公开(公告)号：KR1019990002817A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970026529

申请日：1997-06-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 송진수 ,  김동환 ,  최준영

IPC: H01L21/20

Abstract: Cds는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 일종으로 주로 태양전지의 창문층(Window layer)의 용도로 주로 연구되고 있으며 광학전자 분야에서도 많이 연구되고 있는 물질이다.
박막을 제조하는 방법으로는 진공증착, 스퍼터링, 화학기상성장법, 전착법과 화학적인 방법이 주로 쓰이고 있다.
그중 화학적인 방법은 반응 용액중에서 CdS의 핵이 생겨 콜로이드가 형성되며, 형성된 클로이드가 기판에 달라붙어 이미 성장하고 있는 박막 미세조직의 치밀도를 저하시키고 두께가 고르지 않게 되며, 표면이 거칠게 되는 등의 문제가 발생되므로 질이 우수한 CdS 박막을 얻기 위하여 일반적으로 반응속도를 낮추고 반응용액의 화학적 조성과 pH 및 온도를 최적 조건으로 맞추는 방법이 쓰인다.
화학 반응은 정밀하게 제어하기가 어렵고 반응 용액의 화학적 조성등 실험조건의 메시한 변화에 따라 막의 물리적 성질과 미세조직이 급격히 변하는 문제가 있기때문에 재현성이 좋으면서도 빠르고 쉽게 우수한 특성의 박막을 양산할 수 있도록 공정을 개선할 필요가 있다.
화학적인 CdS 박막 제조 방법에서 박막 형성 조건을 엄밀하게 제어하는 대신에 형성 반응이 일어나는 반응 용액에 초음파를 가하면 막질 개선과 함께 공정이 단순해지고 제어가 쉬어지는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 CdS 조성 원소를 함유한 반응 용액에 초음파를 가하여 제조공정을 개선하고 막질을 획기적으로 개선하는 방법이다.

公开(公告)号：KR100264232B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019970026529

申请日：1997-06-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 송진수 ,  김동환 ,  최준영

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing cadmium sulfide are provided to significantly improve the quality of a film by controlling a CdS thin film formation condition and at the same time applying ultra supersonic waves to a reaction solution in which a thin film formation reaction is generated. CONSTITUTION: A method and an apparatus for manufacturing cadmium sulfide grows a CdS thin film in a substrate using chemical bath deposition(CBD)(or dip coating or solution growth) method. The reaction solution used in the CBD method comprises a cadimium acetate Cd(CH3COO)2, 0.004-0.016M, thiourea(NH2) CS 0.005-0.015M, a buffer solution NH4(CH3COO) 1.54-6.16gm, NH4OH 1.74M. The composed reaction solution is heated at the reaction temperature of 80 Celsius. A glass substrate is inserted into the reaction solution and ultrasonic waves are applied to the glass substrate and the reaction solution so that a chemical reaction can be accelerated.

Abstract translation: 目的：提供一种制造硫化镉的方法和装置，通过控制CdS薄膜形成条件，同时对超薄膜形成反应的反应溶液施加超超声波，显着提高膜的质量 产生。 构成：使用化学浴沉积（CBD）（或浸涂或溶液生长）法在基底中生产硫化镉的方法和装置生长CdS薄膜。 在CBD方法中使用的反应溶液包括乙酸镉Cd（CH 3 COO）2，0.004-0.016M，硫脲（NH 2）CS 0.005-0.015M，缓冲溶液NH 4（CH 3 COO）1.54-6.16gm，NH 4 OH 1.74M。 在80℃的反应温度下加热组合的反应溶液。 将玻璃基板插入反应溶液中，并且将超声波施加到玻璃基板和反应溶液，使得可以加速化学反应。