公开(公告)号：KR1020180131133A

公开(公告)日：2018-12-10

申请号：KR1020170067759

申请日：2017-05-31

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 정소희 ,  팜투히엔 ,  최혜경 ,  장원석 ,  김덕종

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  C09K11/62 ,  C09K11/06

Abstract: 개시된 나노클러스터를 이용한 양자점의 제조 방법은, III족 전구체와 용매를 포함하는 III족 전구체 용액과, V족 전구체, 용매 및 아민을 포함하는 V족 전구체 용액을 반응시켜 III-V족 반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계, 상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계 및 상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101930523B1

公开(公告)日：2018-12-19

申请号：KR1020170067759

申请日：2017-05-31

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 정소희 ,  팜투히엔 ,  최혜경 ,  장원석 ,  김덕종

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  C09K11/62 ,  C09K11/06

Abstract: 개시된 나노클러스터를 이용한 양자점의 제조 방법은, III족 전구체와 용매를 포함하는 III족 전구체 용액과, V족 전구체, 용매 및 아민을 포함하는 V족 전구체 용액을 반응시켜 III-V족 반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계, 상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계 및 상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.