公开(公告)号：KR100599185B1

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：KR1020040079496

申请日：2004-10-06

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이시훈 ,  박영옥 ,  임영준 ,  김상도 ,  김신철 ,  윤석준

IPC: C01B31/08

Abstract: 본 발명은 가스상 수은 제거용 황 첨착활성탄 제조방법과 제조장치 및 이로부터 만들어지는 황첨착활성탄에 관한 것으로, 그 목적은 황 첨착활성탄이 고온(140℃ 이상)에서도 우수한 효율이 나타나도록 하고, 고온에서 황의 손실을 최소화 하면서 반응성 황, 즉 저분자 황 동소체를 활성탄에 첨착하도록 하는 황첨착활성탄제조방법과 제조장치 및 이로부터 만들어지는 황첨착활성탄을 제공하는데 있다.
본 발명의 구성은 일반활성탄을 전처리 단계와; 상기 단계 후 첨착하고자 하는 양의 황을 전처리된 활성탄과 혼합 한 후 2개의 킬른에 모두 장입하는 단계와; 상기 단계 후 타측 킬른은 방치한 상태에서 일측 킬른을 500~600℃까지 승온시켜 황의 증기압으로 압력을 4기압까지 상승시킨 후 이 상태에서 1시간 동안 3rpm으로 회전시켜 원하는 양의 반응성 황을 첨착시키는 단계와; 상기 단계 후 일측 킬른의 첨착이 완료된 후 일측 킬른과 타측킬른의 연결밸브를 열어 일측 킬른의 가스상 황 50%를 타측 킬른으로 이동시키는 단계와; 상기 단계 후 황이 첨착된 일측킬른은 냉각하여 유동상에서 탈진을 한 후 제품화 하는 단계로 구성된 제조 방법과 이를 수행하는 장치 및 이러한 방법 및 장치로 제조된 황첨착활성탄을 특징으로 한다.
수은, 첨착활성탄, 황, 동소체, 첨착장치

公开(公告)号：KR1020060030647A

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：KR1020040079496

申请日：2004-10-06

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이시훈 ,  박영옥 ,  임영준 ,  김상도 ,  김신철 ,  윤석준

IPC: C01B31/08

CPC classification number: C01B32/366 ,  B01D53/02 ,  B01D53/64 ,  B01J20/20 ,  B01J20/3242 ,  C01B17/02 ,  C01B32/372

Abstract: 본 발명은 가스상 수은 제거용 황 첨착활성탄 제조방법과 제조장치 및 이로부터 만들어지는 황첨착활성탄에 관한 것으로, 그 목적은 황 첨착활성탄이 고온(140℃ 이상)에서도 우수한 효율이 나타나도록 하고, 고온에서 황의 손실을 최소화 하면서 반응성 황, 즉 저분자 황 동소체를 활성탄에 첨착하도록 하는 황첨착활성탄제조방법과 제조장치 및 이로부터 만들어지는 황첨착활성탄을 제공하는데 있다.
본 발명의 구성은 일반활성탄을 전처리 단계와; 상기 단계 후 첨착하고자 하는 양의 황을 전처리된 활성탄과 혼합 한 후 2개의 킬른에 모두 장입하는 단계와; 상기 단계 후 타측 킬른은 방치한 상태에서 일측 킬른을 500~600℃까지 승온시켜 황의 증기압으로 압력을 4기압까지 상승시킨 후 이 상태에서 1시간 동안 3rpm으로 회전시켜 원하는 양의 반응성 황을 첨착시키는 단계와; 상기 단계 후 일측 킬른의 첨착이 완료된 후 일측 킬른과 타측킬른의 연결밸브를 열어 일측 킬른의 가스상 황 50%를 타측 킬른으로 이동시키는 단계와; 상기 단계 후 황이 첨착된 일측킬른은 냉각하여 유동상에서 탈진을 한 후 제품화 하는 단계로 구성된 제조 방법과 이를 수행하는 장치 및 이러한 방법 및 장치로 제조된 황첨착활성탄을 특징으로 한다.
수은, 첨착활성탄, 황, 동소체, 첨착장치