公开(公告)号：KR102133299B1

公开(公告)日：2020-07-13

申请号：KR1020170144263

申请日：2017-10-31

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 강정원 ,  박준훈 ,  김기섭

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/176 ,  B82Y30/00

公开(公告)号：KR101667486B1

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：KR1020150069783

申请日：2015-05-19

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 강정원

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은나노전자기계소자로이용될수 있는핀 전극을가진그래핀릴레이소자및 그제작방법에관한것이다. 본발명의일실시예에의한핀 전극을가진그래핀릴레이소자는드레인; 상기드레인위에안착되어단일의층으로형성된그래핀층; 상기그래핀층과이격되게위치한핀을포함한소스; 및상기그래핀층과이격되게형성된게이트를포함할수 있다. 특히, 상기게이트에소정전압인가시, 상기그래핀층은상기핀에부착될수 있다.

公开(公告)号：KR101923431B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020170087213

申请日：2017-07-10

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 김기섭 ,  강정원 ,  최용혁

IPC: C30B29/48 ,  B82B3/00 ,  C30B15/16

Abstract: 본발명은빛을이용한단결정형태의 CdTe 나노선제조방법및 상기방법으로제조된단결정형태의 CdTe 나노선에관한것으로, 구체적으로본 발명에따른단결정형태의 CdTe 나노선제조방법은, (1) Cd(ClO)6HO를증류수에용해시키는단계;(2) Cd(ClO)6HO가용해된용액에안정제를첨가하는단계; (3) pH를 11.4~11.6으로조정하는단계; (4) 질소가스(N) 및 HTe 가스를순차적으로용액내로흘려주고, 가열교반하여 CdTe 나노입자용액을제조하는단계; (5) CdTe 나노입자용액에메탄올을첨가하고원심분리하여 CdTe 나노입자를침전및 분리시키는단계; (6) 분리된 CdTe 나노입자에증류수를첨가하고 pH를 8.5~9.5로조정하여재분산시키는단계; 및 (7) CdTe 나노입자재분산용액에 530nm~580nm 파장의빛을조사하는단계를포함한다.