-
1.发明公开알루미늄이 결핍된 α-ＳｉＡｌＯＮ계 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 ＬＥＤ 칩 패키지 有权铝缺陷型α-SiAlON磷酸盐，α-SiAlON磷光体的方法和使用α-硅铝磷光体的LED芯片封装
公开(公告)号：KR1020120117577A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035395
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/145
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of A-SiAlON-based phosphors is provided to obtain aluminum-deficient A-single phase even by using a pressure sintering method which has a simpler process than existing gas pressure sintering process. CONSTITUTION: A manufacturing method of A-SiAlON-based phosphors comprises: a step of weighing raw material represented by Ca_(0.8-x)Re_xAl_aySi_(12-y)O_1.2N_14.8, where Re is rare element, 0
Abstract translation: 目的：提供A-SiAlON基荧光体的制造方法，即使使用比现有气体压力烧结方法更简单的加压烧结方法来获得缺铝的单相。 构成：A-SiAlON系荧光体的制造方法包括：称重由Ca（0.8-x）Re_xAl_aySi_（12-y）O_1.2N_14.8表示的原料的步骤，其中Re为稀有元素，0 <= x <= 0.2,2.6 <= y <= 3.0和0.6 <= a <= 0.95并混合原料; 以及通过使用湿磨法制造原料的混合粉末的步骤。 LED芯片封装包括发射紫外或蓝色波长的LED芯片以及封装有发光二极管的基于A-SiAlON的磷光体。
-
2.发明授权알루미늄이 결핍된 α-ＳｉＡｌＯＮ계 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 ＬＥＤ 칩 패키지 有权铝缺陷型α-SiAlON磷酸盐，α-SiAlON磷光体的方法和使用α-硅铝氧磷的LED芯片封装
公开(公告)号：KR101290678B1
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020110035395
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/145
Abstract: α-SiAlON계 형광체 제조 방법, 그 방법에 의해 제조된 α-SiAlON계 형광체 및 이를 이용한 LED 칩 패키지에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 α-SiAlON계 형광체 제조 방법은 (a) Ca
0.8-x Re
x Al
ay Si
12-y O
1.2 N
14.8 (Re는 희토류 원소, 0≤x≤0.2, 2.6≤y≤3.0, 0.7≤a≤0.9)의 원료물질을 칭량한 후, 혼합하는 단계; 및 (b) 상기 혼합된 원료물질들을 상압 소결(Normal Pressure Sintering) 방식으로 소결하여 Ca
0.8-x Re
x Al
ay Si
12-y O
1.2 N
14.8 구조를 갖는 형광체를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
-
Search Results
2
records
(took 0.013 seconds)
