公开(公告)号：KR1020000018855A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980036658

申请日：1998-09-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조태희 ,  홍성철

IPC: H01L31/12

Abstract: PURPOSE: A photosensitive device using a quantum dot is provided to efficiently sense light vertically incident to a photosensitive device surface without an additional accompanying device. CONSTITUTION: A photosensitive device using a quantum dot comprises quantum a dot layer including at least one quantum dot, a light absorption layer including at least one quantum dot layer by alternatively forming an electric quantum dot layer and material whose band cap is different from that of the electric quantum dot layer, a conductive path layer for generating horizontal conduction, an impurity layer for supplying a carrier to the electric light absorption layer and scarcely supplying the carrier to the conductive path layer, and two and more detection electrode for horizontally conducting the carrier collected in a channel.

Abstract translation: 目的：提供使用量子点的感光装置，以有效地感测垂直入射到感光装置表面的光，而不需要额外的伴随装置。 构成：使用量子点的感光装置包括量子点，其包括至少一个量子点，通过交替形成电量子点层而包括至少一个量子点层的光吸收层，以及带帽与 电子量子点层，用于产生水平导电的导电路径层，用于向电光吸收层提供载体的杂质层，并且几乎不向导电路径层供应载体;以及两个或更多个水平导电载体的检测电极 收集在一个频道。

公开(公告)号：KR1019960029779A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019950000787

申请日：1995-01-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  조태희

IPC: G01N21/00

Abstract: 본 발명은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판; 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중 양자우물; 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층; 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 발명에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 강도높게 탐지할 수 있으며, 본 발명에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.

公开(公告)号：KR100289982B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019980036658

申请日：1998-09-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조태희 ,  홍성철

IPC: H01L31/12

Abstract: 본 발명은 양자섬(Quantum dot)을 이용한 광 감지소자의 구현시 별도의 부대장비 없이 광 감지소자면에 대해 수직으로 입사되는 빛을 효율적으로 감지할 수 있으며 상온에서도 동작 가능하도록 하기 위한 양자섬을 이용한 광 감지 디바이스의 구현방법과 광 감지소자 및 그에 따른 제조방법에 관한 것으로 특히, 이종의 물질간 접합이나 불순물 첨가에 의해 특정 방향으로 캐리어의 이송방향과 채널이 설정되고, 페르미 준위의 이동 제어에 의해 상기 채널의 형성여부가 결정될 수 있도록 구현되는 반도체 디바이스에 빛의 감지에 따른 흡수과정을 통해 그에 대응하는 전자를 방출하는 양자섬층을 채널의 주변 임의의 위치에 형성하되, 상기 양자섬층에서 빛 감지에 따른 방출전자가 상기 채널에 모이도록 구현하고, 상기 페르미 준위가 입사광이 없을 때 채� ��에 전자가 거의 없게 하는 에너지 레벨을 갖으면서 상기 양자섬층에 전자를 공급하여 가둘 수 있는 위치에 구비되도록 하는 구현방법과 그 방식에 의해 완성된 디바이스 및 해당 디바이스의 제조 방법을 제공하여 적외선 감지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.

公开(公告)号：KR100164283B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950000787

申请日：1995-01-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  조태희

IPC: G01N21/00

Abstract: 본 발명은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판; 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물; 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층; 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 발명에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 감도높게 탐지할 수 있으며, 본 발명에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.