公开(公告)号：KR1020150049279A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130129593

申请日：2013-10-29

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 임경아 ,  정성훈 ,  김도근 ,  이승훈

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01B5/14 ,  C01B32/23 ,  H01B13/0036

Abstract: 환원된산화그래핀(reduced Graphene Oxide, rGO) 및금속산화층을포함하는전극및 이의제조방법에관한것으로, 환원된산화그래핀(reduced Graphene Oxide, rGO); 및금속산화층을포함하는전극을제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包含还原型石墨烯氧化物（rGO）和金属氧化物层的电极及其制造方法。 本发明提供了包括rGO和金属氧化物层的电极。 根据本发明的一个实施方案，可以在氧化石墨烯（GO）的还原过程中代替高温和高风险的还原方法。 此外，可以在同时减少GO的同时形成应用了rGO的各种应用领域所必需的金属氧化物层。