公开(公告)号：KR101599906B1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020140030830

申请日：2014-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 전덕영 ,  최지해 ,  김경목 ,  이동찬 ,  서민원

IPC: B82B3/00 ,  C09K11/02

Abstract: 본발명은알콕시곁사슬을도입한공액고분자전해질에의해표면개질된산화아연나노입자(ZnO NP; Nano Particle)의합성방법및 이를이용한고분자발광소자에관한것으로, ZnO NP의극성용매에대한분산안정성과광전소자의전자주입및 수송능력을향상시킬수 있는고분자발광소자를합성하는데있다. 보다상세하게는전자이동도특성을가지는 ZnO NP의표면을감싸기위해공액고분자전해질의구조에알콕시(alkoxy) 곁사슬을도입한후, 계면활성제가없는 ZnO NP을합성하는단계와, 전자주입장벽을낮춰주는공액고분자전해질(Conjugated Polyelectrolytes)을이용하여그 표면을개질하는단계와, 이를이용한고분자발광소자(Polymer Light-Emitting Diode;PLED)를제조하는단계로구성된다. 본발명의 ZnO NP는분산안정성과전자주입및 수송능력을향상시키는광전소자를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150108092A

公开(公告)日：2015-09-25

申请号：KR1020140030830

申请日：2014-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 전덕영 ,  최지해 ,  김경목 ,  이동찬 ,  서민원

IPC: B82B3/00 ,  C09K11/02

CPC classification number: B82B3/0095 ,  C09K11/04

Abstract: 본 발명은 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자(ZnO NP; Nano Particle)의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자에 관한 것으로, ZnO NP의 극성 용매에 대한 분산 안정성과 광전소자의 전자 주입 및 수송 능력을 향상시킬 수 있는 고분자 발광소자를 합성하는데 있다. 보다 상세하게는 전자 이동도 특성을 가지는 ZnO NP의 표면을 감싸기 위해 공액 고분자 전해질의 구조에 알콕시(alkoxy) 곁사슬을 도입한 후, 계면활성제가 없는 ZnO NP을 합성하는 단계와, 전자 주입 장벽을 낮춰주는 공액 고분자 전해질(Conjugated Polyelectrolytes)을 이용하여 그 표면을 개질하는 단계와, 이를 이용한 고분자 발광소자(Polymer Light-Emitting Diode;PLED)를 제조하는 단계로 구성된다.
본 발명의 ZnO NP는 분산 안정성과 전자 주입 및 수송 능력을 향상시키는 광전 소자를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种合成氧化锌（ZnO）纳米颗粒的方法，所述氧化锌（ZnO）纳米颗粒具有通过引入烷氧基侧链的共轭聚电解质改性的表面，以及使用该方法的聚合物发光器件。 本发明的目的是合成可以增加ZnO NPs相对于极性溶剂的分散稳定性的聚合物发光器件，并且还增强了用于注入和传输光电器件电子的能力。 更具体地说，合成氧化锌（ZnO）纳米颗粒的方法包括以下步骤：在将烷氧基侧链引入共轭聚电解质的结构之后，合成不含表面活性剂的ZnO NP，以覆盖具有电子迁移率特性的ZnO NPs的表面; 通过使用能够降低电子注入势垒的共轭聚电解质来改变ZnO NPs的表面; 并制造高分子发光二极管（PLED）。 本发明的ZnO NP可用于提供光电器件，其增加了用于注入和输送电子的色散稳定性能力。