公开(公告)号：KR1020140122326A

公开(公告)日：2014-10-20

申请号：KR1020130038578

申请日：2013-04-09

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  김민영 ,  김기림 ,  김종완 ,  손경태 ,  조유석

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 산화인듐을 이용한 CIGS 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 증착하는 단계; 및 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 인듐(In) 전구체를 증착하는 단계는, 산화인듐(In
2 O
3 )을 타겟으로 하여 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 환원시켜 산소를 제거함으로써 인듐(In)층을 형성하는 것으로써, 인듐(In) 전구체의 표면을 평탄하게 하고, 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리 후 CIGS 광흡수층의 표면형태를 개선시키며, CIGS 광흡수층과 버퍼층의 접합을 용이하게 할 수 있는 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用氧化铟制造CIGS光吸收层的方法及使用其制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。 更具体地说，制造CIGS光吸收层的方法包括以下步骤：通过溅射工艺沉积铜（Cu）前体，铟（In）前体和镓（Ga）前体; 并在硒（Se）气氛中进行热处理。 在沉积铟（In）前体的步骤中，通过靶向氧化铟（In_2O_3）的氧化铟（In_2O_3）薄膜形成铟（In）层，然后通过将沉积的氧化铟（In_2O_3）薄膜还原成 去除氧化物，从而平滑铟（In）前体的表面，改善在硒（Se）气氛中热处理后的CIGS光吸收层的表面类型，并且容易地将CIGS光吸收层和缓冲层 。

公开(公告)号：KR101482786B1

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：KR1020130038578

申请日：2013-04-09

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  김민영 ,  김기림 ,  김종완 ,  손경태 ,  조유석

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 산화인듐을 이용한 CIGS 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 증착하는 단계; 및 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 인듐(In) 전구체를 증착하는 단계는, 산화인듐(In
2 O
3 )을 타겟으로 하여 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 환원시켜 산소를 제거함으로써 인듐(In)층을 형성하는 것으로써, 인듐(In) 전구체의 표면을 평탄하게 하고, 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리 후 CIGS 광흡수층의 표면형태를 개선시키며, CIGS 광흡수층과 버퍼층의 접합을 용이하게 할 수 있는 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.