公开(公告)号：KR100889387B1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020070039418

申请日：2007-04-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 한인섭 ,  우상국 ,  서두원 ,  이시우 ,  홍기석 ,  유지행 ,  김세영 ,  이강호

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/16 ,  C04B35/505 ,  C04B35/10

Abstract: 본 발명은 질화규소 세라믹스 제조방법, 질화규소 세라믹 로터 및 파이프 제조방법과 그 제조물에 관한 것으로, 질화규소(Si
3 N
4 ) 분말과의 합이 100중량%를 이루도록 금속실리콘(Si) 분말을 5중량%이상 50중량%이하로 첨가하고, 상기 금속실리콘 및 질화규소(Si
3 N
4 )의 중량합과 대비하여 알루미나(Al
2 O
3 ) 분말을 1중량%이상 5중량%이하, 이트리아(Y
2 O
3 ) 분말을 1중량%이상 6중량%이하가 되도록 조합하여 혼합하는 혼합단계와; 상기 혼합단계에서 혼합된 분말을 이용하여 지정형상으로 성형체를 제조하는 성형단계와; 성형체 내에 포함된 금속실리콘(Si)을 질소가스 분위기, 1100℃이상 1400℃이하의 온도범위에서 승온속도를 조절하여 소결시키는 기상반응소결단계와; 상기 기상반응소결단계에서 반응소결된 소결체를 1400℃이상 1820℃이하의 온도범위에서 승온속도를 조절하여 산화물 소결조제의 공융액상 형성에 의해 질화규소 입자의 치밀화를 진행시키는 상압소결단계;를 포함하여 구성됨을 기술적 요지로 하여, 1100℃이상 1820℃이하의 온도범위 내에서 승온시키는 과정에서 기상반응소결과 상압소결이 연속적으로 이루어짐에 따라 하나의 소결공정으로 반응소결과 상압소결이 동시에 실시되는 효과를 거둘 수 있어 질화규소 소결체를 낮은 온도에서 적은 기공율로 용이하게 제조할 수 있고, 이에 따라 에너지 및 제조원가를 절감할 수 있는 질화규소 세라믹스 제조방법, 질화규소 세라믹 로터 및 파이프 제조방법과 그 제조물에 관한 것이다.
질화규소 세라믹스 반응소결 상압소결 로터 파이프

公开(公告)号：KR1020080095075A

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：KR1020070039418

申请日：2007-04-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 한인섭 ,  우상국 ,  서두원 ,  이시우 ,  홍기석 ,  유지행 ,  김세영 ,  이강호

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/16 ,  C04B35/505 ,  C04B35/10

CPC classification number: C04B35/591 ,  C04B35/64 ,  C04B38/0051 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/668 ,  C22B21/06

Abstract: A method for manufacturing silicon nitride ceramics is provided to produce a sintered material of silicon nitride having low porosity easily at low temperature by performing both gas-phase reaction sintering and atmospheric pressure sintering at a temperature below 1820 °C. A method for manufacturing silicon nitride ceramics includes the steps of: adding 5-50wt% of a metal silicon powder to 100wt% of the sum of the metal silicon powder and a silicon nitride(Si3N4) powder, and mixing 1-5wt% of an alumina powder and 1-6wt% of an yttria(Y2O3) powder based on the total weight of the metal silicon and silicon nitride; molding the mixture into a predetermined shape to produce a molded material; controlling a heating rate at a temperature of 1100-1400 °C to sinter the metal silicon contained in the molded material under a nitrogen gas atmosphere; and controlling a heating rate at a temperature of 1400-1820 °C to densify the silicon nitride particles in the sintered material by an eutectic liquid phase formation of an oxide sintering aid.

Abstract translation: 提供一种制造氮化硅陶瓷的方法，通过在低于1820℃的温度下进行气相反应烧结和大气压烧结，在低温下容易地制造具有低孔率的氮化硅的烧结材料。 制造氮化硅陶瓷的方法包括以下步骤：将5-50重量％的金属硅粉末加入到金属硅粉末和氮化硅（Si 3 N 4）粉末的总和的100重量％中，并将1-5重量％ 氧化铝粉末和基于金属硅和氮化硅的总重量的1-6重量％的氧化钇（Y 2 O 3）粉末; 将混合物成型为预定形状以产生模制材料; 控制在1100-1400℃的温度下的加热速率，以在氮气气氛下烧结成型材料中所含的金属硅; 并且在1400-1820℃的温度下控制加热速率，以通过氧化物烧结助剂的共晶液相形成来致密烧结材料中的氮化硅颗粒。