公开(公告)号：KR101536627B1

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：KR1020130048295

申请日：2013-04-30

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 김성룡 ,  이지훈 ,  정현옥 ,  인인식 ,  고영희

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/00

Abstract: 표면조도가낮은은 나노와이어 - 그라핀하이브리드전극및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른은 나노와이어 - 그라핀하이브리드전극제조방법은 (a) 출발기판상에, 그라핀옥사이드가환원된그라핀층을형성하는단계; (b) 상기그라핀층 표면에은 나노와이어층을형성하는단계; (c) 상기은 나노와이어층 표면에고분자층을형성하는단계; 및 (d) 상기출발기판을박리하는단계;를포함하여, 상기박리에의해노출되는그라핀층의표면조도(Ra)가 3.0nm 이하인것을특징으로한다. 본발명에따른은 나노와이어 - 그라핀하이브리드전극은낮은표면조도를가지고, 은나노와이어네트워크및 그라핀을포함함으로써광투과도가높고, 향상된표면저항과전자촉매반응성을가지며, 유연성을가질수 있다.

公开(公告)号：KR1020140129690A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020130048295

申请日：2013-04-30

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 김성룡 ,  이지훈 ,  정현옥 ,  인인식 ,  고영희

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/00

CPC classification number: H01B13/00 ,  H01B1/00

Abstract: 표면조도가 낮은 은 나노와이어 - 그라핀 하이브리드 전극 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 은 나노와이어 - 그라핀 하이브리드 전극 제조 방법은 (a) 출발 기판 상에, 그라핀옥사이드가 환원된 그라핀 층을 형성하는 단계; (b) 상기 그라핀 층 표면에 은 나노와이어 층을 형성하는 단계; (c) 상기 은 나노와이어 층 표면에 고분자 층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 출발 기판을 박리하는 단계;를 포함하여, 상기 박리에 의해 노출되는 그라핀 층의 표면조도(Ra)가 3.0nm 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 은 나노와이어 - 그라핀 하이브리드 전극은 낮은 표면조도를 가지고, 은 나노와이어 네트워크 및 그라핀을 포함함으로써 광투과도가 높고, 향상된 표면저항과 전자촉매 반응성을 가지며, 유연성을 가질 수 있다.

Abstract translation: 公开了具有低表面粗糙度的银纳米线 - 石墨烯混合电极及其制造方法。 银纳米线 - 石墨烯混合电极的制造方法包括：（a）通过使氧化石墨烯氧化在起始衬底上形成石墨烯层; （b）在所述石墨烯层的表面上形成银纳米线层; （c）在银纳米线层的表面上形成聚合物层; 和（d）剥离起始衬底。 由剥离曝光的石墨烯层的表面粗糙度（Ra）的特征在于不大于3.0nm。 根据本发明的纳米线 - 石墨烯混合电极具有低表面粗糙度，由于银纳米线网络和石墨烯具有高的光传输指数，具有改善的表面电阻和对电极催化剂的反应性，并且可以具有柔性。