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公开(公告)号：WO2018124681A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/015445
申请日：2017-12-26
Applicant: 한국기초과학지원연구원
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H05H1/24
Abstract: 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스가 개시된다. 상기 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스는, 일정 면적을 갖는 베이스 전극; 상기 베이스 전극의 상면에 적층되어 있는 유전층; 및 상기 유전층 상면에 적층되어 있는 플로팅 전극모듈을 포함하고, 상기 플로팅 전극모듈은 둘 이상의 플로팅 전극 및 하나 이상의 유전체가 상기 유전층의 상면에서 상기 플로팅 전극을 시작으로 하여 교대로 적층되어 구성되고, 상기 베이스 전극 및 상기 플로팅 전극모듈에서 최상층에 위치한 플로팅 전극 사이에 고전압이 인가되고, 상기 고전압이 인가되면 상기 유전층 및 유전층과 접한 최하부 플로팅 전극으로부터 최상부 플로팅 전극 방향으로 플라즈마 발생 영역이 연속되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2013151284A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/KR2013/002667
申请日：2013-04-01
Applicant: 한국기초과학지원연구원
Abstract: 본 발명은, 타겟 부근에 고밀도 플라즈마 형성하고, 타겟의 표면 과열을 방지하여 높은 플럭스로 중성자를 생성할 수 있는 중성자 발생원을 제공함을 목적으로 하여, 상기 목적 달성을 위해, 타겟 근처에 자기장을 형성하고, 상기 자기장이 형성된 공간 내부에서 플라즈마를 발생시켜 타겟 근처에 고밀도 플라즈마를 형성함으로써 타겟으로부터 중성자를 높은 플럭스로 방출하게 하였다. 또한, 플라즈마를 펄스로 발생시킴과 동시에 타겟 전압을 펄스로 인가하여 타겟의 표면 과열을 방지하였고, 반응 진행 중 흡착원소가 소진된 타겟은 타겟 바이어스 전압을 조절하여 재흡착으로 지속적인 공정을 진행할 수 있게 하였다. 또한, 본 발명의 중성자 발생원은 타겟의 형상을 평판형, 원통형, 선형 등으로 자유로이 변형할 수 있게 하여 대면적형, 포터블형 등으로 다양한 응용에 활용되게 하였으며, 속이 빈 타겟을 제공하여 핵 융합 반응 효율의 향상과 타겟의 재활용을 도모하였다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种在靶附近形成高密度等离子体的中子源，防止靶的表面过热，从而产生具有高通量的中子。 为此，在靶附近形成磁场，在形成有磁场的空间中产生等离子体，从而在靶附近形成高密度等离子体，能够以高通量排出中子 从目标。 此外，等离子体以脉冲形式产生，并且目标电压也以脉冲施加以防止靶的表面过热。 对于反应期间吸附元素耗尽的目标，调整目标偏压以使得能够再吸附，从而进行该过程。 此外，本发明的中子源能够使靶的形状自由地变形为扁平状，圆筒状，线状等，从而可以利用大型，便携式等的目标 在各种应用中。 可以提供空目标以实现提高的热核反应效率和目标的再利用。
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公开(公告)号：WO2012169747A3
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/KR2012/004345
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국기초과학지원연구원 , 유석재 , 김성봉
IPC: H05H1/34 , H01L21/205 , C23C16/50
Abstract: 본 발명은 플라즈마 발생원 및 그 응용에 관한 것으로, 고 진공도에서 균일한 고 밀도 플라즈마를 발생시키며, 이와 같은 플라즈마 발생원을 스퍼터링 장치, 중성입자 빔 발생원, 스퍼터링 장치와 중성입자 빔 발생원의 조합으로 이루어진 박막 증착 시스템에 응용하여, 고품질 박막을 얻기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 한 쌍 이상의 벨트형 자석에 의한 자기장과 마이크로파 조사장치에 의한 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 발생시키며, 상기 벨트형 자석의 연속구조에 따라 전자의 회귀궤적을 유도하여 플라즈마 가둠 효과를 극대화시켜 상기 목적을 달성할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018160001A1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：PCT/KR2018/002460
申请日：2018-02-28
Applicant: 한국기초과학지원연구원
Abstract: 플로로글루시놀계 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 항균 또는 지방분해용 조성물에 있어서, 플로로글루시놀계 화합물의 제조 방법은 플로로글루시놀 및 알코올을 포함하는 플로로글루시놀 용액을 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018124676A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/015437
申请日：2017-12-26
Applicant: 한국기초과학지원연구원
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2245/1225
Abstract: 다습 환경에서 이용되는 플라즈마 장치가 개시된다. 상기 다습 환경에서 이용되는 플라즈마 장치는 절연층, 상기 절연층의 일면에 놓이는 판형의 제1 전극, 상기 절연층의 타면에 놓이고 막대 형상으로 구비되는 하나 이상의 제2 전극을 포함하는 판형 면방전 소스; 상기 유전체층 및 제2 전극 간의 방전을 위해 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 고전압을 인가하는 전원공급장치; 및 상기 제2 전극에 열이 발생되도록 상기 제2 전극을 가열하기 위한 전극가열수단을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 고전압이 인가되면 상기 제2 전극 주변에 플라즈마 발생 영역이 형성되고, 상기 전극가열수단은 상기 플라즈마 발생 영역의 형성 전에 상기 제2 전극을 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017111535A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/KR2016/015178
申请日：2016-12-23
Applicant: 한국기초과학지원연구원
IPC: H05H1/46 , B01D53/32 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: B01D53/32 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 고밀도 마이크로파 플라즈마 장치가 개시된다. 상기 고밀도 마이크로파 플라즈마 장치는 유체이송관; 상기 유체이송관의 내부로 전자파를 공급하도록 상기 유체이송관과 전자파 커플링된 환형의 도파관; 상기 유체이송관의 종방향에 평행하도록 상기 유체이송관의 내부에 설치되고, 상기 환형의 도파관으로부터 전자파가 유입되는 유전체관; 및 상기 유체이송관 내에 전자파 및 플라즈마 가둠 캐비티를 형성하도록 상기 유전체관의 상단부 및 하단부에 배치된 한 쌍의 금속 메쉬망을 포함한다. 이러한 고밀도 마이크로파 플라즈마 장치는 배관 내에서 PFCs의 제거 및 PFCs 이송 배관 내의 불순물을 제거한다.
Abstract translation: 公开了一种高密度微波等离子体装置。 高密度微波等离子体装置包括流体输送管; 耦合到流体输送管以将电磁波供应到流体输送管的内部的环形波导管; 电介质管，其安装在所述流体输送管中，使得所述流体输送管平行于所述流体输送管的纵向方向，并且从所述环形波导管引入电磁波; 一对金属网状网络设置在电介质管的上端和下端，以在流体输送管中形成电磁波和等离子体限制腔。 这种高密度微波等离子体系统可去除管道中的PFC，并去除PFC输送管道中的杂质。
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公开(公告)号：WO2017111534A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/KR2016/015174
申请日：2016-12-23
Applicant: 한국기초과학지원연구원
Abstract: 액체 처리장치가 개시된다. 상기 액체 처리장치는 판상의 제1 전극; 상기 제1 전극과 접하여 있고, 아랫면이 피처리수의 수표면에 접하거나 인접하도록 설치되고, 상기 아랫면에 형성된 다수의 미세홈을 포함하는 유전체; 상기 피처리수의 하부에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하며, 상기 미세홈은 상기 피처리수가 상기 미세홈의 내부로 유입되지 않을 수 있는 직경을 갖는다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt; 液体处理装置包括：板状的第一电极; 一个电介质，与第一电极接触并具有与待处理的水的水表面接触或相邻的下表面，并具有形成在下表面中的多个细槽; 位于待处理水下方的第二电极; 以及用于向所述第一电极和所述第二电极施加电压的电源，其中，所述细沟具有直径，使得所述处理水不能流入所述细沟。
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公开(公告)号：WO2012128420A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/KR2011/003943
申请日：2011-05-30
Applicant: 한국기초과학지원연구원 , 유석재 , 김성봉
CPC classification number: H01L21/0257 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02656 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L33/0066
Abstract: 본 발명은 중성입자 빔을 사용하여 반도체 발광 소자를 제작하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판에 형성하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성을 종래와 같이 기판을 가열하여 열에너지로 반응에너지를 제공하는 것이 아니라 중성입자 빔의 운동에너지로 반응에너지의 일부를 제공하므로 기판의 상대적으로 낮은 온도에서 수행할 수 있다. 더불어, 도핑에 필요한 고체원소인 Si, Mg등의 원소도 도핑용 고체원소 발생원을 중성 입자빔과 함께 기판으로 분사하여 도핑을 낮은 온도에서 높은 도핑 효율로 도핑을 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 기판 온도의 저온화로 기판과 박막의 열화 방지 및 도핑 원소의 원하지 않는 확산을 방지하여 우수한 발광 특성을 갖는 반도체 발광 소자를 비교적 간편하게 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用中性粒子束制造半导体发光装置的装置和方法。 根据本发明，由于中性粒子束的动能作为用于使衬底上形成氮化物半导体单晶薄膜的反应能量的一部分而提供，反应能量不能作为热能 通过像现有技术那样加热衬底，衬底可以在相对低的温度下进行处理。 此外，作为掺杂所需的固体元素的Si，Mg等元素，由生成与中性粒子束一起掺杂的固体元素的源喷射到基板上，以在较低的温度下实现高的掺杂效率。 根据本发明，由于在低温下处理基板，可以防止基板和薄膜的劣化，并且可以防止掺杂元件的不期望的扩散，从而能够制造半导体发光器件 以相对容易的方式具有优异的发光特性。
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公开(公告)号：WO2018016862A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/KR2017/007752
申请日：2017-07-19
Applicant: 한국기초과학지원연구원
Abstract: 본 발명의 종자의 GABA(gamma-aminobutyric acid) 함량 증진 방법은 발아 가능한 종자를 플라즈마 방전수에 침지시키는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，用于增加种子的γ-氨基丁酸（GABA）含量的方法包括将能够发芽的种子浸入等离子体排出的水中的步骤。
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公开(公告)号：WO2016064211A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/KR2015/011185
申请日：2015-10-22
Applicant: 한국기초과학지원연구원
IPC: A23B7/015
CPC classification number: A23B7/015 , H01J37/32036 , H01J37/32348 , H01J37/32844 , H05H1/24
Abstract: 본 발명은 유입구 및 배출구가 형성되며, 내부에 흡착제가 충진되는 플라즈마 방전부; 및 상기 플라즈마 방전부의 내부에 플라즈마를 발생시키는 전극부;를 포함하며, 상기 흡착제는 촉매가 담지되어 있는 것을 특징으로 하는 에틸렌 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 상기 에틸렌 처리장치를 이용하여, (a) 상기 흡착제가 충진된 플라즈마 방전부 내에 에틸렌을 함유한 가스를 주입시키는 단계; (b) 상기 전극부에 전압을 인가하고, 상기 플라즈마 방전부 내에 플라즈마를 발생시켜 주입된 에틸렌을 분해하는 단계; 및 (c) 상기 플라즈마 방전부를 냉각시키는 단계; 를 포함하는 에틸렌 처리방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 乙烯处理装置技术领域本发明涉及一种乙烯处理装置，包括：具有入口和出口并填充有吸附剂的等离子体排出部分; 以及用于在等离子体放电部分内产生等离子体的电极部件，其中所述吸附剂具有负载在其上的催化剂。 本发明涉及使用乙烯处理装置的乙烯处理方法，该方法包括以下步骤：（a）将含乙烯气体注入装有吸附剂的等离子体放电部分; （b）向电极部分施加电压并在等离子体放电部分产生等离子体，从而降低注入的乙烯; 和（c）冷却等离子体放电部分。
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