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公开(公告)号：KR1020160009817A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090084
申请日：2014-07-16
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: B01J19/08 , B01J19/18 , C01B32/956
Abstract: 플라즈마를이용한실리콘-탄소(Si-C) 복합체를제조하는기술에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용하여실리콘나노입자를형성하고, 실리콘나노입자와탄소를복합화하는 Si-C 복합체제조장치및 제조방법에관하여개시한다. 본발명은반응공간을제공하는반응챔버; 상기반응챔버의상측에구비되며, 플라즈마를발생시켜실리콘전구체를분해하여 Si 입자를생성하는플라즈마토치부; 상기반응챔버내부에구비되며, 상기반응챔버내부로공급되는 Si 입자를냉각하는냉각부; 및상기반응챔버내부로탄소구조체를공급하는탄소체공급부;를포함하고, 상기반응챔버내부에서상기실리콘입자와상기탄소구조체가복합화되는것을특징으로하는플라즈마를이용한 Si-C 복합체제조장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用等离子体制造硅 - 碳（Si-C）络合物的技术，更具体地说，涉及用于通过使用等离子体形成硅纳米颗粒并用于使硅复合的Si-C复合物的制造装置 纳米颗粒和碳。 本发明包括：用于提供反应空间的反应室; 设置在反应室上侧的等离子体焰炬单元，用于通过产生等离子体并降解硅前体产生Si颗粒; 设置在反应室内的用于冷却供应到反应室内部的Si粒子的冷却单元; 以及用于将碳结构供给到反应室内部的碳体供给单元。 提供了使用等离子体的Si-C复合体的制造装置，其中硅颗粒和碳结构在反应室内络合。
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2.发明授权나노입자의 도핑된 탄소 코팅 방법, 도핑된 탄소의 나노 스케일 구조체의 제조방법, 이에 의해 제조된 도핑된 탄소로 코팅된 나노입자와 도핑된 탄소의 나노 스케일 구조체 및 이의 용도 有权碳纳米管掺杂碳纳米管的方法，碳纳米管结构的方法，掺碳的纳米颗粒，由其生产的掺杂的碳纳米结构及其用途
公开(公告)号：KR101653962B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020150131910
申请日：2015-09-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/02 , C01B33/113 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01G17/00 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M10/052
Abstract: 본발명은나노입자의도핑된탄소코팅방법에관한것이다. 본발명의나노입자의탄소코팅방법은고온고압밀폐형반응기내에탄소층을코팅하고자하는나노입자및 도핑원소함유탄소소스를공급하고, 상기고온고압밀폐형반응기를완전밀폐하고, 상기반응기를가열하여상기반응기내에자가생성된압력과반응온도하에서상기나노입자의표면에상기도핑원소로도핑된탄소층을코팅하여나노입자-도핑된탄소의코어-쉘구조를형성한다. 도핑된탄소의나노스케일구조체의제조방법, 이에의해제조된도핑된탄소로코팅된나노입자와도핑된탄소의나노스케일구조체및 이의용도또한제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及用掺杂碳涂覆银纳米颗粒的方法。 用碳纳米颗粒包被的方法形成纳米颗粒掺杂碳的核 - 壳结构，包括以下步骤：将含有碳层的纳米颗粒和含有掺杂元素的碳源提供给高温高压闭式反应器 ; 完全密封高温高压闭式反应堆; 加热反应堆; 并在反应温度和反应器内部自发产生的压力下，用掺杂元素的碳层涂覆纳米颗粒的表面。 此外，提供了涂覆有掺杂碳的纳米级纳米尺度结构及其用途。 涂覆有掺杂碳的纳米颗粒的制造方法具有提高的成本效率和生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160066599A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170346
申请日：2014-12-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/021 , B82B3/00 , B01J19/10
CPC classification number: C01B33/027 , B01J19/088 , B01J2219/0869 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894 , H01M4/386 , H01M10/0525 , C01B33/021 , B01J19/10 , B82B3/00
Abstract: 본발명은마이크로파플라즈마를이용한 Si 나노입자제조장치및 이를이용한 Si 나노입자의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用微波等离子体的Si纳米粒子的制造装置及其制造方法。 纳米颗粒的制造装置包括：反应单元（110）; 注入硅前体气体的前体气体注入单元（120）; 产生微波的输出供应单元（130）; 旋流气体注入单元（140）; 和反应气体注入单元（150）。
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公开(公告)号：KR101708333B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020140170346
申请日：2014-12-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/021 , B82B3/00 , B01J19/10
CPC classification number: C01B33/027 , B01J19/088 , B01J2219/0869 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 본발명은마이크로파플라즈마를이용한 Si 나노입자제조장치및 이를이용한 Si 나노입자의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 公开了一种使用微波等离子体制造Si纳米颗粒的装置和使用其制造Si纳米颗粒的方法。
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公开(公告)号：KR101632564B1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020140090047
申请日：2014-07-16
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/02 , C01B33/021 , H01M4/38
Abstract: 본발명은실리콘나노입자및 이의제조방법에관한것으로, 구체적으로는실리콘을유효성분으로포함하는나노입자에있어서, 상기나노입자내/외부에원소 P 또는 B가도핑한계를초과하여존재함으로써상기나노입자가미결정질또는비정질상을갖는것을특징으로하는실리콘나노입자및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101692443B1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020140090084
申请日：2014-07-16
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 플라즈마를이용한실리콘-탄소(Si-C) 복합체를제조하는기술에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용하여실리콘나노입자를형성하고, 실리콘나노입자와탄소를복합화하는 Si-C 복합체제조장치및 제조방법에관하여개시한다.본발명은반응공간을제공하는반응챔버; 상기반응챔버의상측에구비되며, 플라즈마를발생시켜실리콘전구체를분해하여 Si 입자를생성하는플라즈마토치부; 상기반응챔버내부에구비되며, 상기반응챔버내부로공급되는 Si 입자를냉각하는냉각부; 및상기반응챔버내부로탄소구조체를공급하는탄소체공급부;를포함하고, 상기반응챔버내부에서상기 Si 입자와상기탄소구조체가복합화되는것을특징으로하는플라즈마를이용한 Si-C 복합체제조장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用等离子体制造硅 - 碳（Si-C）络合物的技术，更具体地说，涉及用于通过使用等离子体形成硅纳米颗粒并用于使硅复合的Si-C复合物的制造装置 纳米颗粒和碳。 本发明包括：用于提供反应空间的反应室; 设置在反应室上侧的等离子体焰炬单元，用于通过产生等离子体并降解硅前体产生Si颗粒; 设置在反应室内的用于冷却供应到反应室内部的Si粒子的冷却单元; 以及用于将碳结构供给到反应室内部的碳体供给单元。 提供了使用等离子体的Si-C复合体的制造装置，其中硅颗粒和碳结构在反应室内络合。
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公开(公告)号：KR1020160009807A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090047
申请日：2014-07-16
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/02 , C01B33/021 , H01M4/38
CPC classification number: C01B33/02 , C01B33/021 , C01B33/126 , H01M4/38
Abstract: 본발명은실리콘나노입자및 이의제조방법에관한것으로, 구체적으로는실리콘을유효성분으로포함하는나노입자에있어서, 상기나노입자내/외부에원소 P 또는 B가도핑한계를초과하여존재함으로써상기나노입자가미결정질또는비정질상을갖는것을특징으로하는실리콘나노입자및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种硅纳米颗粒及其制备方法。 特别地，本发明涉及一种硅纳米颗粒，其包含硅作为活性成分，并且通过在掺杂极限内具有过量的原子P或原子B在纳米颗粒内/外部而具有非晶态或非晶相，并且涉及 制备纳米颗粒的方法。 因此，硅纳米颗粒可以改善使用硅纳米颗粒作为阳极材料的二次电池的充电/放电循环（寿命），该二次电池具有作为关于体积膨胀的减震器的非晶态或无定形相的二阶相 并且在硅的充电/放电期间发生收缩。
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