有权
Title translation: 使用中空结构的金属氧化物半导体膜和石墨的复合材料的气体传感器构件及其制造方法公开(公告)号:KR1020140132454A
公开(公告)日:2014-11-18
申请号:KR1020130051611
申请日:2013-05-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/12 , G01N33/497
CPC classification number: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 그래핀을 포함하여 구성되는 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 하나 이상의 중공 구조 금속산화물 반도체 박막 및 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 결착하는 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재를 개시하며, 본 발명에 의하여 중공(hollow) 구조를 가지는 금속산화물 반도체 박막과 이에 결착하는 그래핀층의 복합체를 이용하여 가스 센서용 부재를 구성함으로써, 극미량의 가스도 검출해 낼 수 있는 고감도 특성, 보다 빠른 반응 속도 및 회복 속도를 가지며, 외부의 물리적 스트레스를 견딜 수 있는 기계적 안정성을 가지면서, 다양한 가스를 검출할 수 있는 선택성을 가지는 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법을 개시할 수 있는 효과를 갖는다.Abstract translation: 气体传感器部件及其制造方法技术领域本发明涉及气体传感器部件及其制造方法,具体涉及包括中空结构金属氧化物半导体膜和石墨烯的气体传感器部件及其制造方法。 公开了包括至少一个中空结构金属氧化物半导体膜的气体传感器构件和附着到中空结构金属氧化物半导体膜的石墨烯层。 根据本发明,通过使用中空结构金属氧化物半导体膜和附着在其上的石墨烯层的复合体形成气体传感器部件。 因此,公开了具有高灵敏度性质的气体传感器构件,用于检测痕量的气体,更快的反应速率和回收率,承受外部物理应力的机械稳定性和检测各种气体的选择性; 及其制造方法。
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5.중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 그래핀의 복합체를 이용한 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법 有权
Title translation: 使用中空球结构金属氧化物半导体膜和石墨烯的复合材料的气体传感器构件及其制造方法公开(公告)号:KR101598811B1
公开(公告)日:2016-03-14
申请号:KR1020130051611
申请日:2013-05-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/12 , G01N33/497
Abstract: 본발명은가스센서용부재및 그제조방법에관한것으로서, 구체적으로는중공구조금속산화물반도체박막과그래핀을포함하여구성되는가스센서용부재및 그제조방법에관한것이다. 본발명은하나이상의중공구조금속산화물반도체박막및 상기중공구조금속산화물반도체박막과결착하는그래핀층을포함하는것을특징으로하는가스센서용부재를개시하며, 본발명에의하여중공(hollow) 구조를가지는금속산화물반도체박막과이에결착하는그래핀층의복합체를이용하여가스센서용부재를구성함으로써, 극미량의가스도검출해낼 수있는고감도특성, 보다빠른반응속도및 회복속도를가지며, 외부의물리적스트레스를견딜수 있는기계적안정성을가지면서, 다양한가스를검출할수 있는선택성을가지는가스센서용부재및 그제조방법을개시할수 있는효과를갖는다.
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6.금속 촉매의 전사 방법에 의해 결착된 라즈베리 중공 구조의 금속 산화물 소재, 그 제조방법 및 이를 이용한 고감도 센서 有权
Title translation: 通过金属催化剂的转移方法装饰的具有覆盆子中空结构的金属氧化物材料以及用于制造相同和超灵敏传感器的方法公开(公告)号:KR101551539B1
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:KR1020130131909
申请日:2013-11-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 금속촉매의전사방법에의해결착된라즈베리중공구조의금속산화물소재, 그제조방법및 이를이용한고감도센서가개시된다. 본발명의실시예들에따른유해환경가스및 질병진단을위한고감도센서감지소재는, 금속촉매를포함하는라즈베리형태의중공구조의금속산화물소재, 금속촉매를포함하는반구형구조의금속산화물소재, 파쇄된구 형상구조의금속산화물소재중에서적어도하나의금속산화물소재를포함할수 있다. 보다상세하게는본 발명의실시예들은금속산화물과결착되면화학적, 전자적민감화를나타낼수 있는나노크기의금속촉매를중공형금속산화물내부에매우균일하게전사시킴으로, 금속촉매가내부에포함되는라즈베리형태의중공구조금속산화물센서감지소재를제조하는것이다. 이러한금속산화물은열린구조및 고른나노촉매의결착으로내, 외부적으로가스의반응을도와고감도감지소재를제공할수 있다. 또한이런소재를이용함으로써, 향상된감도특성, 빠른반응속도와회복속도그리고선택성을높일수 있는고감도유해환경가스및 질병진단용날숨센서의응용이가능해질수 있다.
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7.입자 성장된 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재,가스 센서 및 그 제조 방법 有权
Title translation: 使用晶粒生长金属氧化物材料半导体纳米结构的气体传感器及其构件及其制造方法公开(公告)号:KR1020150020331A
公开(公告)日:2015-02-26
申请号:KR1020130095118
申请日:2013-08-12
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 가스 센서용 부재, 이를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 입자 성장된 나노 입자를 포함하여 구성되는 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 (a) 복수의 금속산화물 반도체 나노 입자로 구성되는 나노 구조체를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 나노 구조체에 광소결 공정을 거쳐 상기 금속산화물 반도체 나노 입자를 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 금속산화물 반도체 나노 입자가 상기 광소결 공정을 거쳐 성장됨으로 인하여 상기 금속산화물 반도체 나노 입자 간에 가스가 드나들 수 있는 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법을 구성함으로써, 간단한 검출 과정을 통하여 극미량의 가스를 검출해 낼 수 있는 높은 감도 특성을 가지고, 다양한 가스에 대한 검출이 가능하도록 우수한 선택성을 가지며, 센서 기판에 결착하여 기계적 안정성을 가지는 것과 함께, 이를 빠른 시간 내에 대량으로 생산할 수 있는 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법을 개시하는 효과를 갖는다.Abstract translation: 本发明涉及一种气体传感器用构件,使用该构件的气体传感器及其制造方法。 更具体地,本发明涉及一种使用形成包括生长纳米颗粒的金属氧化物半导体纳米结构的气体传感器部件,气体传感器及其制造方法。 本发明涉及一种制造使用金属氧化物半导体纳米结构的气体传感器部件的方法,该方法包括以下步骤:(a)形成由多个金属氧化物半导体纳米颗粒形成的纳米结构; 和(b)通过光学烧结工艺在纳米结构上生长金属氧化物半导体纳米颗粒,其中由于金属氧化物半导体纳米颗粒生长而形成气体可以在金属氧化物半导体纳米颗粒之间进入和离开的气体口 通过光学烧结工艺,由于具有能够通过简单的检测处理检测无限量的气体的高灵敏度特性,具有优异的检测各种气体的选择性,通过附着在传感器基板上具有机械稳定性,并且大量生产部件 在短时间内用于气体传感器。
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