公开(公告)号：KR101009373B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020090049580

申请日：2009-06-04

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 여정구 ,  조철희 ,  안영수 ,  이진석 ,  변윤기 ,  최성철

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 탄화규소 후막의 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 탄화규소 후막에 관한 것이다. 본 발명의 탄화규소 후막의 형성방법은, (S1) 이산화규소 분말과 카본블랙 분말을 혼합시켜 혼합분말체를 제조하는 단계: (S2) 상기 혼합분말체를 반응로 바닥에 깔아 혼합분말층을 형성하는 단계; (S3) 상기 혼합분말층 위에 실리콘 기판을 위치시키는 단계; (S4) 상기 혼합분말층 및 실리콘 기판이 위치한 반응로 안을 진공처리하고, 아르곤 가스를 주입하면서 열처리하는 단계; 및 (S5) 상기 반응로를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 탄화규소 후막의 형성방법에 따르면, 저가의 이산화규소 분말과 카본블랙 분말의 기상-기상 반응을 통해 1400℃ 이하의 저온 공정을 이용하므로 저렴한 비용으로 탄화규소 후막을 제조할 수 있다.
탄화규소, 후막, 이산화규소, 카본블랙, 실리콘 기판

公开(公告)号：KR1020100130856A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020090049580

申请日：2009-06-04

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 여정구 ,  조철희 ,  안영수 ,  이진석 ,  변윤기 ,  최성철

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon carbide thick film and the silicon carbide thick film made by the same are provided to reduce manufacturing costs by using a low temperature process below 1400 degrees centigrade through the vapor reaction of silicon dioxide powder and carbon black powder. CONSTITUTION: Compound powder(110) is made by mixing silicon dioxide powder and carbon black powder. A compound powder layer is formed by spreading the compound powder on the bottom of a reactor(100). A silicon substrate(120) is positioned on the compound powder layer. The compound powder layer and the silicon substrate are thermally processed. The reactor is cooled.

Abstract translation: 目的：提供一种形成碳化硅厚膜的方法和由其制成的碳化硅厚膜，以通过二氧化硅粉末和炭黑粉末的蒸气反应，通过使用低于1400摄氏度的低温工艺来降低制造成本。 构成：复合粉末（110）是通过混合二氧化硅粉末和炭黑粉末制成的。 通过将化合物粉末铺展在反应器（100）的底部上形成复合粉末层。 硅基板（120）位于复合粉末层上。 复合粉末层和硅衬底被热处理。 反应器被冷却。