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公开(公告)号：KR102209467B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190165749
申请日：2019-12-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다. 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; Te2MoO7 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다. 이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR102209469B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190165751
申请日：2019-12-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다.본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; TeO2 및 WO6 합산첨가량 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다.이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR102208539B1
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：KR1020190165748
申请日：2019-12-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다. 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; Bi2Te4WO14 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다. 이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR102209468B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190165750
申请日：2019-12-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다. 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; Te2V2O9 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다. 이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.
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