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公开(公告)号：WO2021206261A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/KR2020/017098
申请日：2020-11-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 수직 방향으로 정렬된 나노패턴을 갖는 2차원 재료의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고가의 장비 없이 쉽고 빠르게 2차원 재료에 수직 방향으로 정렬된 나노패턴을 형성하기 위한 수직 방향으로 정렬된 나노패턴을 갖는 2차원 재료의 제조방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 a) 2차원 재료가 분산된 유기용매로 이루어진 혼합용액이 기판부 상에 위치되는 단계; b) 상기 혼합용액 상에 몰드부가 위치되는 단계; c) 모세관 현상에 의해 상기 혼합용액이 상기 몰드부의 내측으로 이동되는 단계; d) 내측에 상기 혼합용액이 위치된 상기 몰드부가 순차적으로 팽창 및 수축되어 상기 2차원 재료에 수직 방향으로 정렬된 나노 패턴이 형성되는 단계; 및 e) 상기 몰드부가 제거되고, 상기 수직 방향으로 정렬된 나노 패턴이 형성된 2차원 재료를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 방향으로 정렬된 나노패턴을 갖는 2차원 재료의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2019117360A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/KR2017/014724
申请日：2017-12-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시 예는 나노섬유에 대한 무전해 도금 공정을 축소시켜 나노섬유 제조 공정을 단순화시키고 제조 비용을 절감시킬 수 있는 나노섬유 무전해 도금 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 은 환원 효과를 이용한 나노섬유 무전해 도금 방법은, i) 유기환원용매, 금속염 및 탄소섬유전구체를 혼합하여 방사용액을 제조하는 단계; ii) 방사용액을 에이징 온도에서 에이징시키는 단계; iii) 방사용액을 전기방사하여 나노섬유를 형성하는 단계; iv) 나노섬유를 무전해 구리 도금 용액에 주입시켜 나노섬유에 대한 구리 도금을 수행하는 단계; 및 v) 도금된 나노섬유를 건조 온도에서 건조시키는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019117358A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/KR2017/014720
申请日：2017-12-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시 예 미세먼지 집진 및 감지 가능한 나노 및 마이크로구조 공기정화 장치는 하우징과, 상기 하우징 상부에 결합되고 회전축을 구비하는 동력부와, 상기 회전축에 결합되는 헤드부와, 상기 헤드부에 탈착 가능하게 결합되며, 나노섬유와 나노기공으로 구성되는 날개를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020210056463A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020190142149
申请日：2019-11-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , G03F7/00 , H01L29/06
Abstract: 본발명은나노포어칩의제조방법에있어서, 실리콘웨이퍼층, 상기실리콘웨이퍼층의양측에증착형성되는제 1 산화층및 제 2 산화층, 상기제 1 산화층및 상기제 2 산화층의노출된외측면에증착형성되는제 1 LSN박막층및 제 2 LSN박막층을포함하는증착웨이퍼를준비하는단계; 상기제 2 LSN박막층및 상기제 2 산화층을선택적으로식각하여하부윈도우및 절단경계가형성되는단계; 상기제 1 LSN박막층을선택적으로식각하여나노포어가형성되는단계; 상기실리콘웨이퍼층중 상기하부윈도우를통하여노출된제 1 영역및 상기절단경계를통하여노출된제 2 영역으로부터식각되어상부윈도우및 절단경계홈이형성되는단계; 상기제 1 산화층중 상기상부윈도우를통하여노출된제 3 영역으로부터식각되어상기상부윈도우의길이에대응되는상기제 1 산화층이제거되는단계; 및상기절단경계홈을따라커팅되어복수개의나노포어칩이형성되는단계; 를포함하는것을특징으로하는웨이퍼를이용한나노포어칩의제조방법에대한것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102201183B1
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：KR1020180159445
申请日：2018-12-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C04B41/00 , C04B35/56 , C04B35/622 , H01B1/06 , H01B5/00
Abstract: 본발명은수소플라즈마를활용한이차원물질의전기적특성회복방법및 이의장치에관한것으로, 더욱상세하게는 (a)단층또는수층의고체로원자들이소정의결정구조를이루고있는이차원물질을준비하는단계, (b)상기준비된이차원물질을필름형태의복합물질로구성된이차원물질의필름으로형성시키는단계, (c)상기형성된이차원물질의필름을상온에보관하는단계, (d)상기상온보관을통해산화된이차원물질의필름을사용하기위해상온상태의챔버내에배치시키는단계, (e)상기이차원물질의필름이배치된챔버내에수소가스를주입하는단계및 (f)상기주입된수소가스에노출된이차원물질의필름의전기적특성을산화되기이전의수준으로회복시키고, 표면작용기의변화를통해표면개질이되도록상기챔버내에플라즈마발생기를통해상온에서플라즈마를발생시켜상기이차원물질의필름을플라즈마처리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR102254034B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020190142149
申请日：2019-11-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , G03F7/00 , H01L29/06
Abstract: 본발명은나노포어칩의제조방법에있어서,실리콘웨이퍼층, 상기실리콘웨이퍼층의양측에증착형성되는제 1 산화층및 제 2 산화층, 상기제 1 산화층및 상기제 2 산화층의노출된외측면에증착형성되는제 1 LSN박막층및 제 2 LSN박막층을포함하는증착웨이퍼를준비하는단계; 상기제 2 LSN박막층및 상기제 2 산화층을선택적으로식각하여하부윈도우및 절단경계가형성되는단계; 상기제 1 LSN박막층을선택적으로식각하여나노포어가형성되는단계; 상기실리콘웨이퍼층중 상기하부윈도우를통하여노출된제 1 영역및 상기절단경계를통하여노출된제 2 영역으로부터식각되어상부윈도우및 절단경계홈이형성되는단계; 상기제 1 산화층중 상기상부윈도우를통하여노출된제 3 영역으로부터식각되어상기상부윈도우의길이에대응되는상기제 1 산화층이제거되는단계; 및상기절단경계홈을따라커팅되어복수개의나노포어칩이형성되는단계; 를포함하는것을특징으로하는웨이퍼를이용한나노포어칩의제조방법에대한것이다.
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