가변이득 기능을 갖는 저전력 단일 이중평형구조의 라디오 주파수 수신회로
    1.
    发明公开
    가변이득 기능을 갖는 저전력 단일 이중평형구조의 라디오 주파수 수신회로 有权
    具有可变增益功能的低功耗单一双平衡射频接收器电路。

    公开(公告)号:KR1020170058761A

    公开(公告)日:2017-05-29

    申请号:KR1020150162787

    申请日:2015-11-19

    Inventor: 오남진

    Abstract: 본발명은단일이중평형라디오주파수수신회로에관한것으로, 직렬 LC 공진기(Series LC Resonator)를사용함으로써저주파수에서출력임피던스및 출력신호의중간주파수성분이높고, 이중평형(Double-Balanced) 회로를사용함으로써전력효율이높고, 변환이득제어부를사용함으로써변환이득을조절할수 있는단일이중평형라디오수신회로를제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及单个双平衡射频接收电路,并且通过使用串联LC谐振器(串联LC谐振器),低频输出阻抗和输出信号的中频分量高, 可以提供具有高功率效率并且可以通过使用转换增益控制部分来控制转换增益的单个双平衡无线电接收电路。

    백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어발진기
    2.
    发明公开
    백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어발진기 失效
    基于直接后门的QUADRATOR VCO第二谐波耦合

    公开(公告)号:KR1020090072905A

    公开(公告)日:2009-07-02

    申请号:KR1020080014165

    申请日:2008-02-15

    Inventor: 오남진

    CPC classification number: H03B27/00 H03B5/1215 H03B5/1228 H03B2200/007

    Abstract: A quadrature VCO(Voltage Controlled Oscillator) is provided to reduce a chip area and to avoid parasitic oscillation by directly coupling a second harmonic through a back gate. In a quadrature voltage controlled oscillator coupling a second harmonic, the second harmonic coupling is directly performed through a back gate terminal. The second harmonic coupling is directly performed through a body terminal. The quadrature voltage controlled oscillator using the second harmonic coupling makes the injection locking by directly coupling the second harmonic through a gate terminal of a transistor. The quadrature voltage controlled oscillator obtains a quadrature phase signal using the second harmonic coupling. The current source is comprised of the transistor.

    Abstract translation: 提供了一个正交VCO(压控振荡器)以减少芯片面积,并通过直接通过后门耦合二次谐波来避免寄生振荡。 在耦合二次谐波的正交压控振荡器中,通过背栅极直接执行二次谐波耦合。 二次谐波耦合通过身体终端直接进行。 使用二次谐波耦合的正交压控振荡器通过直接耦合二次谐波通过晶体管的栅极端子进行注入锁定。 正交压控振荡器使用二次谐波耦合获得正交相位信号。 电流源由晶体管组成。

    SLC 공진기 기반 저전력 LMV 셀 및 이를 이용한 1단 저전력 RF 수신기
    3.
    发明授权
    SLC 공진기 기반 저전력 LMV 셀 및 이를 이용한 1단 저전력 RF 수신기 有权
    1系列谐振器LMV电池和单级低功率射频接收机

    公开(公告)号:KR101682526B1

    公开(公告)日:2016-12-05

    申请号:KR1020140123572

    申请日:2014-09-17

    Inventor: 오남진

    CPC classification number: H03B5/1215 H03B5/1228 H03B5/124 H03B5/1278

    Abstract: 본발명은 LMV 셀(cell)에관한것으로, 본발명에따르면, 저잡음증폭기(Low-noise amplifier ; LNA)와믹서(Mixer) 및전압제어발진기(Voltage-Controlled Oscillator ; VCO)가통합되고(merged), 종래의병렬 LC(parallel LC ; PLC) 공진기대신에직렬 LC 공진기(series LC ; SLC) 공진기를이용하여(exploiting), 전압이득및 위상잡음이개선될수 있도록구성되는새로운구성의 SLC 공진기기반저전력 LMV 셀및 상기한바와같이구성되는 SLC 공진기기반저전력 LMV 셀을이용하여전압이득및 위상잡음이개선된 SLC 공진기기반 LMV 셀을이용한 1단저전력 RF 수신기가제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种LMV电池。 根据本发明,合并了低噪声放大器(LNA),混频器和压控振荡器(VCO)。 代替传统的并联LC(PLC)谐振器,利用串联LC(SLC)谐振器来提供用于改善电压增益和相位噪声的新型结构的基于SLC谐振器的低功率LMV电池,以及单级 低功率RF接收机采用基于SLC谐振器的低功率LMV电池来提高电压增益和相位噪声。

    이동통신에 적용을 위한 초저위상잡음 CMOS 전압제어 발진기
    4.
    发明授权
    이동통신에 적용을 위한 초저위상잡음 CMOS 전압제어 발진기 有权
    用于移动应用的超低相位噪声CMOS电压控制振荡器

    公开(公告)号:KR101481466B1

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:KR1020130157072

    申请日:2013-12-17

    Inventor: 오남진

    Abstract: 본 발명은 600kHz에서 3MHz 오프셋 주파수 사이에서 가장 엄격한 위상잡음 성능(phase noise performance)이 요구되는 GSM 900이나 DCS 1800 BTS 수신기(base-station receiver)의 기준을 만족하도록, 종래의 VCO에 비해 위상잡음 성능이 개선된 전압제어 발진기(voltage-controlled oscillator ; VCO)에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, VCO의 주된 잡음원인 전류원을 제거하고, 스위칭쌍(switching pair)이 트라이오드 영역(triode region)에 진입하는 것을 방지하도록 하기 위한 이중 튜닝 공진기(double tuned resonators)를 포함하며, VCO의 공통모드 노드(common mode node)에서 작은 사이즈의 인덕터(small size inductor)로 제 2 고조파 잡음(second harmonic noise)을 필터링(filter out) 함으로써, 위상잡음을 억제할 수 있도록 구성되는 이동통신에 적용을 위한 초저위상잡음 CMOS 전압제어 발진기가 제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种与现有VCO相比提高相位噪声性能的超低相位噪声CMOS压控振荡器(VCO),以满足要求最严格相位噪声的GSM 900或DCS 1800 BTS接收机的标准 在600 kHz至3 MHz的偏移频率范围内的性能。 通过以下方式形成本发明提供的超低相位噪声CMOS电压控制振荡器:通过以下方式来消除相位噪声:去除作为VCO的主要噪声源的电流源; 包括双调谐谐振器,以防止开关对进入三极管区域; 并且从VCO的共模节点滤波二次谐波噪声到小尺寸电感器。

    다중 밴드 주파수 발생기
    5.
    发明授权
    다중 밴드 주파수 발생기 失效
    多频段频率发生器

    公开(公告)号:KR100987727B1

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:KR1020080014167

    申请日:2008-02-15

    Inventor: 오남진

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 밴드 주파수 발생기는, 다중 밴드 주파수 발생기에 있어서, 개별 스위치에 의해 충전되는 한쌍의 커패시터가 병렬 구성된 스위치 커패시터 뱅크(switched capacitor bank)가 각각 구성된 대칭 구조의 차동형 4위상 전압 제어 발진기; 상기 4위상 전압 제어 발진기로부터 발생된 I 신호(OI+, OI-)와 Q 신호(OQ+, OQ-)를 같은 신호의 +신호(OI+, OQ+)와 -신호(OI-, OQ-) 끼리 각각 혼합하여 단일의 2배 주파수 신호(O+, O-)를 출력하는 주파수 혼합기; 상기 주파수 혼합기로부터 생성된 단일의 2배 주파수 신호를 단일 제어 전압에 의해서 가변되는 동일 크기를 가지며 위상이 상이한 I, Q 신호의 4위상 주파수 신호(DQ+, DQ-, DI+, DI-)로 변환하여 출력하는 다위상 필터; 및 상기 4위상 전압 제어 발진기로부터 발생된 I 신호(OI+, OI-)와 Q 신호(OQ+, OQ-)와 상기 다위상 필터에 의해 필터링된 2배의 4위상 주파수 신호(DQ+, DQ-, DI+, DI-)가 같은 신호끼리, 그리고 다른 신호끼리 혼합하여 희망 주파수 신호(I
    LO +, I
    LO -, Q
    LO +, Q
    LO -)를 발생시키는 단측파대 주파수 혼합기를 포함한다.
    다중 밴드 주파수 발생기, 주파수 혼합기, 다위상 필터, 단측파대 결합

    다중 밴드 주파수 발생기
    6.
    发明公开
    다중 밴드 주파수 발생기 失效
    多频段发电机

    公开(公告)号:KR1020090072906A

    公开(公告)日:2009-07-02

    申请号:KR1020080014167

    申请日:2008-02-15

    Inventor: 오남진

    CPC classification number: H04B1/69 H03B27/00 H03L7/185

    Abstract: A multi band frequency generator is provided to reduce mismatch between in-phase and quadrature signals by operating a frequency of a voltage controlled oscillator in the 1/2 low frequency. A frequency mixer generates a double frequency signal by mixing a fundamental frequency generated from a quadrature voltage controlled oscillator. A multi phase filter converts the double frequency generated from the frequency mixer into the quadrature phase signal. A single sideband frequency mixer generates a wanted frequency by mixing the double frequency and the single sideband frequency. The quadrature voltage controlled oscillator, the multi phase filter and the single sideband frequency mixer are manufactured by 0.18 micron CMOS process. The quadrature voltage controlled oscillator generates the 5GHz/3 frequency.

    Abstract translation: 提供一种多频带频率发生器,以通过操作1/2低频中的压控振荡器的频率来减少同相和正交信号之间的失配。 混频器通过混合由正交压控振荡器产生的基频产生双频信号。 多相滤波器将从混频器产生的双频转换成正交相位信号。 单边带混频器通过混合双频和单边带频率来产生有用频率。 正交压控振荡器,多相滤波器和单边带混频器由0.18微米CMOS工艺制造。 正交压控振荡器产生5GHz / 3频率。

    SLC 공진기 기반 저전력 LMV 셀 및 이를 이용한 1단 저전력 RF 수신기
    7.
    发明公开
    SLC 공진기 기반 저전력 LMV 셀 및 이를 이용한 1단 저전력 RF 수신기 有权
    基于系统谐振器的LMV单元和单级低功率RF接收器

    公开(公告)号:KR1020160032886A

    公开(公告)日:2016-03-25

    申请号:KR1020140123572

    申请日:2014-09-17

    Inventor: 오남진

    Abstract: 본발명은 LMV 셀(cell)에관한것으로, 본발명에따르면, 저잡음증폭기(Low-noise amplifier ; LNA)와믹서(Mixer) 및전압제어발진기(Voltage-Controlled Oscillator ; VCO)가통합되고(merged), 종래의병렬 LC(parallel LC ; PLC) 공진기대신에직렬 LC 공진기(series LC ; SLC) 공진기를이용하여(exploiting), 전압이득및 위상잡음이개선될수 있도록구성되는새로운구성의 SLC 공진기기반저전력 LMV 셀및 상기한바와같이구성되는 SLC 공진기기반저전력 LMV 셀을이용하여전압이득및 위상잡음이개선된 SLC 공진기기반 LMV 셀을이용한 1단저전력 RF 수신기가제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种LMV电池。 根据本发明,合并了低噪声放大器(LNA),混频器和压控振荡器(VCO)。 代替传统的并联LC(PLC)谐振器,利用串联LC(SLC)谐振器来提供用于改善电压增益和相位噪声的新型结构的基于SLC谐振器的低功率LMV电池,以及单级 低功率RF接收机采用基于SLC谐振器的低功率LMV电池来提高电压增益和相位噪声。

    선형 동조 범위를 갖는 차동 콜피츠 전압제어 발진기
    8.
    发明授权
    선형 동조 범위를 갖는 차동 콜피츠 전압제어 발진기 有权
    具有线性调谐范围的差分电压控制振荡器

    公开(公告)号:KR101562212B1

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:KR1020140134222

    申请日:2014-10-06

    Inventor: 오남진

    CPC classification number: H03B5/12

    Abstract: 본발명은직렬 LC 네트웍을이용한새로운저 위상잡음(low-phase noise)을갖도록직렬공진기를사용한선형동조범위를갖는차동콜피츠전압제어발진기에관한것으로서, 선형동조범위를갖는차동콜피츠전압제어발진기는, 인덕더와캐패시터가병렬연결된탱크; 상기탱크와병렬연결되어전압제어발진기에교류의유입을방지하는인덕터; 및상기탱크의양단을각각의게이트의노드에교차접속시킨차동트랜지스터들을포함하여구성되어, 전술한구성을가지는본 발명의선형동조범위를갖는차동콜피츠전압제어발진기는 LC 네트웍의각각의직렬연결노드가스위칭트랜지스터의게이트에교차결합되고, 각각의연결노드에서큰 신호스윙을얻었으며, 이로인하여차동콜피츠전압제어발진기의고정바이어스전류소스들은스위칭된바이어싱전류소스들이더 낮은위상잡음으로동작하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及具有线性调谐范围的差分Colpitts压控振荡器,其使用串联谐振器来使用串行LC网络具有新的低相位噪声。 具有线性调谐范围的差分Colpitts压控振荡器包括:与电感器和电容器并联连接的罐; 电感器并联连接到该箱体,并且防止向压控振荡器引入替代电流; 以及差分晶体管,其与罐的两端的每个栅极的节点交叉连接。 根据本发明,具有线性调谐范围的差分Colpitts压控振荡器通过LC网络的每个串行连接节点交叉耦合到开关晶体管的栅极。 在每个连接节点中,获得了很大的信号摆幅,因此差分Colpitts压控振荡器的固定偏置电流源可以在开关偏置电流源中以较低的相位噪声工作。

    백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어발진기
    9.
    发明授权
    백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어발진기 失效
    基于直接后门二次谐波耦合的正交VCO

    公开(公告)号:KR101000379B1

    公开(公告)日:2010-12-13

    申请号:KR1020080014165

    申请日:2008-02-15

    Inventor: 오남진

    Abstract: 본 발명은 백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 백 게이트 단자를 통해 직접적으로 제 2 고조파 결합을 할 수 있도록 함으로써, 기생발진을 피하고 칩 면적을 줄일 수 있으며 아울러 좋은 위상잡음 특성을 나타낼 수 있도록 하는 등의 장점을 갖는, 백게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어 발진기에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 백 게이트를 통한 제 2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어 발진기는, 제 2 고조파 결합을 이용한 4위상 전압 제어 발진기에 있어서, 백 게이트(back gate) 단자 또는 바디(body) 단자를 통해 직접적으로 제 2 고조파 결합을 수행하는 백 게이트를 통한 제2 고조파 직접 결합 4위상 전압 제어 발진기를 제공한다.
    백 게이트, 4위상 전압제어 발진기, 제 2 고조파, 직접 결합, CMOS

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