산화아연 박막의 제조방법 및 이에 의한 산화아연 박막
    1.
    发明公开
    산화아연 박막의 제조방법 및 이에 의한 산화아연 박막 无效
    制备ZNO薄膜及其薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR1020150025580A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130103247

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 산화아연 박막의 제조방법 및 이에 의한 산화아연 박막에 관한 것으로, 아연 화합물, 플루오르 화합물 및 보론 화합물을 용매에 첨가하여 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 정전분무하여 기판 상에 박막을 증착시키는 단계; 및 상기 박막이 증착된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 산화아연 박막의 제조방법을 제공할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过其制造氧化锌薄膜和氧化锌薄膜的方法。 提供一种制造氧化锌薄膜的方法,包括以下步骤:将锌化合物,氟化合物和硼化合物加入到溶剂中以制造前体溶液; 通过静电喷涂前体溶液将薄膜沉积在基底上; 以及对沉积薄膜的基板进行热处理。

    정전분무법에 의하여 제조된 CZTS 박막 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    정전분무법에 의하여 제조된 CZTS 박막 및 그의 제조방법 有权
    静电喷雾制备的CZTS薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130116746A

    公开(公告)日:2013-10-24

    申请号:KR1020120039407

    申请日:2012-04-16

    Abstract: PURPOSE: A CZTS thin film manufactured by an electrostatic spray method and a method for manufacturing the same are provided to reduce manufacturing costs by performing a deposition process in a non-vacuum atmosphere. CONSTITUTION: A precursor solution is manufactured (S110). The precursor solution includes a copper source, a zinc source, a tin source, and a sulfur source. The precursor solution is sprayed on a substrate in a non-vacuum state by an electrostatic spray method. A thin film is deposited (S130). The thin film is annealed (S150). [Reference numerals] (S110) Precursor solution including a copper source, a zinc source, a tin source, and a sulfur source is produced; (S130) Precursor solution is sprayed on a substrate in a non-vacuum state by an electrostatic spray method to deposit a thin film; (S150) Thin film is annealed

    Abstract translation: 目的:提供通过静电喷雾法制造的CZTS薄膜及其制造方法,以通过在非真空气氛中进行沉积处理来降低制造成本。 构成:制造前体溶液(S110)。 前体溶液包括铜源,锌源,锡源和硫源。 通过静电喷雾法将前体溶液以非真空状态喷涂在基材上。 沉积薄膜(S130)。 薄膜退火(S150)。 (参考号)(S110)制造包含铜源,锌源,锡源和硫源的前体溶液; (S130)通过静电喷雾法将前体溶液以非真空状态喷涂在基板上以沉积薄膜; (S150)对薄膜进行退火

    산화아연 박막의 제조방법
    4.
    发明授权
    산화아연 박막의 제조방법 有权
    制备ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR101432682B1

    公开(公告)日:2014-08-25

    申请号:KR1020130011494

    申请日:2013-01-31

    Abstract: 본 발명은, 전기적 및 광학적 특성이 우수한 붕소 또는 탄탈럼이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 제조하는데 있어 정전분무법을 사용함으로서, 기존에 금속이 도핑된 산화아연 박막을 생성하는 공정에 비해 간단할 뿐만 아니라 낮은 저항도 및 높은 투과도를 지니는 산화아연 박막을 제공한다.

    산화아연 박막의 제조방법
    5.
    发明公开
    산화아연 박막의 제조방법 有权
    制备ZNO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR1020140098613A

    公开(公告)日:2014-08-08

    申请号:KR1020130011494

    申请日:2013-01-31

    Abstract: The present invention provides a method for manufacturing a zinc oxide thin film, which has high transmission and low resistance, which is simpler than an existing process of producing a metal-doped zinc oxide thin film, by using an electrostatic spray method in manufacturing a boron or tantalum-doped zinc oxide thin film with excellent electrical and optical properties.

    Abstract translation: 本发明提供一种制造氧化锌薄膜的方法,其具有高的透射率和低电阻,其比现有的制造金属掺杂的氧化锌薄膜的方法更简单,通过使用静电喷涂法制造硼 或钽掺杂的氧化锌薄膜具有优异的电气和光学性能。

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