公开(公告)号：KR100316383B1

公开(公告)日：2002-02-19

申请号：KR1019980046333

申请日：1998-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  어윤성 ,  현석봉

IPC: H04B1/16

Abstract: 본 발명은 기존의 모노리딕 집적 회로 공정이 끝난 실리콘 기판 위에 단결정 압전 물질을 접합시킨 후, 화학 기계적 연마를 거쳐 압전 결정의 두께를 조절한 후, 이 위에 표준적인 리소그라피 공정으로 탄성파 공진기, 필터 또는 인덕터등의 수동 회로 요소를 구성함으로써, 실리콘 기판 상의 집적 회로와 압전 결정 소자간의 연결을 용이하게 하고, 기존의 반도체 공정을 그대로 이용하여 기존의 집적 회로와 고성능 수동회로 소자를 집적시킬 수 있도록 한 모노리딕 집적 회로 위에 박막 또는 후막 단결정 압전 소자를 집적한 단일 칩 라디오 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 지금까지 외부 소자로 사용되던 공진기 및 필터와 인덕터 등의 수동 회로 요소를 단일한 실리콘 기판 위에 구성함으로써, 각종 무선 단말기에서 이들이 점유하는 부피를 줄이고, 향후 단일 칩 라디오를 구현하는데 필요한 기본 구조를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020000028192A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019980046333

申请日：1998-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  어윤성 ,  현석봉

IPC: H04B1/16

CPC classification number: H04B1/0003 ,  H03B5/326 ,  H04B1/28 ,  Y10T29/42

Abstract: PURPOSE: A structure of an one-chip radio having a thin or a thick piezoelectric crystal on a monolithic IC(integrated circuit) and a preparation method thereof are provided to make easy the connection between an IC and a piezoelectric crystal device on a silicon substrate and to integrate the IC with a high performance manual circuit by using the general preparation method of a semiconductor device. CONSTITUTION: A preparation process of an one-chip radio is perform by depositing a metal layer(102) such as aluminum or gold on the area of a quartz wafer(104) on a substrate(101). And, epoxy resin(103) for bonding is coated for a thickness of 1-3micrometer in a spin coating method for bonding the quartz wafer thereon. Then, a mechanical polishing is applied for polishing the 600micrometer of quartz wafer to 100micrometer. Finally, a metal layer(105) of an acoustic surface wave resonator is formed on a piezoelectric layer by using optical lithography and etching for connecting the crystal resonator to an oscillator circuit on the silicon substrate by using a metal wire(106).

Abstract translation: 目的：提供一种在单片IC（集成电路）上具有薄或厚的压电晶体的单芯片无线电结构及其制备方法，以便容易地在硅衬底上的IC与压电晶体器件之间的连接 并且通过使用半导体器件的一般制备方法将IC与高性能手动电路集成。 构成：通过在基板（101）上的石英晶片（104）的区域上沉积诸如铝或金的金属层（102）来执行单片无线电的制备过程。 并且，在其上粘接石英晶片的旋转涂布方法中，用于粘合的环氧树脂（103）以1-3微米的厚度被涂覆。 然后，将600微米的石英晶片抛光至100微米，进行机械抛光。 最后，通过使用光刻法和蚀刻法，通过使用金属线（106）将晶体谐振器连接到硅衬底上的振荡电路，在压电层上形成声表面波谐振器的金属层（105）。