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公开(公告)号：KR101932761B1
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：KR1020170012817
申请日：2017-01-26
Applicant: 한국과학기술원 , 한국항공대학교산학협력단
Abstract: 그래핀 나노 리본의 제조방법, 그래핀 나노 리본, 반도체 소자의 제조방법, 및 반도체 소자에 관한 것으로, 기판 상에 그래파이트화 금속 촉매 박막을 형성하는 단계; 상기 그래파이트화 금속 촉매 박막 상에 반응억제층을 형성하는 단계; 및 탄소 공급원을 공급하여, 그래핀 나노 리본을 성장시키는 단계;를 포함하는, 그래핀 나노 리본의 제조방법과 신규한 형태의 그래핀 나노 리본, 상기 그래핀 나노 리본의 제조방법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 및 소자 특성이 향상된 반도체 소자를 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180088127A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020170012817
申请日：2017-01-26
Applicant: 한국과학기술원 , 한국항공대학교산학협력단
Abstract: 그래핀나노리본의제조방법, 그래핀나노리본, 반도체소자의제조방법, 및반도체소자에관한것으로, 기판상에그래파이트화금속촉매박막을형성하는단계; 상기그래파이트화금속촉매박막상에반응억제층을형성하는단계; 및탄소공급원을공급하여, 그래핀나노리본을성장시키는단계;를포함하는, 그래핀나노리본의제조방법과신규한형태의그래핀나노리본, 상기그래핀나노리본의제조방법을이용한반도체소자의제조방법, 및소자특성이향상된반도체소자를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160070638A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020140177848
申请日：2014-12-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04R23/00
CPC classification number: H04R23/00 , H04R23/002 , H04R23/004
Abstract: 본발명은향상된음압레벨특성을갖는그래핀열음향스피커및 그제조방법에관한것으로, 그래핀박막을소정의개구율을갖는격자구조지지층으로지지함으로써기판으로의열손실을최소화되도록하는것을특징으로한다. 본발명의그래핀열음향스피커에따르면, 그래핀박막을격자구조지지층으로지지함으로써, 인가된교류전압에의해그래핀박막에발생된열이주변매질로전달되는양이최대화되므로종래기술에비해음압레벨을향상시킬수 있다. 또한, 격자구조지지층을스크린프린팅방법으로형성함으로써, 향상된음압레벨을갖는그래핀열음향스피커를간단한방법으로제조할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的声压级特性的石墨烯热声扬声器及其制造方法，其能够通过具有恒定孔径比的格子状结构的支撑层来支撑石墨烯薄膜，以最小化传递到衬底的热损失 。 根据本发明，由于石英烯薄膜由格状结构化支撑层支撑，所以通过施加的备用电流（AC）电压从石墨烯薄膜产生的并传递到周围介质的热量的量最大化， 从而与现有技术相比，提高了声压级。 此外，由于通过丝网印刷法形成格子结构层，所以用简单的方法制造出具有改善的声压级的石墨烯热声扬声器。 石墨烯热声扬声器包括：包括石墨烯薄膜和格子结构支撑层的声波发生器; 一个框架; 以及第一和第二电极。
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公开(公告)号：KR101089066B1
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020100024503
申请日：2010-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그라핀 옥사이드를 플렉서블 저항변화 메모리 소자로 활용하기 위하여 전압에 따라 저항 변화 특성을 보일 수 있는 메모리 소자 구조를 플렉서블 기판 상에 형성함으로써 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작방법을 개시한다. 이 방법은 a) 기판 상에 하부 전극 층을 형성하는 단계, b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 그라핀 옥사이드 층을 형성하는 단계, 및 c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110105408A
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020100024503
申请日：2010-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L29/1606
Abstract: 본 발명은 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그라핀 옥사이드를 플렉서블 저항변화 메모리 소자로 활용하기 위하여 전압에 따라 저항 변화 특성을 보일 수 있는 메모리 소자 구조를 플렉서블 기판 상에 형성함으로써 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작방법을 개시한다. 이 방법은 a) 기판 상에 하부 전극 층을 형성하는 단계, b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 그라핀 옥사이드 층을 형성하는 단계, 및 c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101645621B1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020140177848
申请日：2014-12-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04R23/00
Abstract: 본발명은향상된음압레벨특성을갖는그래핀열음향스피커및 그제조방법에관한것으로, 그래핀박막을소정의개구율을갖는격자구조지지층으로지지함으로써기판으로의열손실을최소화되도록하는것을특징으로한다. 본발명의그래핀열음향스피커에따르면, 그래핀박막을격자구조지지층으로지지함으로써, 인가된교류전압에의해그래핀박막에발생된열이주변매질로전달되는양이최대화되므로종래기술에비해음압레벨을향상시킬수 있다. 또한, 격자구조지지층을스크린프린팅방법으로형성함으로써, 향상된음압레벨을갖는그래핀열음향스피커를간단한방법으로제조할수 있는효과가있다.
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