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公开(公告)号：KR102227932B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020190064719A
申请日：2019-05-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01M8/1004 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/1018 , H01M8/1041 , H01M8/1058
CPC classification number: H01M8/1004 , H01M4/8663 , H01M4/8668 , H01M4/8814 , H01M4/8828 , H01M8/1041 , H01M8/1058 , H01M2008/1095 , Y02E60/50
Abstract: 본 발명은, 막-전극 접합체의 제조방법, 막-전극 접합체 및 연료전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 전극 물질층 상에, 이오노머층을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 상기 이오노머층 상에 고분자 전해질막을 배치하는 단계; 및 상기 전극층과 상기 고분자 전해질막을 접합시키는 단계; 를 포함하고, 상기 이오노머층은, 상기 고분자 전해질막의 고분자 전해질과 동일하거나 또는 낮은 유리전이온도를 갖는 수소이온 전도성 고분자를 포함하는 것인, 막-전극 접합체의 제조방법, 막-전극 접합체 및 연료전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020200137803A
公开(公告)日：2020-12-09
申请号：KR1020190064719
申请日：2019-05-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01M8/1004 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/1058 , H01M8/1041 , H01M8/1018
Abstract: 본발명은, 막-전극접합체의제조방법, 막-전극접합체및 연료전지에관한것으로, 보다구체적으로, 전극물질층상에, 이오노머층을포함하는전극층을형성하는단계; 상기이오노머층상에고분자전해질막을배치하는단계; 및상기전극층과상기고분자전해질막을접합시키는단계; 를포함하고, 상기이오노머층은, 상기고분자전해질막의고분자전해질과동일하거나또는낮은유리전이온도를갖는수소이온전도성고분자를포함하는것인, 막-전극접합체의제조방법, 막-전극접합체및 연료전지에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102227932B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020190064719
申请日：2019-05-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01M8/1004 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/1058 , H01M8/1041 , H01M8/1018
Abstract: 본발명은, 막-전극접합체의제조방법, 막-전극접합체및 연료전지에관한것으로, 보다구체적으로, 전극물질층상에, 이오노머층을포함하는전극층을형성하는단계; 상기이오노머층상에고분자전해질막을배치하는단계; 및상기전극층과상기고분자전해질막을접합시키는단계; 를포함하고, 상기이오노머층은, 상기고분자전해질막의고분자전해질과동일하거나또는낮은유리전이온도를갖는수소이온전도성고분자를포함하는것인, 막-전극접합체의제조방법, 막-전극접합체및 연료전지에관한것이다.
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