公开(公告)号：KR101359407B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020120016812

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  오병진 ,  김기순 ,  류정식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면 조직화 기술로서 웨이퍼 표면에 반사도를 줄여주는 것으로 태양전지에서 빛 반사를 줄이기 위한 기술에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼의 표면을 알카리 용액으로 처리하는 1차 텍스처링 공정과 상기 1차 텍스처링 공정 후에 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속막을 형성하는 금속막형성공정, 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 산성용액을 포함하는 용액으로 처리하는 2차 텍스처링 공정을 포함하여 구성되는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼 기판의 표면에 텍스처링 공정을 알카리 용액을 통한 1차 공정과 산성용액을 포함하는 용액을 통한 2차 공정으로 형성하여 요철패턴을 형성함으로써, 실리콘 웨이퍼 기판의 반사도를 1% 이하로 형성하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020130095416A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：KR1020120016812

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  오병진 ,  김기순 ,  류정식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A texturing method of a silicon wafer is provided to increase the number of electrons by forming an embossing pattern on the surface of a substrate. CONSTITUTION: A primary texturing process is performed (S2). The surface of a silicon wafer is processed by alkali solution. A metal film is formed on the surface of the silicon wafer (S3). A secondary texturing process is performed (S4). The surface of the silicon wafer is process with an acid solution. [Reference numerals] (S1) Si wafer; (S2) Primary texturing(alkali texturing(pyramid structure formation); (S3) Metal film formation; (S4) Secondary texturing(wet texturing); (S5) Nanopattern formation process

Abstract translation: 目的：提供硅晶片的纹理化方法以通过在衬底的表面上形成压花图案来增加电子数。 构成：执行主纹理处理（S2）。 硅晶片的表面由碱溶液处理。 在硅晶片的表面上形成金属膜（S3）。 进行二次纹理化处理（S4）。 硅晶片的表面是用酸溶液处理的。 （标号）（S1）Si晶片; （S2）主要纹理（碱性纹理（金字塔结构形成））;（S3）金属成膜;（S4）二次纹理化（湿纹理）;（S5）纳米图案形成过程