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公开(公告)号：KR100850647B1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：KR1020060128966
申请日：2006-12-15
Applicant: 한국과학기술원
Inventor： 최시경
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 외부 식각에 의한 손상이 없는 자기조립을 통하여 강유전체 셀을 2차원으로 배열하여 제조하는 방법에 관한 것으로서, 강염기 용액 처리된 기판 상에 원자력힘 현미경(Atomic Force Microscope,AFM)을 이용하여 전기장을 인가하고, 강유전체 셀이 생성될 핵 생성 장소를 패터닝 한 후, 기판을 상전이 온도보다 낮은 온도에서 강유전체를 형성시키는 수열합성법을 진행시켜 강유전체 셀이 핵생성 장소가 패턴된 자리에서 자기조립되어 형성되는 단계를 포함한다.
강유전체 셀, 원자력힘 현미경, 상전이 온도, 수열합성법, 자기조립-
公开(公告)号：KR1020080085597A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020070027335
申请日：2007-03-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/66 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L22/34 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: A measuring system for PRAM fatigue using an atomic force microscpoe and homemade W heater tip and controlling method thereof are provided to perform fatigue test under the control of computer program to facilitate chalcogenide phase change substance. A measuring system for phase change random access memory(PRAM) fatigue comprises: a pulse generator(31) to generate repeating set/reset pulses; an atomic force microscope(AFM; 32) having a cell having a substance to cause phase change in response to the pulses; a parameter analyzer(33) to measure parameters according to the phase change of the cell; and a controller(34) to control the pulse generator, the AFM, and the parameter analyzer.
Abstract translation: 提供使用原子力显微镜和自制W加热器尖端的PRAM疲劳测量系统及其控制方法，以在计算机程序的控制下进行疲劳试验，以促进硫族化物相变物质。 用于相变随机存取存储器（PRAM）疲劳的测量系统包括：产生重复设置/复位脉冲的脉冲发生器（31）; 原子力显微镜（AFM; 32），其具有具有响应于脉冲的相变的物质的电池; 参数分析器（33），用于根据所述单元的相位变化来测量参数; 以及用于控制脉冲发生器，AFM和参数分析器的控制器（34）。
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公开(公告)号：KR100945251B1
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：KR1020070098242
申请日：2007-09-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C30B29/60 , C30B23/00 , C30B29/52 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명은 다양한 형태의 물질을 진공 시스템 내부에서 그 타겟부재의 온도, 상기 타겟부재에 가해지는 인가 전압, 펄스 폭, 타겟부재의 기화 후 전구체의 종류 등의 변수에 따라서 원하는 형태의 나노 구조로 변화가능한 형태 조절이 가능한 단결정 나노구조체 제작방법 및 단결정 나노구조체 제작장치에 관한 것이다.
본 발명의 나노 구조는 각각이 저장 매체의 단위로 사용될 수 있어, 고밀도의 저장 매체를 생산할 수 있고, 금속이나 반도체의 나노 사이즈에서 나타나는 특정한 전기적, 물리적 특성을 이용하여 다양한 디바이스의 소형화가 가능하다.
펄스 인가 증발 방법(Pulse induced evaporation method), 형태조절(morphology control), 단결정, 나노구조, 나노와이어, 나노튜브, 나노로드, 상변화 메모리, 칼코게나이드, 하니컴구조(honey-comb structure), 상하부 기판 근접방식-
公开(公告)号：KR100888469B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070027335
申请日：2007-03-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/66 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리(Phase-change Random Access Memory, PRAM)의 on/off(set/reset) 반복 동작에 의한 칼코게나이드(chalcogenide)계 PRAM 물질의 피로측정과 원인을 자동 규명하고 제어하는 상변화 메모리의 피로(fatigue) 측정 시스템, 그 제어방법 및 제어 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것으로서, 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator)와, 자체 제작된 텅스텐 히터 팁을 구비하고, 상기 펄스를 입력받아 PRAM의 칼코게나이드계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금셀(GST cell)에 상변화를 일으키는 원자 힘 현미경(AFM)과, 상기 Ge
2 Sb
2 Te
5 (GST) 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer)를 포함한다.
본 발명에 따르면, 상변화 메모리의 피로측정을 자동화할 수 있고, 셋/리셋 사이클에 따른 전기적, 기계적, 구조적 분석이 가능하여 피로원인의 규명과 피로영역의 2차적 분석을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
상변화 메모리, 칼코게나이드, 피로, Ge2Sb2Te5(GST), 원자 힘 현미경, 텅스텐 히터 팁-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000003198A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980024379
申请日：1998-06-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N29/00
CPC classification number: G01N29/42 , G01N29/2418 , G01N29/40 , G01N2291/015
Abstract: PURPOSE: An acoustic emission method is provided to evaluate photo-induced domain switching of a ferroelectric ceramics to be irradiating light. CONSTITUTION: A light, irradiated from a Xenon lamp(1), having energy beyond a band interval is concentrated on an entire ceramic test bar(4) through a waveguide(2) and a lens(3), switching a domain resulting from a space charge field formed by trapping photo-induced unbalanced electrons to a boundary. Elastic energy is temporarily emitted to result in acoustic emission. After sensing the acoustic emission through an acoustic emission sensor(5) and filtering it though a bandpass filter(7), it is amplified by a preamplifier(8) to be analyzed an AET 5500 system(10). An acoustic emission event having a peak amplitude beyond a threshold voltage is calculated to light irradiation time and then a generation rate of the event is counted, normally evaluating photo-induced domain switching activity and predicting a variation amount of photovoltaic current from a compensation loop between the generation rate and the variation rate. Moreover, it is possible to attain the energy to detected acoustic emission signals by an equation(energy=peak amplitude+duration time) and separate an acoustic emission signal by 180 degree and 90 degree. domain switching of ferroelectric ceramics having a tetragonal structure from two groups of a low energy zone and a high energy zone in distribution of the energy.
Abstract translation: 目的：提供一种声发射方法，用于评估铁电陶瓷的光诱导畴切换以照射光。 构成：从氙气灯（1）照射的能量超过带区间的光通过波导（2）和透镜（3）集中在整个陶瓷测试棒（4）上，切换由 通过将光致不平衡电子俘获到边界而形成的空间电荷场。 暂时发射弹性能量以产生声发射。 在通过声发射传感器（5）感测声发射并通过带通滤波器（7）对其进行滤波之后，由前置放大器（8）放大以分析AET 5500系统（10）。 计算具有超过阈值电压的峰值振幅的声发射事件以照射照射时间，然后对事件的产生速率进行计数，通常评估光诱导畴切换活动并预测光电流的变化量来自于 发生率和变化率。 此外，可以通过等式（能量=峰值振幅+持续时间）获得检测到的声发射信号的能量并将声发射信号分离180度和90度。 具有四方结构的铁电陶瓷的畴切换由两组低能区和能量分布中的高能区组成。
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公开(公告)号：KR1020090032761A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070098242
申请日：2007-09-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C30B29/60 , C30B23/00 , C30B29/52 , Y10T117/10
Abstract: An apparatus for manufacturing monocrystal nanostructure under the condition of low temperature within a short time is provided to realize miniaturization of various devices using specific electrical and physical properties shown in nano-sized metal or semiconductor. An apparatus for manufacturing monocrystal nanostructure comprises: a main chamber(100) connected to a vacuum unit(106); a base(138) wherein a target member and a heating unit are arranged(20); a holder(122), installed at some distance from the base, fixing a substrate to have a predetermined distance from the target member; a displacement unit adjusting an interval between the target member and the substrate by vertically displacing the holder; a cooling unit cooling the substrate; and a pulse voltage feeding unit applying pulse voltage to the target member.
Abstract translation: 提供了在短时间内在低温条件下制造单晶纳米结构的装置，以使用纳米尺寸金属或半导体中所示的特定电气和物理特性来实现各种器件的小型化。 一种用于制造单晶纳米结构的装置包括：连接到真空单元（106）的主室（100）; 其中设置有目标构件和加热单元的基座（138）（20）; 安装在与所述基座相距一定距离的保持器（122）上，将基板固定成与所述目标构件具有预定距离; 位移单元，通过垂直移动所述保持器来调整所述目标构件和所述基板之间的间隔; 冷却单元冷却基板; 以及向目标构件施加脉冲电压的脉冲电压馈送单元。
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公开(公告)号：KR1020080055520A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060128966
申请日：2006-12-15
Applicant: 한국과학기술원
Inventor： 최시경
IPC: H01L27/105
Abstract: A method for fabricating a ferroelectric cell using atomic force microscope lithography and hydrothermal epitaxy is provided to minimize the damage to a ferroelectric cell by forming a perovskite-type ferroelectric cell from a growth step by self-assembly. A local electric field is applied to the surface of a substrate(101) to form a patterned protrusion. The protrusion is etched to form a nucleus formation part(102). A ferroelectric cell(103) is formed from the nucleus formation part. The electric field can be applied by using an AFM(atomic force microscope) tip. The nucleus formation part can be formed by soaking the patterned substrate into a strong acid solution for 20-30 minutes.
Abstract translation: 提供使用原子力显微镜光刻和水热外延制造铁电体的方法，通过自组装从生长步骤形成钙钛矿型铁电体来最小化对铁电体的损伤。 将局部电场施加到基板（101）的表面以形成图案化突起。 突起被蚀刻以形成核形成部分（102）。 从核形成部形成铁电体（103）。 可以通过使用AFM（原子力显微镜）尖端来施加电场。 核形成部分可以通过将图案化基底浸入强酸溶液中20-30分钟来形成。
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公开(公告)号：KR100302324B1
公开(公告)日：2001-12-28
申请号：KR1019980024379
申请日：1998-06-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N29/00
Abstract: 본 발명은 음향방출(Acoustic Emission, AE)기법을 이용하여 빛조사중에 있는 강유전체 세라믹스의 광여기 분역 반전을 평가하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 크세논 램프(1)에서 나온 대역 간격 이상의 에너지를 갖는 빛을 도파관(2)과 렌즈(3)를 통하여 강유전체 세라믹 시편(4)에 집중시켜 광여기된 비평형 전자들이 입계에 트랩되어 형성된 공간전하전계에 의해 분역 반전이 일어나면서 일시적인 탄성 에너지의 방출에 의한 음향방출이 생기게 하고 이것을 음향방출 센서(5)를 통하여 감지하고 대역 여파기(7)를 통하여 거른 후 전치증폭기(8)에서 증폭하여 컴퓨터(9)와 연결된 AET 5500 시스템(10)에서 분석한 후 문턱 전압이상의 피크 높이를 갖는 음향방출 사건을 빛조사 시간에 대하여 계수한 다음에 음향방출 사건 발생율을 계산함으로써 광여기 분역 반전 활동도를 정성적으로 평가할 수 있으며 미리 결정된 음향방출 사건 발생율과 광압 전류 변화율 사이의 보정 곡선으로부터 광압 전류의 변화량을 � ��측할 수 있다.
또한 본 발명에 의해 검출된 음향방출 신호들에 대해서 에너지=피크 높이(dB) + 10log(지속시간(μs)의 식에 의해 에너지를 구하고 그 에너지의 분포에서 나타난 낮은 에너지 영역과 높은 에너지 영역의 두 그룹으로부터 정방정(Tetragonal) 구조를 갖는 강유전체 세라믹스의 180°와 90°분역 반전에 의한 음향방출 신호를 분리할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990065017A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000039
申请日：1998-01-05
IPC: H01L21/20
Abstract: 기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지(coherent)되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료 간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형(choerent elastic strain)이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조로 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다.
본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.
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